公开(公告)号：CN110336571B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201910558902.X

申请日：2019-06-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 汪海洋 ,  黄东 ,  周翼鸿 ,  胡标 ,  李浩 ,  李天明

IPC: H04B1/10 ,  H04B1/16

Abstract: 本发明公开了一种具有自适应频率选择宽带高功率微波保护装置，属于高功率微波毫米波技术领域。该装置采用多通道频段并联设计，将宽带信号分离为若干窄带信号，各通道相互独立，各通道对应频段的信号分别输出至各自的处理电路。本发明具有对高功率微波脉冲进行频率自适应选择限幅的特性，分别从频域和时域上进行强电磁脉冲防护。频域上完成接收大功率微波脉冲信号的频段分离；时域上，由限幅器进行脉冲限幅。HPM攻击进行时，装置仅关闭HPM频率所在的接收通道，提高了系统抗HPM压制能力；若HPM功率超过对应通道的保护能力，仅损坏攻击频段所在频率范围的通道，其余通道仍然正常工作，提高了接收机的抗HPM毁伤能力。

公开(公告)号：CN113703156A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110969273.7

申请日：2021-08-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 胡标 ,  朱国锋 ,  李浩 ,  汪海洋 ,  李天明 ,  周翼鸿

IPC: G02B26/08 ,  G02B27/00 ,  H01Q19/18 ,  H01Q3/30

Abstract: 本发明公开了一种基于反射式相位修正镜的准光单脉冲天线，属于太赫兹准光单脉冲天线领域。本发明采用两个低损耗反射式相位修正镜对和差比较器的辐射特性中存在的副瓣电平较高的问题进行改善，并提供了相位修正镜的镜面形状获取方法，极大的减少了现有技术采用介质透镜或衍射透镜带来的介质损耗的问题，最终同样可以较好地改善单脉冲天线的辐射特性。

公开(公告)号：CN111933501B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010709474.9

申请日：2020-07-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 程仁杰 ,  李天明 ,  胡标 ,  何朝雄

IPC: H01J25/50 ,  H01J25/55 ,  H01J23/05 ,  H01J23/12

Abstract: 本发明公开了一种虚阴极倒置相对论磁控管，属于微波技术领域。该磁控管包括阴极、阳极、反射腔、射频激励结构、圆波导输出结构、外壳过渡段。本发明通过交换阳极与阴极的位置，在阴极端部与阳极叶片之间设置了用于产生电子的扇形阴极单元。本发明的扇形阴极单元有效地解决了由于互作用区中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题，同时还可以实现有利电子的预群聚，从而提高能量转换效率和激励模式的纯净度，显著提高了器件的整体效率。

公开(公告)号：CN111524770B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010325721.5

申请日：2020-04-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李浩 ,  罗鸣 ,  汪海洋 ,  胡标 ,  李天明 ,  何超雄

IPC: H01J23/48 ,  H01J25/55

Abstract: 本发明公开了一种具有全向辐射能力的相对论磁控管输出结构，属于微波技术领域。该结构包括依次连接的第一过渡段、带脊同轴波导、第二过渡段、辐射结构，通过第一过渡段、带脊同轴波导、第二过渡段将相对论磁控管过渡到辐射结构。辐射结构通过切割波导壁上的角向电流激励缝隙单元，缝隙单元与轴线呈一定夹角，从而实现电磁波的辐射。本发明解决了基于相对论磁控管的高功率微波辐射系统结构复杂、输出功率低、磁场线圈庞大、存在模式跳变风险等问题。

公开(公告)号：CN110854481A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911134509.4

申请日：2019-11-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李浩 ,  欧美玲 ,  李殿亮 ,  王克强 ,  李天明 ,  周翼鸿 ,  汪海洋 ,  胡标

IPC: H01P1/16 ,  H01P7/04

Abstract: 本发明公开了一种圆极化同轴内嵌圆波导模式激励器，属于模式激励器领域。该模式激励器为内导体为圆波导形式的同轴波导结构，包括依次连接的截止段、谐振段和辐射段，所述谐振段中，内导体波导壁上沿轴向设置有周期性螺旋分布的角向和轴向都满足布拉格谐振条件的耦合缝隙或者耦合孔阵列。本发明模式激励器具有结构简单、矢量模式纯度高、耦合效率大、高纯度带宽和杂模数目少的优点。

公开(公告)号：CN110336571A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910558902.X

申请日：2019-06-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 汪海洋 ,  黄东 ,  周翼鸿 ,  胡标 ,  李浩 ,  李天明

IPC: H04B1/10 ,  H04B1/16

Abstract: 本发明公开了一种具有自适应频率选择宽带高功率微波保护装置，属于高功率微波毫米波技术领域。该装置采用多通道频段并联设计，将宽带信号分离为若干窄带信号，各通道相互独立，各通道对应频段的信号分别输出至各自的处理电路。本发明具有对高功率微波脉冲进行频率自适应选择限幅的特性，分别从频域和时域上进行强电磁脉冲防护。频域上完成接收大功率微波脉冲信号的频段分离；时域上，由限幅器进行脉冲限幅。HPM攻击进行时，装置仅关闭HPM频率所在的接收通道，提高了系统抗HPM压制能力；若HPM功率超过对应通道的保护能力，仅损坏攻击频段所在频率范围的通道，其余通道仍然正常工作，提高了接收机的抗HPM毁伤能力。

公开(公告)号：CN108807117A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810506371.5

申请日：2018-05-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李天明 ,  何朝雄 ,  胡标 ,  汪海洋

IPC: H01J25/593

Abstract: 本发明公开了一种L波段双注双频相对论磁控管，属于高功率微波技术中的微波源技术领域。该磁控管包括两个轴向连通的高频系统，两个高频系统均采用单端口径向输出。本发明磁控管满足与低阻抗高功率驱动源匹配的要求，减小脉冲形成线的几何尺寸，使整个高功率微波系统小型化、紧凑化。同时，基于低阻抗高功率驱动源，轴向同轴连接的单个高频系统仍能在高阻抗条件下工作，避免单个高频系统的电子效率因脉冲形成线的几何尺寸减小而受到影响。