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公开(公告)号：CN114895502B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210443722.9
申请日：2022-04-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光开关切换网络的重频大范围可调氮化硅微光梳阵列，包括基于厚Si3N4波导的对称马氏干涉仪光开关阵列、包括基于厚Si3N4波导经色散工程的具有不同尺寸的微环谐振腔。通过二叉树型与级联型两种光开关切换网络改变入射光的路径，使得入射光耦合到不同尺寸的微环谐振腔里。通过热电极快速改变干涉仪两臂相位差实现光路切换，切换时间小于60μs；通过热电极快速调谐微环的谐振峰，控制光源频率与谐振峰的失谐量，进而激发出不同重频的单孤子微光梳。本发明适用于高频微波与毫米波信号产生、微波光子滤波、多光梳测量技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中，具有重频调节范围大、光开关切换速度快、尺寸紧凑等优点。
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公开(公告)号：CN113528120B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110811775.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双共振效应实现在非共振波长处的激子谷极化方法，通过入射激光激发手性微结构衬底在入射波长处的共振，实现对覆盖层的过渡金属硫化物的吸收与荧光增强，再利用过渡金属硫化物所产生的荧光激发衬底在激子共振波长处的共振，从而实现激子在非共振波长处的谷极化。其采用的基于过渡金属硫化物的准三维手性微结构可通过聚焦离子束刻蚀配合金属溅射的方法构建，且衬底所激发的表面等离子体共振能够有效的延长激子寿命，使得室温谷极化操作成为可能。
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公开(公告)号：CN114838744A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210457572.7
申请日：2022-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微环的光纤布拉格光栅光谱解调芯片，包括一个直线波导、四个微环谐振腔、四个直线输出波导和四个光电探测器；四个微环谐振腔交错分布在直线输入波导两侧，且分别包含一个直线输出波导。直线输入波导和四个直线输出波导分别与微环谐振腔构成带有间距的耦合区；四个微环谐振腔应保持足够的距离以避免发生耦合；每个微环所对应的自由光谱范围大于AWG的通道间隔；每个直线输出波导连接一个光电探测器。本发明使用时，通过控制开关可以选择不同波长的光输入光环路器，可以确定解调的波长所处的FSR区间，通过监测微环相邻两通道的输出光强，得到FBG中心波长的精确位置，实现更高精度的解调。
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公开(公告)号：CN111599903B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010578934.9
申请日：2020-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有极化掺杂复合极性面电子阻挡层的紫外LED，包括由下至上依次设置的衬底、低温AIN成核层、高温AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Alx1Ga1‑x1N/Alx2Ga1‑x2N多量子阱有源区、极化掺杂复合极性面电子阻挡层和p型Alx5Ga1‑x5N层，所述n型AlGaN层上设置n型欧姆电极，所述p型Alx5Ga1‑x5N层上设置p型欧姆电极，所述极化掺杂复合极性面电子阻挡层包括由下至上设置的氮极性面p型Alx3Ga1‑x3N电子阻挡层和金属极性面p型Alx4Ga1‑x4N电子阻挡层。本发明的极化掺杂复合极性面电子阻挡层具有更高的电子阻挡层空穴浓度，有利于p型Alx5Ga1‑x5N层的空穴注入；减小了有源区与电子阻挡层的晶格失配，提高了外延层晶体质量；增加了有源区电子空穴的辐射复合效率，提高了紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN113376737A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110921711.2
申请日：2021-08-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种螺旋波导光栅辅助反向耦合器型光色散延时线，包括SiO2包层，SiO2包层内部设有水平设置的波导层，所述波导层采用Si材料制备而成，包括四条横向直波导、两条S形弯曲波导、两段螺旋损耗线和一段螺旋波导啁啾光栅辅助反向耦合器；其中左侧一条横向宽直波导作为反向耦合器的输入端，横向窄直波导作为反向耦合器的输出端，两端口通过一对S形弯曲波导与反向耦合器连接；第一直波导左端为色散延时线的输入端口，第二直波导左端为色散延时线的输出端口；第三直波导和第四直波导作为前置缓冲区，右端分别与螺旋形单侧壁调制波导光栅和螺旋条形/锥形波导左端连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108873391B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810763703.8
申请日：2018-07-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掩埋型硅波导的石墨烯混合等离子调制器，包括混合等离子波导和石墨烯三明治结构，其中混合等离子波导由两个银波导和一个掩埋型硅波导组成。调制器由6层结构构成，从上至下依次为两个银等离子波导，氧化铝隔离层，石墨烯三明治结构，氧化铝隔离层，掩埋型硅波导，二氧化硅衬底。所述石墨烯三明治结构由上单层石墨烯、中间氧化铝隔离介质和下单层石墨烯组成。以及，所述的上下单层石墨烯分别与左右金属电极接触，所述上下单层石墨烯在左右金属电极的电信号作用下实现光调制器的开启和关闭。本发明可以实现高调制深度、低传输损耗、高调制带宽的光调制，可以在集成高速全光网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN113253537A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110543228.5
申请日：2021-05-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的马赫‑曾德尔干涉仪型可调分数阶光场微分器，包括基于SOI材料制备的2×2定向耦合器、两根长度不等的干涉臂以及2×1的多模干涉耦合器(MMI)，另外包括在定向耦合器耦合区域上方的热电极。其中定向耦合器将受调制的输入光按一定比例分成两束，长度不等的干涉臂使输入光在干涉臂的出口处形成π的相位差，之后经MMI形成相消干涉，完成对输入光的微分操作。所述的热电极加载电信号，通过改变定向耦合器输出端的分光比，以实现输入光在工作波长处的干涉强度变化，从而使得微分器微分阶数的调整。
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公开(公告)号：CN112596282A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011535410.8
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的宽带可调分束比偏振旋转分束器，所述分束器包括波导层、热电极、缓冲层、输入端和输出端，所述波导层包括三段拉锥脊形波导、S形弯曲脊形波导和直波导、阿基米德螺线形弯曲脊形波导、直脊形波导以及输出脊形波导，由SOI材料制备，所述热电极和缓冲层依次设置于波导层的上方，且所述热电极由TiN材料制备，通过在所述热电极的两端施加电压可以改变其温度。通过本发明可以实现对输入光信号的偏振旋转、分束和分束比调节，可应用于偏振复用系统、相干光通信系统、光逻辑门设计等，具有插入损耗低、工艺简单、可重构性强、宽工作带宽等优点。
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公开(公告)号：CN109001158B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810651989.0
申请日：2018-06-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于双内齿轮环形腔的纳米传感器，包括基底和分布在所述基底上的纳米金属结构，所述纳米金属结构包括：内齿轮环形耦合腔以及耦合腔下的直波导；内齿轮环形耦合腔包括环形及环形内部的四个突出的齿形结构；可通过改变齿高、环形半径等参数来改变谐振波长的位置，从而扩大使用范围。本发明是利用金属表面等离激元效应原理，使用金属‑介质‑金属波导结构进行设计的基于双内齿轮环形腔的纳米传感器，结构相对简单、折射率敏感度高、制备方便，可应用于生物传感器、化学传感器等。
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公开(公告)号：CN109709644B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910113184.5
申请日：2019-02-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的跑道型微环2×4热光开关，包括基于SOI材料制备的直波导和跑道型微环波导，以及顶层的热电极；其中跑道型微环波导由弯曲波导和短直波导构成闭合跑道，所述跑道型微环波导与直波导间构成耦合区，直波导间交叉部分采用多模波导交叉结构。所述顶部热电极加载的数字电信号作用下实现光通道的快速切换。本发明可以实现多输入多输出光信号的同时切换，可应用于光开关阵列、光路由、光逻辑门设计、集成光路中单元器件工作状态检测。
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