公开(公告)号：CN119916518A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411529125.3

申请日：2024-10-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑善景 ,  李星勋 ,  林亨泰 ,  闵景俊 ,  朴世铉 ,  具俊谟 ,  李范德

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  C09J133/00

Abstract: 公开一种偏光板和光学显示装置。偏光板包括偏光器；和形成在偏光器一个表面上的延迟层堆叠，其中延迟层堆叠包括从偏光器的一个表面开始依次堆叠的第二延迟层、第一粘合层和第一延迟层，第一粘合层在25℃时具有1×105Pa到1×106Pa的模量，并且第二延迟层和第一粘合层满足关系1。

公开(公告)号：CN119270409A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410894089.4

申请日：2024-07-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳政勋 ,  金奉春 ,  李星勋

IPC: G02B5/30 ,  G02B1/14 ,  G02F1/1335

Abstract: 一种用于光学显示设备的偏光板及光学显示设备，所述偏光板包括：偏光片；以及层压在偏光片的一个表面上的延迟层，其中延迟层包括在550nm的波长下满足nx>nz>ny的延迟膜(此处，nx、ny及nz是指在550nm的波长下延迟膜在慢轴方向上的折射率、延迟膜在快轴方向上的折射率以及延迟膜在厚度方向上的折射率。)，延迟膜中含有的树脂的主链的取向方向相对于偏光片的光吸收轴为约‑5°到约+5°，且延迟膜在550nm的波长下具有约0.3到约0.7的双轴度。

公开(公告)号：CN118348630A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410059431.9

申请日：2024-01-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳政勋 ,  李相钦 ,  具俊谟 ,  李星勋 ,  郑善暻 ,  魏东镐

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1333

Abstract: 本文中公开一种偏光板和包含其的光学显示装置。偏光板包含：偏光器；以及延迟层堆叠，形成在偏光器的至少一个表面上，其中延迟层堆叠包含依序堆叠在偏光器上的第二延迟层、底漆层以及第一延迟层，且底漆层具有60℃至150℃的玻璃转变温度且为(甲基)丙烯酸酯类底漆层。

公开(公告)号：CN117157054A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280028858.1

申请日：2022-02-07

Applicant: 株式会社EHL生物

Inventor： 李弘基 ,  李星勋 ,  金相宪 ,  秦廷娥 ,  康兑旭 ,  苏洙彬 ,  尹珍相 ,  李荣浚 ,  苏炯骏

IPC: A61K8/98

Abstract: 本发明涉及一种包含皮肤再生、美白或者抗氧化功能提高的干细胞来源的外泌体作为有效成分的组合物。更具体地，本发明涉及一种包含尿源干细胞来源的外泌体作为有效成分的皮肤再生、美白、抗氧化或治疗伤口用化妆品组合物或者药物组合物。

公开(公告)号：CN112366206B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202011291354.8

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑夛恽 ,  李星勋 ,  尹石重 ,  朴玄睦 ,  申重植 ,  尹永培

IPC: H10B43/20 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B41/40

Abstract: 提供了三维(3D)半导体存储器件及其制造方法。3D半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和连接区；下层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的多个下电极，下层叠结构在连接区上具有在第一方向上延伸的第一阶梯结构和在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二阶梯结构；以及多个中间层叠结构，竖直地层叠在下层叠结构上。每个中间层叠结构包括竖直地层叠的多个中间电极并且在连接区上具有在第二方向上延伸的第三阶梯结构和在第一方向上延伸的第四阶梯结构。相对于基板的顶表面，第一阶梯结构的斜坡具有第一倾斜角，第二阶梯结构的斜坡具有基本上等于第一倾斜角的第二倾斜角，第四阶梯结构的斜坡具有不同于第一倾斜角的第三倾斜角。

公开(公告)号：CN113790567B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202111216545.2

申请日：2018-01-23

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李星勋 ,  金东正 ,  张晋豪

IPC: F25D23/02 ,  E05F15/616

Abstract: 本发明的冰箱包括：箱体，限定储藏室；冰箱门，开闭所述储藏室；铰链组件，将所述冰箱门连接到所述箱体，所述铰链组件包括第一链节和第二链节，所述第一链节能够旋转地连接到所述箱体，所述第二链节能够旋转地连接到所述冰箱门；以及门打开装置，设置在所述箱体，并具有门开放部，所述门开放部推动所述第一链节和所述第二链节中的任一个，以打开所述冰箱门。

公开(公告)号：CN114156277A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111429771.9

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑夛恽 ,  李星勋 ,  尹石重 ,  朴玄睦 ,  申重植 ,  尹永培

IPC: H01L27/11578 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成包括竖直地且交替地层叠的绝缘层和水平层的薄层结构；在薄层结构上形成包括竖直地层叠的多个上水平图案的上结构，上结构在连接区上具有在第一方向上形成的第一阶梯结构以及在垂直于第一方向的第二方向上形成的第二阶梯结构；形成掩模图案，掩模图案暴露上结构的第一阶梯结构和第二阶梯结构在连接区上的一部分以及薄层结构在连接区上的一部分；以及使用掩模图案作为蚀刻掩模执行焊盘蚀刻工艺以蚀刻上结构的一部分和薄层结构的一部分。

公开(公告)号：CN106981491B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201710033439.8

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌燮 ,  李星勋 ,  李俊熙 ,  曹盛纯

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个可以包括：电极部分，设置在单元阵列区域上，以沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；电极连接部分，设置在连接区域上，以沿第二方向延伸并且使电极部分彼此水平地连接；突出，在连接区域上设置为从电极连接部分沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN113820778A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110670494.4

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 曹芽罗 ,  李范德 ,  辛承美 ,  李星勋 ,  洪完泽

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1343

Abstract: 本发明提供一种用于平面内切换(IPS)模式的偏光板和包含其的光学显示设备。偏光板包含：偏光片；第一保护层，堆叠在偏光片的上表面上；以及第二保护层，堆叠在偏光片的下表面上，其中，假设偏光片的在偏光片的平面内方向上具有高折射率的轴线为参考轴线(0°)，第一保护层的在其平面内方向上具有低折射率的轴线角度在约‑5°到+5°的范围内，第一保护层在550纳米的波长下的平面内延迟Re为约5,000纳米或大于5,000纳米，第二保护层包含正C板层，且第二保护层满足关系式1和关系式2中的至少一个。所述偏光板具有改进的正面对比度(CR)、改进的横向色位移以及抑制漏光以改进黑色可视性。

公开(公告)号：CN110476030B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201880023061.6

申请日：2018-01-23

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李星勋 ,  金东正 ,  张晋豪

IPC: F25D23/02 ,  E05F15/616

Abstract: 本发明的冰箱包括：箱体，限定储藏室；冰箱门，开闭所述储藏室；铰链组件，将所述冰箱门连接到所述箱体，所述铰链组件包括第一链节和第二链节，所述第一链节能够旋转地连接到所述箱体，所述第二链节能够旋转地连接到所述冰箱门；以及门打开装置，设置在所述箱体，并具有门开放部，所述门开放部推动所述第一链节和所述第二链节中的任一个，以打开所述冰箱门。