公开(公告)号：CN1691334A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510068438.4

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  柳寅儆 ,  徐顺爱 ,  徐东硕 ,  徐大卫 ,  田尚勋

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。

公开(公告)号：CN1540714A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410036842.9

申请日：2004-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  郑守桓 ,  徐顺爱 ,  金仁淑

IPC: H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82B3/00 ,  B29C59/022 ,  B29C59/026 ,  B29C2059/023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。

公开(公告)号：CN1510740A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310116438.8

申请日：2003-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仁淑 ,  徐顺爱 ,  柳寅儆 ,  郑守桓

IPC: H01L21/8239

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/774

Abstract: 本发明公开了一种制造带有纳米点的存储器的方法。该方法包括步骤：在一其中制有源极和漏极电极的衬底上依次淀积一第一绝缘层、一电荷储积层、一牺牲层以及一金属层；通过对金属层执行阳极氧化，在所制得的结构上形成多个孔洞，并对经这些孔洞而外露的牺牲层执行氧化；通过去除掉已被氧化的金属层，并以氧化物牺牲层作为掩模对牺牲层和电荷储积层执行蚀刻，从而将电荷储积层构图成带有纳米点；以及去除氧化后的牺牲层，在被构图后的电荷储积层上淀积一第二绝缘层和一栅极电极，并将第一绝缘层、电荷储积层、第二绝缘层以及栅极电极构图设计成预定的形状。因而，可以制出具有均匀分布的纳米级存储结的存储器。