公开(公告)号：CN106629793A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611018417.6

申请日：2016-11-18

Applicant: 常州大学

Inventor： 陈若愚 ,  季子涵 ,  王红宁 ,  钟璟 ,  刘小华

IPC: C01F5/28 ,  C03C17/25 ,  C03C17/42

CPC classification number: C01F5/28 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C03C17/25 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/29 ,  C03C2217/73 ,  C03C2218/111

Abstract: 本发明属于无机材料制备领域，特别涉及一种空心棒状MgF2粒子的制备方法及其在自清洁减反膜中的应用，利用该空心棒状MgF2粒子与SiO2粒子复合后，提拉‑浸渍法镀制一层薄膜，经250℃烘干后得到具有超疏水性的、可见光范围内最高透光率可达97％以上的自清洁减反膜。

公开(公告)号：CN105776259A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610073771.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 白银晶科新材料有限责任公司

Inventor： 杨松涛 ,  徐玉江 ,  郭云 ,  胡征

IPC: C01F5/28

CPC classification number: C01F5/28 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明涉及一种紫外级单晶生长用高纯度氟化镁多晶的生产方法，包括以下步骤：⑴制备高纯度氟化镁粉体材料；⑵采用两高石墨按常规工艺制成石墨坩埚；⑶对高纯度氟化镁粉体材料进行预压制；⑷压制后的高纯度氟化镁块状材料放入石墨坩埚中，并一同放入加热炉中加热，得到氟化镁块状材料；⑸在温度为400℃~1300℃的条件下加热后，待物料随炉自然冷却后取出，即得纯度≥99.99%的氟化镁多晶。本发明以七水硫酸镁为原料，氨水为沉淀剂，合成了高纯度氢氧化镁粉体前驱体，氟素化反应后得到高纯度氟化镁粉体，有效降低了杂质含量，从而解决了现有技术中氟化镁因杂质Al、Ca、Fe、Mn、Ni、Zn含量较多而导致的纯度不高的问题。

公开(公告)号：CN103059056B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210427402.0

申请日：2012-11-01

Applicant: 云天化集团有限责任公司 ,  云南省化工研究院

Inventor： 黄忠 ,  田强 ,  梁雪松 ,  李玉叶

IPC: C07F7/04 ,  C01F5/28

Abstract: 本发明涉及化工技术领域，特别涉及一种利用四氟化硅、甲醇和镁反应制备硅酸甲酯和氟化镁的方法，包括如下几个步骤：a.将甲醇和镁粉加入到反应釜中；b.将反应体系的温度升高至预定温度反应；c.反应完毕后，降温，将配置好的四氟化硅的甲醇溶液加入到反应釜中，直至反应体系呈中性；d.过滤将固液进行分离；e.将步骤d得到的固体用甲醇进行清洗、干燥得到目标产物氟化镁；f.将步骤d得到的滤液进行蒸馏除去甲醇，得到高沸点的硅酸甲酯。本发明是一种能高效地利用磷肥生产副产物四氟化硅的方法。

公开(公告)号：CN103482661B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310461932.1

申请日：2013-09-30

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 李瑛 ,  唐浩东 ,  牛怀成 ,  李雨臻 ,  韩文锋 ,  刘化章

IPC: C01F5/28 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种高比表面积的纳米氟化镁的合成方法，包括如下步骤：（1）将镁盐完全溶解在去离子水中，得到反应液A，其中镁盐为乙酸镁、氯化镁、硝酸镁中的一种或任意几种的组合；将铵盐完全溶解在去离子水中，得到反应液B，其中铵盐为氟化铵或者氟化铵与乙酸铵的组合；（2）在搅拌下使反应液A和反应液B混合，进行反应；（3）待反应完全，停止搅拌，静置老化；（4）老化结束，过滤或离心分离，干燥；（5）将干燥好的样品进行焙烧即得纳米氟化镁。本发明制得的纳米氟化镁具有高比表面积，所述合成方法简单、生产成本低、制备周期短、易于操作和控制、对装置腐蚀性小。

公开(公告)号：CN103153862B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180047100.4

申请日：2011-09-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 龟野优 ,  大金政信 ,  寺本洋二

IPC: C01F5/28 ,  G02B1/11 ,  C09D7/12

CPC classification number: G02B1/11 ,  B82Y30/00 ,  C01F5/28 ,  C01P2004/34 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/60 ,  C09D5/006 ,  C09D7/70 ,  G02B1/113 ,  Y10T428/268 ,  Y10T428/29

Abstract: 本发明提供通过在由疏水性溶剂、亲水性溶剂和表面活性剂组成的胶束的界面进行聚合来制备中空氟化镁颗粒的方法。本发明还提供减反射涂层，由于由中空氟化镁颗粒形成的涂层而具有低折射率，并且还提供涂布有该减反射涂层的光学器件和具有该光学器件的成像光学系统。该方法中，胶束由疏水性溶剂、亲水性溶剂和表面活性剂形成，然后将氟化合物和镁化合物溶解在该胶束溶液中以在该胶束的界面聚合氟化镁。

公开(公告)号：CN103059057B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210427565.9

申请日：2012-11-01

Applicant: 云天化集团有限责任公司 ,  云南省化工研究院

Inventor： 黄忠 ,  李玉叶 ,  梁雪松 ,  田强

IPC: C07F7/04 ,  C01F5/28

Abstract: 本发明涉及化工技术领域，特别涉及一种利用四氟化硅、乙醇和镁反应制备硅酸乙酯和氟化镁的方法，包括如下几个步骤：a.将乙醇和镁粉加入到反应釜中；b.将反应体系的温度升高至预定温度反应；c.反应完毕后，降温，将配置好的四氟化硅的乙醇溶液加入到反应釜中，直至反应体系呈中性；d.过滤将固液进行分离；e.将步骤d得到的固体用乙醇进行清洗、干燥得到目标产物氟化镁；f.将步骤d得到的滤液进行蒸馏除去乙醇，得到高沸点的硅酸乙酯。本发明是一种能高效地利用磷肥生产副产物四氟化硅的方法。

公开(公告)号：CN104271509A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380022702.3

申请日：2013-05-27

Applicant: 斯泰拉化工公司

Inventor： 薮根辰弘 ,  富崎惠 ,  里家正规 ,  鹰取浩明

IPC: C01F5/28 ,  C01B9/08 ,  C01B33/107 ,  G02B1/11

CPC classification number: C01F5/28 ,  C01B33/107 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/60 ,  C09D1/00 ,  G02B1/002 ,  G02B1/113 ,  G02B2207/107 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/2982 ,  C01B9/08

Abstract: 本发明的氟化镁颗粒是含有至少一个氟化镁微粒的氟化镁颗粒，所述至少一个氟化镁微粒的每个都具有对被承载体进行承载的细孔。而且，所述至少一个氟化镁微粒是多个微粒，所述多个微粒中彼此相邻的微粒之间存在粒界空隙状细孔，粒界空隙状细孔是对所述被承载体进行承载的间隙。

公开(公告)号：CN103153862A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180047100.4

申请日：2011-09-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 龟野优 ,  大金政信 ,  寺本洋二

IPC: C01F5/28 ,  G02B1/11 ,  C09D7/12

CPC classification number: G02B1/11 ,  B82Y30/00 ,  C01F5/28 ,  C01P2004/34 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/60 ,  C09D5/006 ,  C09D7/70 ,  G02B1/113 ,  Y10T428/268 ,  Y10T428/29

Abstract: 本发明提供通过在由疏水性溶剂、亲水性溶剂和表面活性剂组成的胶束的界面进行聚合来制备中空氟化镁颗粒的方法。本发明还提供减反射涂层，由于由中空氟化镁颗粒形成的涂层而具有低折射率，并且还提供涂布有该减反射涂层的光学器件和具有该光学器件的成像光学系统。该方法中，胶束由疏水性溶剂、亲水性溶剂和表面活性剂形成，然后将氟化合物和镁化合物溶解在该胶束溶液中以在该胶束的界面聚合氟化镁。

公开(公告)号：CN101850995B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010202805.6

申请日：2010-06-18

Applicant: 承德创为光电材料有限公司

Inventor： 吴为民 ,  王红霞

IPC: C01F5/28

Abstract: 本发明公开了一种液态结晶法制备5～20mm多晶高纯氟化镁的工艺，其采用将碳酸镁(Mg2CO3)加入到氢氟酸(HF)中的方式氟化生成水合氟化镁微晶，然后先使水合氟化镁微晶进行单晶生长、再移入多晶生成器中进行多晶生长、最后移入直筒式三温区烧结炉中烧结，冷却后即得到多晶高纯氟化镁。本发明工艺采用单晶和多晶生长过程取代现有工艺中先洗涤再干燥以及机械压制和造粒的步骤，无需加入保护气体，自然形成结晶水含量和氧化镁含量均极低的多晶高纯氟化镁，既减少污染又降低成本，产品纯度高达99.99％，并且晶体透过率高，镀膜时产生的崩点少投入产出比提高。

公开(公告)号：CN102674410A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110056251.8

申请日：2011-03-09

Applicant: 多氟多化工股份有限公司

Inventor： 侯红军 ,  杨华春 ,  薛旭金 ,  于贺华 ,  张辉 ,  常运昌 ,  王建萍 ,  马小芬 ,  孙新建 ,  张凯

IPC: C01F5/28

Abstract: 本发明公开了一种高纯氟化镁晶体的生产方法，包括以下步骤：（1）将碳酸镁与水混合，搅拌，配制成碳酸镁悬浮液，向该碳酸镁悬浮液中通入CO2气体进行碳化，得反应液A；（2）将氟硅酸氨解，制得氟化铵溶液或氟化氢铵溶液；（3）将反应液A与氟化铵溶液或氟化氢铵溶液混合，反应得到高纯氟化镁料浆，反应过程中生成的CO2气体经收集后返回用于碳化反应，反应过程中生成的氨气经收集后使用；（4）高纯氟化镁料浆经过滤，滤液返回用于配制碳酸镁悬浮液，滤饼为高纯氟化镁软膏，滤饼经洗涤、干燥，烧结，得高纯氟化镁晶体。本发明具有较好的经济效益、社会效益和环保效益，适合推广应用。