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公开(公告)号：CN102904565B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210380992.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。
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公开(公告)号：CN103023318B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210434696.X
申请日：2012-11-02
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5；功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS M6和第三电容C6。本发明的电路只需几百pF稳压电容，具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点，特别适于高压芯片电路的设计。
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公开(公告)号：CN102014565B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010612928.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 长安大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/48
Abstract: 本发明公开了一种大功率白光LED的智能控制器及控制方法，涉及照明电子技术领域。智能控制器包括检测单元和控制单元，检测单元与控制单元连接，控制单元与大功率白光LED的驱动电路相连。控制方法如下：智能控制器初始化；环境光传感器、温度传感器采集环境温度、照度信息并发送给控制单元；控制单元实时接收外部环境的温度、照度信息，将接收到的信息根据设定的模糊控制程序进行处理，并依处理结果控制大功率白光LED的工作状态。本发明实现了大功率白光LED随外部环境变化智能调节其亮度，适应不同环境的需要，减少大功率白光LED的能量损耗，控制其工作温度，提高大功率白光LED照明设备的工作稳定性和灵活性，延长其使用寿命。
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公开(公告)号：CN102904565A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210380992.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。
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公开(公告)号：CN203826386U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420147589.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205160484U
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201521031682.9
申请日：2015-12-11
Applicant: 长安大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本实用新型公开了一种负载阻抗匹配装置，属于阻抗匹配领域。所述实用新型包括声表面波器件适配座，在其一端连接有端口一匹配电路单元，在其另一端连接有端口二匹配电路单元，端口一匹配电路单元与第一接头相连，在端口二匹配电路单元与第二接头相连。本实用新型通过该装置中四个单刀双掷开关状态的调节，分别构成与待测声表面波器件对应的未匹配通道及匹配通道，从而使待测声表面波器件一步完成负载阻抗匹配。相对于现有技术，避免了在整个过程中对多个硬件进行拆卸这一情况的发生，并且可以针对两个端口分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络，灵活处理使两端口同时达到阻抗匹配中心点，减少传输线上的反射波，提高了声表面波信号的传输效率和质量。
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公开(公告)号：CN204116496U
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201420588486.0
申请日：2014-10-11
Applicant: 长安大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型属于声表面波器件测试技术领域，公开了一种声表面波器件测试装置，包括矢量网络分析仪和BNC连接组件，其特征在于，还包括测试校准装置，所述BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试校准装置相连接；本实用新型利用BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试器件直接连接，减小了器件测试结果的误差，节省了成本；通过双刀双掷开关选择校准端口，实现了对校准类型的选择，可根据需要开启和关闭相应的开关来选择所需的校准类型，解决了现有技术的一次校准将需多次装卸套件导致的不方便操作以及效率低的问题。
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公开(公告)号：CN204408184U
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201420821386.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 长安大学
IPC: H02M1/32
Abstract: 本实用新型针对现有Boost电路中启动时浪涌电流对主开关管Q2、同步功率管Q1以及对输出端设备的存在损坏的风险，提出一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，包括电流与电压检测单元，限流单元和同步功率管Q1，电流与电压检测单元用于检测同步功率管Q1的输出电压VOUT与输入电压VIN之间的压差，并将检测结果欠压控制信号VUVLO输送至限流单元和逻辑控制电路里；该电路能够实现对同步功率管Q1电流的限制的功能，本实用新型的整个电路结构简洁、精度高、响应快速，能提高系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN204165964U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420644102.2
申请日：2014-10-30
Applicant: 长安大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本实用新型公开了一种用于标定气体传感器的装置，包括安装在底板上的恒温机构，底板上还设置有使得液体蒸发的蒸发片；底板上还设置有混气风扇；底板上设置有一圈能够将恒温机构、蒸发片和混气风扇圈在里面的密封槽，密封槽上盖有一个密封罩，密封罩和底板形成一个用于标定气体传感器的密封的气室。混气风扇位于蒸发片正前方，加速液体的蒸发，促进气体的交换，使气体快速达到均衡稳定；蒸发片与注入孔结合起来，实现在内部环境里液体到气体的转换，减少外围辅助设备转换带来的影响；恒温机构位于气体传感器下方，可以快速实现传感器局部小范围的温度精确控制。
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公开(公告)号：CN203826387U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420148966.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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