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公开(公告)号：CN119199812A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411698278.0
申请日：2024-11-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种声纳回波信号存储方法、装置和存储介质，其中，该方法包括：获取多个声纳回波信号，将每一信号划分为多个信号子域；提取各信号子域中的有效数据密度值，基于有效数据密度值，从多个信号中确定待压缩信号；将待压缩信号划分为多个信号子块；确定信号子块中的目标子块，以及信号子块中与目标子块相邻的相邻子块；根据相邻子块对目标子块所在的点位信号进行预测处理，得到预测块；基于目标子块和预测块，确定残差块数据；根据残差块数据和目标子块，生成压缩数据并进行存储。通过本申请，解决了在深海探测场景下高通量声呐回波信号数据量大、存储效率低的问题，提高了数据压缩比率和存储效率，同时保证了信号恢复质量。
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公开(公告)号：CN117950283B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410356480.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于千束焦斑独立调控的超分辨灰度刻写装置及方法，包括：激发光、抑制光均为先通过扩束器、光束整形器进行扩束和光斑匀化，再通过反射镜反射到数字微镜阵列上；激发光和抑制光从数字微镜阵列法线出射并合束，合束后的双光束通过两个透镜组成的1：1成像系统入射微透镜阵列，使数字微镜阵列上的光场成像到微透镜阵列表面，并在微透镜阵列焦面产生千束边缘光抑制光斑阵列，该光斑阵列通过透镜和物镜组成的成像系统，成像在位移台上样品内的物镜焦面进行刻写。本发明通过产生千束边缘光抑制直写阵列，可大幅度提升刻写通量和精度，且各边缘光抑制光斑可精准独立调谐，具有高精度调谐灰度刻写的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118192179A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410615551.2
申请日：2024-05-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种激光直写装置、激光直写方法及超构透镜，沿光路传播方向依次包括光源、数字微镜阵列、锥透镜以及刻写平台，所述数字微镜阵列的数量与所述锥透镜的数量相同，以使所述数字微镜阵列和所述锥透镜一一对应。本发明通过改变数字微镜阵列中处于打开状态的子微镜分布、数量，由此能够改变在锥透镜出光侧所形成焦点区域对应的焦深，以及焦点区域在x方向和y方向上对应的宽度，由此改变获得的柱体高度和半径。
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公开(公告)号：CN117950283A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410356480.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于千束焦斑独立调控的超分辨灰度刻写装置及方法，包括：激发光、抑制光均为先通过扩束器、光束整形器进行扩束和光斑匀化，再通过反射镜反射到数字微镜阵列上；激发光和抑制光从数字微镜阵列法线出射并合束，合束后的双光束通过两个透镜组成的1：1成像系统入射微透镜阵列，使数字微镜阵列上的光场成像到微透镜阵列表面，并在微透镜阵列焦面产生千束边缘光抑制光斑阵列，该光斑阵列通过透镜和物镜组成的成像系统，成像在位移台上样品内的物镜焦面进行刻写。本发明通过产生千束边缘光抑制直写阵列，可大幅度提升刻写通量和精度，且各边缘光抑制光斑可精准独立调谐，具有高精度调谐灰度刻写的功能。
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公开(公告)号：CN113985707A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111241114.1
申请日：2021-10-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种可控脉冲展宽与延时的超分辨激光直写装置及方法，该装置包括飞秒激光光源、二分之一波片、偏振分光棱镜、脉冲展宽器、能量调制器、相位板、直角棱镜、反射镜等部件。本发明将飞秒光源出射的飞秒光束分成两束光，对其中一束进行脉冲展宽与光强分布的调制，然后将两束光合束后入射到刻写系统，实现同波长的基于边缘光抑制的激光刻写。利用本发明的装置可以得到一束强度分布为高斯的飞秒光束和一束可调脉冲宽度、可调光强分布的光束，并且可以通过调控光程来精细调控分束后的两个光束达到刻写样品上的时间，精度可达皮秒量级，可用于高精度激光直写光刻系统。
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公开(公告)号：CN119270597B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411804136.8
申请日：2024-12-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 基于双光子与受激辐射损耗效应的超分辨激光直写与成像方法和装置，其方法包括：在光刻胶中加入光引发剂，利用其双光子吸收效应与受激损耗效应，实现双光子STED高精度微纳结构激光直写；同时，利用其本身的荧光发光特性，利用其双光子吸收特性和受激损耗（STED）特性，对所刻写的结构进行双光子STED超分辨显微成像。本发明利用引发剂的双光子与STED效应，可同时实现超分辨刻写与成像，简化了光刻胶的成分。此外，在刻写与成像中可分别利用相同的激发光与损耗光，因此可在一个光学系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像，通过刻写与成像的激发光和损耗光光路进行复用，可有效简化系统复杂性。
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公开(公告)号：CN119270597A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411804136.8
申请日：2024-12-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 基于双光子与受激辐射损耗效应的超分辨激光直写与成像方法和装置，其方法包括：在光刻胶中加入光引发剂，利用其双光子吸收效应与受激损耗效应，实现双光子STED高精度微纳结构激光直写；同时，利用其本身的荧光发光特性，利用其双光子吸收特性和受激损耗（STED）特性，对所刻写的结构进行双光子STED超分辨显微成像。本发明利用引发剂的双光子与STED效应，可同时实现超分辨刻写与成像，简化了光刻胶的成分。此外，在刻写与成像中可分别利用相同的激发光与损耗光，因此可在一个光学系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像，通过刻写与成像的激发光和损耗光光路进行复用，可有效简化系统复杂性。
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