光耦合器及其制作方法
    71.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1153990C

    公开(公告)日:2004-06-16

    申请号:CN99815419.9

    申请日:1999-10-27

    CPC classification number: G02B6/125

    Abstract: 提供了一种光耦合器及其制造方法,该光耦合器具有一输入光波导(I)和N个输出光波导(O1、O2、...),并且将从输入光波导(I)接收到的光信号分割成N个光信号。该光耦合器还包括:多个Y型接头光波导,其以m个级配置,用于在每一级中将接收到的光信号分支为两个光信号;和多个弯曲的光波导,其交替地连接到Y型接头光波导,至少一个弯曲光波导连接在第m级中Y型接头光波导和输出光波导之间,其中,当光信号的引导方向被设置为纵轴,并且输入光波导与第一级Y型接头光波导之间的接头被设置为开始点时,确定Y型接头光波导和弯曲光波导的位置和尺寸,以便使范围从开始点至每个输出光波导的N个路径中的最长路径最小,光耦合器是采用Y型接头光波导模块(J11、J12、...)连接光波导模块(B11、B21、...)制造的,从而能够设计各种Y型接头光波导结构。另外,提高了模块布局的自由度,从而使光耦合器的设计容易。

    集成光学强度调制器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1113265C

    公开(公告)日:2003-07-02

    申请号:CN98102842.X

    申请日:1998-07-10

    Inventor: 李相润 张祐赫

    CPC classification number: G02F1/3558 G02F1/035

    Abstract: 本发明提供了一种集成光学强度调制器及其制造方法。该调制器包括一具有自发极化、沿一预定方向切割的基片;一在所述基片上形成的光波导;一组具有沿自发极化相反方向的畴域的畴反向区域;以及一个形成在所述光波导上的第一电极和形成在所述基片上的光波导右边和左边的第二和第三电极,其中如果将一预定电压施加到第一电极,光波根据所述光波导中的畴反向区域的折射率和所述自发极化区域折射率的变化在畴反向区域折射和散射。

    光纤无源校准装置及校准方法

    公开(公告)号:CN1204777A

    公开(公告)日:1999-01-13

    申请号:CN98102700.8

    申请日:1998-07-02

    Abstract: 一种光纤无源校准装置及其方法,用以无源校准集成光学装置的光纤和输入/输出光波导,该装置包括:沿平面基片纵向在平面基片上形成光波导,光波导的芯子比平面的基片要短;沿平面的基片的纵向在平面基片上形成预定长度的光纤安装部分,以使光波导和光纤彼此接触,用以接收光纤;及向位于光纤安装部分和光波导的芯子之间的空腔充填随紫外线辐射其折射率增加的材料以使材料的折射率和光纤的芯子的折射率没有明显不同。

    具有纳米光子透镜阵列的图像传感器及包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN120051024A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202411444402.0

    申请日:2024-10-16

    Abstract: 提供了一种图像传感器,包括:传感器基板,包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素;以及纳米光子透镜阵列,包括第一元区域、第二元区域、第三元区域和第四元区域,其中,第一元区域至第四元区域中的每一个包括多个纳米结构,第一元区域包括在垂直于第一方向的第二方向上距水平中心线不同距离处的多个对,每个对具有在第一方向上对称的两个纳米结构,该水平中心线沿第一方向穿过第一元区域的中心,并且在第二方向上朝向水平中心线的方向上,两个对称纳米结构之间在第一方向上的间隔增加,并且在第二方向上远离水平中心线的方向上,两个对称纳米结构之间在第一方向上的间隔减小。

    图像传感器及包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN118352368A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202311769423.5

    申请日:2023-12-20

    Abstract: 一种图像传感器,包括:传感器基板,包括均检测绿光的第一像素和第四像素、检测蓝光的第二像素、以及检测红光的第三像素;以及颜色分离透镜阵列,被配置为根据波长分离入射光,并将入射光会聚到第一像素至第四像素上。颜色分离透镜阵列包括分别面向第一像素至第四像素的第一像素对应区域、第二像素对应区域、第三像素对应区域和第四像素对应区域,并且第一像素对应区域至第四像素对应区域分别包括在第一像素对应区域至第四像素对应区域中布置为不同布置图案的多个第一纳米柱至多个第四纳米柱。

    图像传感器和包括其的电子设备
    78.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116190396A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202211442601.9

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 一种图像传感器,包括:传感器衬底,包括被配置为感测第一波长的光的多个第一像素和被配置为感测第二波长的光的多个第二像素;以及设置在传感器衬底上的抗反射元件,其中所述抗反射元件包括多个低折射率图案和设置在所述多个低折射率图案和所述传感器衬底之间的高折射率层。

    包括分色透镜阵列的图像传感器和包括图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN114447008A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111224243.X

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 一种图像传感器,包括:传感器基板,包括第一像素和第二像素;以及分色透镜阵列,用于通过改变入射光中包括的第一波长的光的相位使所述第一波长的光会聚到第一像素上,其中,所述传感器基板还包括:有效像素区域,用于输出用于图像生成的像素信号;第一虚设像素区域,布置在所述有效像素区域的外部并且输出用于辅助所述图像生成的像素信号;以及第二虚设像素区域,布置在所述第一虚设像素区域的外部并且不输出像素信号。

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