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公开(公告)号：CN113437189A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110596386.7
申请日：2021-05-30
Abstract: 本发明涉及一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法，该结构包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的隔离区域，所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层和公共n接触电极，以及各个纳米LED发光像元独立的多量子阱、p型半导体层和p接触电极，所述多量子阱、p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上，所述公共n接触电极从n型半导体层引出，所述像元与像元独立部分之间的隔离区域包括为使其不能发光而被破坏的多量子阱结构，以及具有高电阻率的p型半导体层。该结构及其制备方法简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
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公开(公告)号：CN113409721A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110428676.0
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/32 , G09G3/34 , G09G3/3225
Abstract: 本发明提供了一种发光器件电场驱动调制装置，其特征在于，包括发光器件、绝缘层、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极；所述第一驱动电极与调制电极位于发光器件的一侧，所述第二驱动电极位于发光器件的另一侧；所述发光器件、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极相互之间设有所述绝缘层；其中，向驱动电极施加驱动信号为所述发光器件的发光提供能量，向调制电极施加调制信号在所述发光器件周围形成调制电场；通过施加电信号于驱动电极和调制电极形成不同电场耦合方式，对所述发光器件进行驱动调制。本发明有利于缩小发光像元尺寸，降低器件制备复杂度。
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公开(公告)号：CN113219561A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110391730.9
申请日：2021-04-13
IPC: G02B3/00 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/1341 , G02F1/1343
Abstract: 本发明提出一种大景深复合微透镜及其制作方法，包括：微透镜阵列、液晶盒和电压驱动模块：所述液晶盒包括：可透光的第一基板和第二基板，设置于第一基板表面的第一电极，设置于第二基板表面的第二电极，以及设置第一基板和第二基板之间的液晶层、隔离子和取向层；所述微透镜阵列由若干个周期性排列的不同焦距的微透镜组成，并位于第一基板外表面；所述第一电极为包含M行×N列个同心圆孔的面电极，且每个同心圆孔电极的中心与每个微透镜中心重合；所述第二电极为平面电极；所述电压驱动模块用于在所述第一电极和所述第二电极之间施加工作电压。本发明操作简单，成本低，有效解决了现有技术中传统单一微透镜阵列的景深范围有限的问题。
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公开(公告)号：CN111724699B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010536411.8
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au‑In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN112904621A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110108677.7
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112817213A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106957.4
申请日：2021-01-27
IPC: G03F7/20 , G09F9/33 , G09F9/302 , H01L21/67 , H01L25/00 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED制备系统，包括显影机、刻蚀机、光源模组，还包括在光源模组发光方向上顺序设置的掩膜版和覆有光刻胶的阵列基板；光源模组包括四组光源，每组光源对应显示像素内的一个子像素结构，掩膜版包括多个透光区，每个透光区的中心在阵列基板上的投影均位于与该透光区相对应的子像素结构的中心；当对光刻胶曝光时，四组光源同时透过掩膜版透光区对子像素结构处的光刻胶进行曝光，各组光源的曝光光照强度、曝光光照时长根据与该光源对应的子像素结构需填充的量子点胶体体积决定；显影机、刻蚀机对曝光后的阵列基板进行后续加工以使储液槽成型；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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公开(公告)号：CN112799158A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110106862.2
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种基于光波导的类谐振腔光提取结构，用于提升光源的光出射效率，所述类谐振腔光提取结构包括设于光出射面处的透光衬底；所述透光衬底处周期性地设有多个波纹结构；所述波纹结构的受光面与透光的波导阵列相邻；所述波导阵列嵌于透光衬底处，波导阵列包括多个设于波纹结构的波峰后方的凸形透光结构；当光线在波纹结构的波峰处产生反射时，反射光线的部分或全部可再次被凸形透光结构反射回波纹结构；本发明能提升OLED的光出射效率。
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公开(公告)号：CN111769054A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010535346.7
申请日：2020-06-12
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L27/15
Abstract: 本发明涉及一种彩色μLED巨量转移方法。在不同发光颜色μLED芯片上表面修饰不同的抗体分子，在转移过渡基板或驱动背板修饰相应抗原分子，利用抗原抗体反应的特异性，将不同颜色μLED芯片同时批量转移到转移过渡基板或驱动背板，最后，将装载板上的彩色μLED芯片阵列批量转移至对应驱动背板进行焊接和封装。本发明方法可以精准实现不同发光颜色的μLED芯片的同时巨量转移，简化转移工艺，提高转移效率，同时降低μLED显示屏的生产成本。
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公开(公告)号：CN112782901B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110114259.9
申请日：2021-01-28
IPC: G02F1/167 , G02F1/1675 , G02F1/1685 , G06F3/041 , G06F3/047
Abstract: 本发明涉及一种自供电非易失性显示装置。包括：第一绝缘层，置于第一绝缘层上的电极层，第二透明绝缘层，以及书写工具和擦除工具，在电极层和第二绝缘层之间填充的具有非易失性双稳态特性的显示介质，在电极层和第二透明绝缘层之间填充有隔离层。利用书写工具在第二透明绝缘层表面绘制图案，从而在书写工具划过的地方形成图形化分布的静电，形成局部电场驱动具有非易失性双稳态特性的显示介质，最终显示出该图案；利用擦除工具在第二透明绝缘层表面擦涂，消除所述局部电场，从而擦除已经显示的图案。本发明可应用于画图板、展示牌、广告牌、黑板等原型以传统纸张、油墨、碳粉、粉笔等为材料的显示领域，具有可重复使用与节能环保优点。
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公开(公告)号：CN113471091B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110532053.8
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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