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公开(公告)号:CN101844804B
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201010176281.8
申请日:2010-05-19
Applicant: 西南交通大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 一种晶化TiO2纳米管阵列的制备方法,其具体作法是:将钛片放入丙酮中进行30-40分钟的超声清洗,风干后,将钛片放入含浓硫酸25-28ml/L,氢氟酸12-15ml/L,冰乙酸50-65ml/L的水溶液中;以10-15v的恒流直流电在室温下进行电化学抛光,抛光8-20分钟;然后将抛光过的钛片放入重量体积浓度为0.05-1%的氟化铵的乙二醇溶液中进行阳极氧化,阳极氧化时使用的阴极为铂片,电压60v,反应时间8-12小时;将所得的TiO2纳米管阵列置于水中,在50℃水热反应釜中保温12-16h,即得。该方法设备简单,能耗低,适合大规模生产;同时用该法制备的TiO2纳米阵列具有纯锐钛矿相。
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公开(公告)号:CN102427096A
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN201110342504.8
申请日:2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其作法是:以钛箔为阳极,铂为阴极,对钛箔进行氧化,得非晶态TiO2纳米管阵列;经处理后,得TiO2纳米管阵列;将钛箔置于高温反应釜内,再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜,热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列;在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO,引出电极,在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极,将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低,工艺、设备简单;制得物适用光谱范围大,适合做光谱分析;还可以做光敏开关等光电器件,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN102418130A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201110342131.4
申请日:2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种网格状CuxS/Cu2O,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法,具体作法是:将方块面电阻为10-14欧的FTO,依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净,晾干;取含CuSO4和乳酸的混合溶液,以FTO为工作电极,铂片为对电极,采用电压法沉积;沉积后取出FTO,清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO;再将其放入Na2S溶液中处理,清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单,能耗低,适合大规模生产;制得物对太阳光吸收波长范围宽,作为太阳能电池材料具有应用前景;可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物,作为太阳能电池材料。
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公开(公告)号:CN102363893A
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN201110341451.8
申请日:2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: C25D9/04
Abstract: 一种同步合成两种ZnO纳米结构的方法,其具体作法是:将方块面电阻为10-14欧的掺杂氟的SnO2透明导电玻璃,依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净,晾干;采用三电极电解池体系,铂片为辅助电极,饱和甘汞电极为参比电极,掺杂氟的SnO2透明导电玻璃为工作电极,电解液为Zn(NO3)2和KCl的浓度均为0.3M的混合液;电解池敞开下沉积1.3-1.5小时,沉积温度70℃,电压为-1.0V;沉积后,液面下的黑色沉积物为ZnO镂空纳米片,液面上的白色沉积物为ZnO纳米棒。该方法可同时获得ZnO镂空纳米片和纳米棒两种不同形貌的ZnO纳米结构,其方法简单、节能,操作容易,成本低,且制备物纯度高。
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公开(公告)号:CN101814602B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201010181457.9
申请日:2010-05-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种用作镍/锌电池负极材料的纳米花形硫酸氢氧锌的制备方法,其具体作法是:a、配制混合溶液配制硫代硫酸钠的浓度为0.02-0.095mol/L、六水合硝酸锌的浓度为0.00625-0.0125mol/L、六次甲基四胺的浓度为0.00625-0.0125mol/L的混合溶液;b、静置将混合溶液静置12-31天,即形成花形纳米结构的硫酸氢氧锌沉淀;c、烘干将b步的沉淀于60-80℃条件下烘干,即可。该种方法制备的硫酸氢氧锌具有纳米花形结构,用作镍/锌电池负极材料,可提高电池的稳定性和效率。
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公开(公告)号:CN102024573A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN201010594692.9
申请日:2010-12-18
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种PbS量子点敏化ZnO纳米片光阳极的制备方法,其具体作法是:在掺杂氟的SnO2导电玻璃上通过电沉积方法制备出ZnO纳米片,然后将制得的ZnO纳米片依次浸泡在0.1-0.15M的Pb(NO3)2溶液、去离子水、0.1-0.15M的Na2S溶液、去离子水中各40s、20s、10s、40s作为一次循环;经过8-15次循环浸泡后,用去离子冲洗3遍、烘干即得。该方法设备简单,合成步骤少,操作简单,能耗低,适合大规模生产;同时用该法制备的PbS量子点敏化ZnO纳米片光阳极还有很大的吸附空间,可以用其它半导体量子点进一步进行敏化,光电性能好。
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公开(公告)号:CN101811673A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN201010181055.9
申请日:2010-05-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种树枝状硫纳米结构的制备方法,其具体作法是:a、配制五水硫代硫酸钠的浓度为0.1-0.125mol/L、六水合硝酸锌、六次甲基四胺浓度相同且范围为0.00625-0.007mol/L的混合溶液;b、取混合溶液于100-150℃下保温2-2.5小时;c、将b步反应后所得的溶液超声5-8分钟,过滤,取滤液滴在透射电镜专用的喷碳铜网上,干燥后即得。该方法设备简单,能耗低,适合大规模生产;同时用该法制备的树枝状硫纳米结构可作为模版和反应介质用于合成其它无机树枝状硫化物纳米材料,如CuS、CdS、CdS、ZnS和PbS等,合成步骤少,操作简单,制得物性能优良。
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公开(公告)号:CN101618853A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910060317.3
申请日:2009-08-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种多种形貌硫掺杂纳米ZnO的制备方法,其具体步骤是:将浓度为5%的甲酰胺溶液和浓度为0.095M的硫代硫酸钠溶液混合于容器中,混合液中二种溶液的体积比为5-95∶5-95,容器的底部放置载玻片;再将锌箔放在载玻片上,将容器的开口盖住,置于60-70℃的烘箱里反应18-30小时,取出锌箔,用去离子水和乙醇清洗干净,干燥后,即可。该方法可以通过原料配比的控制,方便地制得所需不同形貌的硫掺杂纳米ZnO,且其制备方法简单、节能,操作容易,对设备无特殊要求,成本低,适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号:CN119143090A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411221494.6
申请日:2024-09-02
Applicant: 西南交通大学
Inventor: 杨峰
IPC: C01B21/082 , B01J31/02 , B01J27/24 , B01J35/39 , B01J35/33 , H01L31/028 , H01L31/036
Abstract: 本发明公开了一种提升石墨相氮化碳激子分离的方法,具体为:通过尿素的热聚合方法制备石墨相氮化碳g‑C3N4;添加4‑溴三苯胺制备4‑溴三苯胺/g‑C3N4混合催化剂;在两块ITO之间填充4‑溴三苯胺/g‑C3N4混合催化剂封装器件;自然光照、施加直流静电场提高光伏响应范围。本发明采用液相混合法,其制备方法简单、反应温和、耗能小,对设备无特殊要求,适合大规模生产;同时用该法制备的g‑C3N4复合材料可直接用作光催化及光伏器件,合成步骤少,操作简单,制得物性能优良。
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公开(公告)号:CN115874130A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211483972.1
申请日:2022-11-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种强流窄脉冲辅助钛铝焊接接头低温应力缓释方法,涉及材料焊接技术领域,所述低温应力缓释方法为:将钛合金和铝合金采用熔钎焊焊接成钛铝焊接接头后,将脉冲电源正极接钛铝焊接接头的铝合金侧,负极接钛铝焊接接头的钛合金侧,并沿钛铝焊接接头的焊缝方向对称、均匀地加载强流窄脉冲电流,利用强流窄脉冲电流在金属材料中的电致塑性效应,释放钛铝焊接接头内部残余应力,提高接头强韧性,同时利用强流窄脉冲电流维持钛铝焊接接头在电流加载过程中持续低温,避免高温处理带来的缺陷。其操作简单且应用场景没有较大限制,有利于在实际生产中大规模使用。
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