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公开(公告)号:CN108490375A
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201810429272.1
申请日:2018-04-24
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: G01R33/032 , G01R33/12
Abstract: 本发明涉及材料表面磁性测量领域,一种样品磁性的原位测量方法,测量装置包括光源、非球面镜I、非球面镜II、视场光阑、偏振器、非球面镜III、半透明反射镜、物镜、激光器、样品、样品台、衬底、步进电机、斜面台、顶针、磁体、狭缝光阑、光电探测器I、补偿器、检偏器、非球面镜IV、光电探测器II,无需光阑狭缝来改变样品上的照亮区域,来测量不同方向克尔灵敏度,减小了实验中的机械不稳定性,通过调整开启LED灯的数量和持续时间,调整不同方向的入射光强并根据获得的图像质量实时地调整入射光强度,得到分辨率较好的图像,特别是对某些磁畴磁化方向较为复杂的磁性样品,通过对样品背面施加应力的方法,能够原位研究样品的磁致弹性特性。
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公开(公告)号:CN108362765A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201810429228.0
申请日:2018-04-24
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: G01N27/72
Abstract: 本发明涉及材料表面磁性测量领域,一种具有灵敏度选择功能的克尔显微镜,包括光源、非球面镜I、非球面镜II、视场光阑、偏振器、非球面镜III、半透明反射镜、物镜、样品、样品台、磁体、旋转台、补偿器、检偏器、非球面镜IV、光电探测器、锁相放大器、步进电机、计算机,光源、非球面镜I、非球面镜II、视场光阑、偏振器、非球面镜III、半透明反射镜、物镜依次组成照明光路,物镜、半透明反射镜、补偿器、检偏器、非球面镜IV依次组成成像光路,本发明在宽场磁光克尔显微镜中实现了克尔对比度的分离和增强,能够得到任何样品的表面磁化的三维矢量图,并在观测样品中磁畴的实验中抑制了棱镜中的寄生法拉第效应的贡献,增加了对比度和信噪比。
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公开(公告)号:CN107026583B
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201710234433.7
申请日:2017-04-02
Applicant: 金华职业技术学院
Abstract: 本发明涉及原子物理领域和测控技术领域,一种原子束流控制装置,主要包括挡板、固定螺栓、旋转连接件、旋转轴、双向弯曲型压电陶瓷管、夹具、电极,所述旋转连接件为特氟龙材料,所述挡板和所述旋转连接件组成旋转臂,挡板的末端为直径8毫米的圆,所述旋转连接件连接所述双向弯曲型压电陶瓷管,双向弯曲型压电陶瓷管长度40毫米且后端连接有所述夹具、电极,电极加电压后,使所述双向弯曲型压电陶瓷管产生位移,所述旋转连接件能够将所述双向弯曲型压电陶瓷管的摆动转换为所述挡板的旋转;旋转连接件具有三个相同的深2.5毫米、宽0.5至0.6毫米的插槽,所述双向弯曲型压电陶瓷管插入中间的所述插槽,所述旋转连接件和挡板总重量1.30克。
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公开(公告)号:CN107389498A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710589542.0
申请日:2017-07-07
Applicant: 金华职业技术学院
Abstract: 本发明涉及气体透过率测试领域,一种测量甲烷透过率的方法,开启气动阀,将样品架取至传样腔,开启阀I和阀II,真空泵对装置抽真空;关闭气动阀、阀I,打开氦气微漏装置,使氦气以恒定漏率经过闸板阀后进入测试腔,开启质谱,开始校准过程;待系统稳定后,得到真空度与氦气漏率之间的关系曲线、以及氦气分压与氦气漏率之间的关系曲线;测量高压区域的氦气分压和测试区域的氦气分压,并由上述已知的一定漏率条件下氦气分压,来估计泻流;计算氦原子在单位时间内与单位面积表面的碰撞率;关闭氦气微漏装置、阀II,将样品架取至测试腔,开启储气罐、阀I,对甲烷进行透过率测试,并得到高压区域和测试区域的甲烷分压;计算甲烷在样品中透过率。
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公开(公告)号:CN107367440A
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:CN201710506863.X
申请日:2017-06-19
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: G01N7/04
CPC classification number: G01N7/04
Abstract: 本发明涉及吸附材料性能测试领域,一种用于乙炔吸附测量的方法,将经过干燥去气处理的纳米材料样品放入样品腔;开启真空泵、电磁阀对装置真空脱气;高纯氮气充入参考腔、样品腔以及装置真空系统内的其他区域,记录相关数据;通过质量流量控制器数据确定进入装置真空系统的气体摩尔数,并计算流过质量流量控制器的气体体积;开启真空泵、电磁阀抽出装置内氮气;乙炔气体充入参考腔;参考腔中乙炔气体膨胀进入所述样品腔,记录气压计及热偶读数;开启真空泵、电磁阀抽出装置内乙炔气体;记录每一个平衡态气压下的气压计及热偶读数;计算气体吸附量,以摩尔数表示;将所得的每一个平衡态气压下气体吸附量数据点画成曲线,就得到吸附等温线。
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公开(公告)号:CN107290639A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201710451586.7
申请日:2017-06-08
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2635
Abstract: 本发明涉及光学测量领域,一种测量光电二极管响应的线性度的方法,光源供电设置:每一步中的待测光电二极管光电流是上一步中的两倍,从较低电流开始,第n步中,光源供电电流IA(n)=IB(n)=IAB(n-1);记录待测光电二极管光电流IA和IB分别相对于光源I和光源II供电电流的关系,从小到大扫描调节每个光源供电电流值;在第n步中测量的线性度定义为 将光源I与光源II在暗箱上的位置互换,重复测量线性度和 之间差异为光源I和光源II的辐射功率在测量过程中产生的漂移变化,通过等式所得结果消除光源功率漂移对线性度测量影响;得到一组平均线性度r(1)、r(2)、…、r(n)。
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公开(公告)号:CN107219149A
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201710589541.6
申请日:2017-07-07
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: G01N7/10
CPC classification number: G01N7/10
Abstract: 本发明涉及气体透过率测试领域,一种测量一氧化碳透过率的装置,包括储气罐I、储气罐II、气压计、阀I、阀II、流导单元、传样腔、传样杆、气动阀、高压区域、样品、样品架、测试区域、质谱、测试腔、真空泵及气管,高压区域、样品、样品架、测试区域均位于测试腔内,样品架能够将测试腔隔开为高压区域和测试区域,流导单元内部为具有多孔材料,在特定的温度条件下某种气体在通过所述流导单元时都有特定的分子流导,通过所述流导单元的分子流具有的特性是,分子流导在不同的气压条件下保持不变,分子流导与气体分子质量的开方的倒数成正比,分子流导与温度的开方成正比,高压区域和所述测试区域内均安装有残余气体分析仪,用于测量气体分压。
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公开(公告)号:CN107167399A
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201710589445.1
申请日:2017-07-07
Applicant: 金华职业技术学院
Abstract: 本发明涉及气体透过率测试领域,一种测量甲烷透过率的装置,包括氦气微漏装置、储气罐、气压计、阀I、阀II、闸板阀、传样腔、传样杆、气动阀、高压区域、样品、样品架、测试区域、质谱、测试腔、真空泵及气管,高压区域、样品、样品架、测试区域均位于测试腔内,所述氦气微漏装置在一定温度下氦气的漏率是可控的,并已经过校准,所述高压区域和所述测试区域内均安装有残余气体分析仪,用于测量气体分压;所述闸板阀内部具有多块挡板,不同挡板上各具有一个不同尺寸的孔,能够在不破坏真空环境的条件下,用所述不同的挡板阻挡装置中气路,以改变气路的横截面积,使得对于不同的气体,在不同的气压条件下气流都能达到稳定,提高测量精度。
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公开(公告)号:CN107132181A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710280321.5
申请日:2017-04-17
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: G01N19/02
CPC classification number: G01N19/02
Abstract: 本发明涉及摩擦学领域,一种研究单分子层的摩擦学的方法,球面压头施压样品,力探测器测量法向负载;激光束由分光器1分为两束激光,一束激光经距离L直接照射于样品,另一束激光经距离a经平面镜I反射后照射于样品,两束激光呈θ角,样品发出光依次经分光器II、快门I、滤光片后进入光电倍增管;调a和L、角θ,改变样品干涉条纹间距i;普克尔盒及快门II使激光产生一个小于1秒极短的满强度脉冲,对亮条纹处的荧光标记相应种类分子进行光脱色,之后激光器连续发射激光以探测样品表面荧光变化;位移台对平面镜I进行位置调制,改变样品表面干涉条纹位置;力探测器测量样品表面切向力;摄像头原位监测样品接触区域面积A,得到
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公开(公告)号:CN107121649A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201710238854.7
申请日:2017-03-29
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: G01R33/12
CPC classification number: G01R33/1276
Abstract: 本发明涉及微纳系统和磁探测领域,一种使用磁强计测量磁性分子团簇磁矩的方法,通过亥姆霍兹线圈来产生Z轴方向的均匀外磁场Bz0;激光器发出一束激光照射在所述微型反射器上,反射光再依次通过平面镜、透镜进入四象限光电探测器,信号输入测量系统处理后,得到力感应器在Z轴方向的位置信息;调节微位移平台使力感应器移动,将微型开口环置于待测的磁性分子团簇上方一定距离z0处且磁性分子团簇位于微型开口环之中,通过控制系统对力感应器加电流I,微型开口环与磁性分子团簇之间的磁力使力感应器形变而产生与其原位置的偏差zc;力感应器在Z轴方向移动并在不同z0条件下测量,控制系统通过以下公式计算出磁矩
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