一种金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101787521B

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201010132916.4

    申请日:2010-03-24

    Abstract: 一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法,特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层,利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗,然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗,再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层,在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜,离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现,最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物/DLC复合薄膜,硫源采用含硫的气体。

    一种高性能掺杂镍锌系铁氧体软磁材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101640090B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN200910089645.6

    申请日:2009-07-28

    Abstract: 本发明涉及一种高性能掺杂Ni-Zn系铁氧体软磁材料及制备方法,属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料主成分为Fe2O3 47.0~50.0mol%、ZnO 24.0~26.0mol%和NiO24.0~26.0mol%,外加副成分为Bi2O3 0.5~5.0wt%、MnCO3 0.5~5.0wt%,并至少含有一种以上如下掺杂成分:Al2O3 0~75mol%、Pr6O11 0.1~10mol%和WO3 0.2~10mol%。所述材料制备方法依次包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”工艺方法和步骤,仅需要一个铁氧体烧结合成步骤,经济、简单、可靠。用本发明提供的材料配方及制备方法所得Ni-Zn系铁氧体软磁材料的烧结体的平均晶粒尺寸为1~10μm,在频率1MHz时的起始磁导率μi至少为100,居里温度Tc至少为300℃,矫顽力小于4.5Oe;截止频率fr高于10MHz,1k-100MHz范围内磁损耗(μ″/μ′)小于2.00,介电损耗(ε″/ε′)小于0.03,综合性能优良,特别适合高频大磁场通讯器件应用。

    高纯度高密度高产率Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN101609735B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200910089459.2

    申请日:2009-07-21

    Abstract: 本发明涉及一种以Si3N4为内核、SiO2为外壳的Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的高纯度、高密度、高产率的制备方法,属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列。含有步骤(1)高含氮量的聚硅氮烷在160-300℃下的低温交联固化,得到半透明的非晶SiCN固体;(2)交联固化后的非晶SiCN固体在高耐磨器具中的高能球磨、粉碎;(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在含有一定量氧气的载气保护下的高温热解、蒸发,并在镀有金属催化剂薄膜的基片上沉积得到所述的结构。所述方法合成工艺和设备简单,工艺参数可控性强,成本低廉,所得Si3N4/SiO2同轴纳米电缆生长有序,产量大、密度高、纯度高且直径分布均匀。所合成的同轴纳米电缆结构在原子力显微镜、近场光学显微镜、纳米力学探针和新型纳米复合材料增强剂等方面有广泛的应用前景。

    一种基于纳米压痕连续刚度曲线的薄膜和膜基界面的物理性质测试方法

    公开(公告)号:CN101806690B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010161619.2

    申请日:2010-05-04

    Abstract: 本发明涉及一种固体薄膜和膜基界面的物理性质测试方法,属于分析仪器及材料性能测试技术领域。所述方法基于纳米压痕连续刚度曲线,将膜基系统弹性模量平方比硬度作为纵坐标,压痕深度作为横坐标,按照迭代筛选最小二乘法拟合曲线,分析和标定各拟合参数,从而测量薄膜的物理性质,包括厚度、弹性模量平方与硬度的比值,并能表征与界面层厚度相关的参数、以及表征界面层弹性模量平方与硬度比值相关的参数等。所述方法对所有薄膜与膜基界面的物理性质的测试均基于纳米压痕技术,可以在不露出基体表面的情况下进行,不需要对已有的设备进行改装,只需改变分析方法,适用范围广泛,任何膜厚小于纳米压痕仪最大压痕深度的薄膜材料都可以使用。

    一种金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101787521A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010132916.4

    申请日:2010-03-24

    Abstract: 一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法,特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层,利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗,然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗,再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层,在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜,离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现,最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物/DLC复合薄膜,硫源采用含硫的气体。

    一种制备铁氧体陶瓷软磁材料新方法

    公开(公告)号:CN101367645A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200810117838.3

    申请日:2008-08-06

    Abstract: 本发明涉及一种铁氧体陶瓷软磁材料制备方法,属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷为纯相尖晶石相铁氧体。所述材料制备方法包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”等工艺步骤。与传统铁氧体材料制备方法相比,所述方法只需一次烧结,简称“一步合成法”;由于制备工艺更简单,降低了设备和工艺成本,提高了工艺可靠性和可控性;采用高纯高耐磨氧化锆磨介,可精确控制掺杂元素比例;采用特殊烧结助熔剂,烧结温度低。由于材料组成精确可控、晶粒大小均匀可控、缺陷少,所得铁氧体材料磁学性能优异,高频特性好,品质因素高,可广泛用于高质量高频器件制备和生产。本发明也可用于其他类型电子陶瓷材料等。

    一种延长高速干式切削刀具使用寿命的装置及使用方法

    公开(公告)号:CN116604396A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310751251.2

    申请日:2023-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种延长高速干式切削刀具使用寿命的装置,包括流量控制器、控制系统和温度检测组件,温度检测组件及流量控制器均与控制系统电性连接,控制系统通过温度检测组件反馈的温度调整流量控制器;控制氮气流量的流量控制器设置在管道上,氮气源通过管道与喷嘴连接,喷嘴对刀具进行冷却,温度检测组件对刀具的温度进行实时检测。本发明还公开了一种延长高速干式切削刀具使用寿命的装置的使用方法。本发明采用上述延长高速干式切削刀具使用寿命的装置及使用方法,能够解决现有的高速干式切削刀具使用寿命短,冷却气体用量大的问题。

    一种离子偏转装置及方法

    公开(公告)号:CN112201560B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202011024354.1

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种离子偏转装置及方法,属于离子偏转技术领域,所述离子偏转装置及方法包括离子产生舱,所述离子产生舱上端安装有高电压舱,且离子产生舱右侧安装有离子偏转舱,所述离子偏转舱上端外壁固定连接有一号调位机构。本发明中硅胶层吸收的水分子被电晕放电的电子激励而飞出,从而可以形成水簇,所以形成寿命更长、更重的簇离子,包围离子的方式形成的水簇分子的量越多离子越稳定,由湿度检测仪对检测室内部气体湿度进行检测,从而便于根据湿度对离子产生舱内电离度进行掌控;通过测算推杆位移值与离子偏离角度之间的比例关系,从而对离子偏离度进行精确估算掌控,适合被广泛推广和使用。

    一种模拟地热资源开采效率优化的实验装置

    公开(公告)号:CN111721805A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010782302.4

    申请日:2020-08-06

    Abstract: 本发明提供了一种模拟地热资源开采效率优化的实验装置,属于地热资源开采效率优化技术领域。本实验装置由地热采热模拟系统、工质循环系统及控制系统组成,地热采热模拟系统包括一个底座,底座与一个固定壳体固联,固定壳体通过转轴与一个活动壳体连接,两壳体上设有梯度加热模块,壳体内部可放入一实验管段,壳体上端面通过螺栓与一顶盖连接,顶盖上设有一个温度传感器,底座与顶盖上分别设有入水管与出水管,工质循环系统包括一个工质槽、一个工质泵、一个工质加热器、一个工质冷却器以及电磁阀,控制系统对地热采热模拟系统及工质循环系统进行控制。本实验装置能够准确模拟带有温度梯度的地热采集过程,进而对地热资源的开采效率进行研究。

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