公开(公告)号：CN109417037B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201780040595.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 谷川幸登 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C01G55/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02

Abstract: 本申请提供了具有良好的p‑型半导体特性的新型且有用的氧化物半导体膜，以及制造该氧化物半导体膜的方法。根据本发明，通过使包含周期表第9族金属(铑、铱或钴等)和/或周期表第13族金属(铟、铝或镓等)以及p‑型掺杂剂(镁等)的原料溶液雾化形成喷雾；随后，利用载气将喷雾运载至基材表面附近；之后在氧气气氛下在基材表面附近通过使喷雾发生热反应，在该基材上形成氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN111384158B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201911364732.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L23/367 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN110870079B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201880045648.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勲 ,  神原仁志 ,  四戸孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。

公开(公告)号：CN111357119B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201880074220.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  杉本雅裕 ,  四户孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，其可以减小反向的漏电流，而且例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，能够不使半导体特性恶化且实现优良的半导体特性。一种半导体装置，至少包括n型半导体层，具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如为α‑Ga2O3等)作为主成分；以及电场屏蔽层和闸电极，分别直接或隔着其他层被层叠于该n型半导体层上，其中，该电场屏蔽层包含p型氧化物半导体，而且该电场屏蔽层比该闸电极更深地埋入于该n型半导体层中。

公开(公告)号：CN116575119A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310090773.2

申请日：2023-02-09

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 四户孝 ,  安藤裕之 ,  樋口安史 ,  松田慎平 ,  谷口和也 ,  渡边弘纪 ,  松木英夫

IPC: C30B29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B29/22 ,  C30B29/20 ,  C30B25/00 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜，以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

公开(公告)号：CN115101587A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210758521.8

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B28/14 ,  C30B29/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。

公开(公告)号：CN110952077B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201911347903.6

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/18

Abstract: 提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN115023816A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180011241.4

申请日：2021-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 大岛孝仁

IPC: H01L29/872 ,  C30B25/04 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  C30B29/16 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40

Abstract: 一种半导体装置，包含：半导体膜，包含肖特基结区域和欧姆结区域；肖特基电极，配置在所述半导体膜的所述肖特基结区域上；以及欧姆电极，配置在所述欧姆结区域上，所述半导体装置的特征在于，所述半导体膜的肖特基结区域的位错密度比所述半导体膜的欧姆结区域的位错密度小。

公开(公告)号：CN114402437A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064671.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN113113482A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110025009.8

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种对半导体元件有用的晶体及电气特性优异的半导体元件。使用一种晶体制作半导体元件，所述晶体具有刚玉结构，且包括结晶性氧化物作为主成分，所述结晶性氧化物含有镓或/和铟，其特征在于，所述结晶性氧化物进一步包括元素周期表第4族金属，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置构筑半导体系统。