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公开(公告)号：CN101001461B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200610124396.6
申请日：2006-12-25
Applicant: 京信通信技术(广州)有限公司
CPC classification number: Y02D70/122 , Y02D70/34
Abstract: 本发明公开一种载波信号抑制方法，包括如下步骤：首先，产生与存在于本小区的干扰信号同频的干扰抑制信号，向空中发射；其次，移动台开机搜索广播信道，搜索到最高功率的信号，尝试读取其频率校正信道，若读取失败，移动台继而重新搜索与干扰抑制信号不同频率的次功率信号，即可获得本小区内的正常覆盖信号。此外，还公开了一种载波信号抑制器，包括：信号发生器，用于产生与干扰信号同频的干扰抑制信号；功率放大器，用于放大干扰抑制信号；天线单元，用于发射干扰抑制信号。与传统技术相比，本发明能有效地抑制邻近小区信号对本小区信号的干扰，消除误漫游的情况，使边缘小区的通信更加高效，改善网络运营情况。
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公开(公告)号：CN111403869B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202010342310.7
申请日：2020-04-27
Applicant: 京信射频技术(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种通信装置、窄带宽的介质波导滤波器及其设计方法，窄带宽的介质波导滤波器包括介质块及包覆于介质块外表面的金属层。介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构。容性耦合孔为金属化盲孔，感性耦合结构为金属化盲孔或金属化盲槽。由于介质块的耦合窗口部位设有容性耦合孔与感性耦合结构，可以将容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D设计得足够大，使容性耦合孔的容性耦合较大，但由于感性耦合结构的感性耦合能抵消容性耦合孔的一部分容性耦合，容性耦合孔的另一部分容性耦合便相当于窄的容性耦合，也就是能实现窄带宽设计。同时，由于容性耦合孔底壁部位介质块的厚度D足够大，生产制造容易，提高产品的烧结合格率。
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公开(公告)号：CN112635939B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202011584338.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 京信射频技术(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及一种通信装置、介质波导滤波器及容性耦合带宽的调试方法，介质波导滤波器包括介质本体、金属层及金属填充层。其中，介质本体包括两个相邻的介质谐振器、及设置于两个相邻的介质谐振器之间的通孔。金属层覆盖于介质谐振器的表面及通孔的内壁，且金属层还设有环绕通孔的周向设置的隔断槽。金属填充层设置于隔断槽内，金属填充层与金属层间隔设置，且金属填充层的外边缘对应设有一个封闭的环形槽。可以将隔断槽的宽度设计或加工的较宽，再通过调节隔断槽内金属填充层的面积的大小，从而实现容性耦合带宽的调节以满足实际的预设要求，简单、方便，便于加工，降低了设计和加工难度，也使得容性耦合带宽的调试更加灵活。
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公开(公告)号：CN110148819B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910535591.5
申请日：2019-06-20
Applicant: 京信通信技术(广州)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种介质波导滤波器的容性耦合结构及介质波导滤波器，容性耦合结构包括设于介质本体中相邻的两个介质谐振器之间的通孔及分别绕所述通孔的周向设置的第一调节槽和第二调节槽，所述第一调节槽设置为非封闭形式，所述第二调节槽设置为封闭形式，所述第一调节槽及所述第二调节槽均贯穿所述介质本体的导电层，所述第一调节槽所在的第一平面与所述第二调节槽所在的第二平面相对间隔设置，且所述第一平面与所述第二平面之间的间距小于所述介质本体的厚度。所述容性耦合结构便于加工，生产调试难度低，能够保证生产质量；如此，采用所述容性耦合结构的介质波导滤波器的生产调试难度低，生产质量高，适应大批量生产。
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公开(公告)号：CN111342187B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010161408.2
申请日：2020-03-10
Applicant: 京信通信技术(广州)有限公司 , 京信射频技术(广州)有限公司
IPC: H01P7/10
Abstract: 本发明涉及一种滤波器及其介质谐振器，介质谐振器包括介质块及包覆于介质块外表面的金属层。介质谐振器具有相对设置的第一表面及第二表面，第一表面形成有供射频连接器的PIN针插入的金属化盲孔，第一表面还形成有异于金属化盲孔的内凹结构。通过在介质谐振器的第一表面形成内凹结构，可以起到增强射频连接器与介质谐振器之间的耦合的作用，从而实现输入输出端的带宽调节，改变时延。当内凹结构的尺寸增大时，相应的输入输出端的时延增长。因此，可在加大金属化盲孔深度的同时，通过调节内凹结构的尺寸，以使时延满足需求。而随着金属化盲孔的深度增大，PIN针插入的长度也变长，故PIN针焊接的强度更高，上述滤波器的可靠性得到显著提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110600840B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910942495.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 京信通信技术(广州)有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及一种介质滤波器的平衡度调节方法及滤波器，介质滤波器的容性耦合结构包括介质块与金属层。所述介质块包括相对设置的第一表面与第二表面。所述第一表面上设有耦合通孔。一方面，通过调整封闭式环形缺口在锥形孔段的孔壁上的设置位置，即改变封闭式环形缺口与耦合通孔的孔径较大的一端端面之间的间距H0时，便能相应调整对称零点的平衡度；另一方面，由于耦合通孔包括锥形孔段，相对于孔壁垂直于第一表面的直通孔而言，锥形孔段的孔壁倾斜设置，这样既便于将金属层形成于耦合通孔的孔壁上，又方便采用切割工具（包括刀具与激光等等）在锥形孔段的金属层上开设出封闭式环形缺口，进而能提高生产效率。
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公开(公告)号：CN112615124A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011584174.9
申请日：2020-12-28
Applicant: 京信射频技术(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司
IPC: H01P11/00 , H01P1/20 , C04B41/88 , B23K26/362
Abstract: 本申请提供了一种介质波导滤波器及其介质陶瓷银层加工方法，所述方法包括：将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层；烘干介质陶瓷上的所述银层；按照预设的清扫图层对烘干后的银层实施激光雕刻，完成所述银层的表面图形加工；烧结固化所述银层。本申请通过先对介质陶瓷烘干后的银层进行激光雕刻然后烧结的方式，对介质波导滤波器的介质陶瓷进行银层加工，避免加工过程中产生意外损伤，提升介质波导滤波器整体的可靠性。
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公开(公告)号：CN110504517B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910764835.7
申请日：2019-08-19
Applicant: 京信通信技术(广州)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种介质波导谐振器及其端口耦合量调节方法与滤波器，介质波导谐振器包括介质块。第一金属层与第二金属层之间设有露出介质块的镂空区。镂空区绕第一金属层的外围周向设置。第一金属层包括第一覆盖层、第二覆盖层及连接层。第一覆盖层覆盖于介质块的底面，第二覆盖层覆盖于介质块的侧面。上述的介质波导谐振器，由于第一覆盖层覆盖于所述介质块的底面，可以实现端口强耦合，为拓宽介质波导谐振器的带宽提供了条件，可以广泛应用到带宽较宽的介质波导谐振器中；此外，由于第二覆盖层位于介质块的侧面，且第二覆盖层用于连接同轴接头或PCB板的信号接头，该设计方式设计时受外形尺寸限制较小，能便于批量生产。
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公开(公告)号：CN107247685B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710396408.9
申请日：2017-05-26
Applicant: 京信通信技术(广州)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件端口特性参数提取方法和装置，其方法包括：为MEMS器件的接地或者处于开路状态的N‑n个金属导体加上端口；分别在各个金属导体上施加预设幅度值的射频信号电压，每在一个金属导体上施加射频信号电压后，对其他金属导体路进行接地处理，获取N个金属导体上在各个频点的电流值进而确定N端口器件的导纳矩阵中对应当前施加射频信号电压的金属导体的一列数据；在获取到N端口器件的导纳矩阵的N列数据后，根据N端口器件的导纳矩阵获取n端口器件的导纳矩阵，其中，MEMS器件的端口特性参数包括n端口器件的导纳矩阵，如此，可以提高参数提取效率以及提取结果精确度。
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公开(公告)号：CN111755783A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010662720.X
申请日：2020-07-10
Applicant: 京信射频技术(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及一种通信系统、介质滤波器及其远端抑制改善方法，介质滤波器包括介质本体，介质本体包括两个耦合连接的谐振体，介质本体设有相对间隔设置的第一侧壁和第二侧壁、及设置于第一侧壁与第二侧壁之间的第三侧壁，第一侧壁上设有两个用于调节频率的调节孔，调节孔与谐振体一一对应设置，第一侧壁上和/或第二侧壁上设有第一凹槽，第一凹槽设置于相邻的两个谐振体之间，且第一凹槽贯穿第三侧壁。在介质本体的第一侧壁和/或第二侧壁上设有第一凹槽，使得第一凹槽设置在相邻的两个谐振体之间，并且第一凹槽的端部与外界连通，从而能够改善远端抑制指标。
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