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公开(公告)号：CN101430930A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
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公开(公告)号：CN101335258A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041395.4
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
Abstract: 一种用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法，其特征在于通过非破坏性改变熔丝的电阻实现对集成电路的调节：采用相变材料替代传统金属线作为熔丝，利用激光实现对相变材料的可逆相变操作，实现被编程熔丝的电阻在高阻和低阻之间的可逆变化。其优点在于：熔丝的电阻连续可调，进而可以通过连续调整熔丝电阻实现对集成电路的精确或者多状态控制和调节。本发明还涉及一种相变材料熔丝的电阻的连续可调方法。
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公开(公告)号：CN1722462A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510026541.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L27/24 , H01L21/336 , H01L21/8239
Abstract: 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10－100nm的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储器的集成度。
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公开(公告)号：CN110854116A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911028369.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/105 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 本申请提供一种三维异质集成芯片及其制备方法，该芯片包括：第一芯片；第一芯片包括：第一衬底、第一有源区层、第一金属层、第一介电层和第一通孔；第一衬底、第一有源区层、第一金属层和第一介电层依次层叠连接，第一通孔设于第一介电层内部，第一通孔连接第一金属层和第一介电层外部；第二芯片，第二芯片包括第二衬底、第一存储层、第二介电层和第二通孔；第一存储层与第二衬底连接，第二介电层与第一存储层连接，第二通孔设于第二介电层内部，第二通孔连接第二存储层和第二介电层外部；第一芯片内部设有第一导电通道，第一导电通道的一端连接第一金属层，第一导电通道的另一端连接第一衬底外部，第一导电通道作为该芯片的输入端或输出端。
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公开(公告)号：CN106326421B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610719554.6
申请日：2016-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F16/901
Abstract: 本发明提供一种基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统，包括将待排序记录的特征值和标识值从存储器内依次读出；在数据链表存储区创建标识值节点，并将记录的标识值存储在标识值节点；根据记录的特征值在索引树存储区的索引树上建立特征值节点；全部记录读出并处理完毕后，依次遍历索引树上各层的特征值节点，并根据特征值节点的路径恢复特征值；再根据获取的特征值节点中记录的标识值节点地址，在数据链表存储区中找到对应的标识值；最后按照遍历顺序输出所有记录的特征值和标识值。本发明的基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统通过FPGA对数据进行编/解码来实现对数据的排序，从而一边读取数据一边进行数据排序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509732B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110453265.3
申请日：2011-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微控制器用嵌入式相变存储器及其制备方法与其NVM存储材料的制备方法。所述微控制器用嵌入式相变存储器包括动态随机存取存储单元和非易失性存储单元，所述动态随机存取存储单元和非易失性存储单元同时位于同一基片上。本发明针对COMS的单靶溅射工艺，利用向低数据保持力的DRAM用相变材料中注入Si离子，获得低操作功能高数据保持力的NVM用富Si相变材料，实现了将应用于DRAM和NVM的两种不同相变存储器的相变材料制备在同一基片。既得到了性能良好的SiSbTe或SiGeSbTe相变材料，又减少了光刻版的使用数量，大大简化了工艺步骤从而降低了技术难度和产品成本。
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公开(公告)号：CN103346258A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310306025.X
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/124 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供相变存储单元及其制备方法，采用厚度与单个晶胞或者多个晶胞尺度相当的相变材料层，使相变材料基本上体现出界面特性，而弱化体材料特性，以制备利用界面电阻变化来存储信息的高密度、低功耗、高速二维相变存储单元。本发明的相变材料层厚度薄及相变材料层界面上存在少量的缺陷，促使相变存储单元操作功耗的降低和操作时间的缩短，减少了每次操作过程对相变材料的损害，使每次操作对材料的元素偏析效果降低，增加了相变存储单元的最大可操作次数，从而有利于提高器件循环操作次数的能力；进一步，本发明中采用的石墨烯电极对还具有信号响应快、机械强度大、能量损耗少等特点；同时，本发明还可实现与新型CMOS的兼容。
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公开(公告)号：CN102011089B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010289914.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102832342A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210342947.1
申请日：2012-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供一种含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括相变材料层和位于其下方的下电极，所述相变材料层和下电极之间由一TiSiN材料层连接，所述下电极包括一底部和一与该底部连接的片状侧部，所述片状侧部垂直于所述底部，形成刀片结构，所述片状侧部的顶端与所述TiSiN材料层接触。本发明采用退火增加电极晶粒尺寸从而降低整体器件电阻，并在所述下电极顶端形成TiSiN材料层从而减小有效操作区域。将本发明的相变存储单元应用于相变存储器中，具有低功耗、高密集度和高数据保持能力的优点。
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公开(公告)号：CN101436607B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810207813.2
申请日：2008-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C11/56
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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