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公开(公告)号：CN103343382A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310202809.8
申请日：2013-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C25F3/12 , C25F3/14 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种下转换发光多孔硅材料及其制备方法，在银离子辅助下，采用化学–电化学腐蚀相结合的方法，可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅，同时生成的多孔硅具有很强的发光性能，在波长500nm以下的光的激发下，可以产生波峰位于600～1000nm的近红外光。本发明还公开了该下转换发光多孔硅材料的应用，将制备的多孔硅材料从硅片剥离后经研磨后配制成溶液，旋涂在晶硅太阳能电池的表面，使得太阳能电池片的下转换发光效应明显增强，具有很强的时效性，将它与传统的电池制备工艺简单结合即可制得多孔硅下转换晶硅太阳能电池，整个生产工艺简单，技术成熟，具有一定的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101767769B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200910157002.0
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种PVP辅助制备二氧化硅/银核壳结构颗粒的方法，采用的是聚乙烯基吡咯烷酮辅助的成核-再长大两步生长工艺，包括以下步骤：1)制备表面吸附纳米银颗粒颗粒的亚微米二氧化硅球；2)在PVP的水溶液中，将步骤1)中得到的二氧化硅球分散，在氨水的催化作用下，用甲醛还原硝酸银；3)将步骤2)的反应液离心清洗后分散到乙醇或水中得到二氧化硅/银核壳结构颗粒的胶体溶液。本发明方法所用药品廉价易得，过程简单可控，产物单分散性好，尺寸均一，通过调节银层厚度，可以得到光学消光峰位不同的的核壳颗粒，可用于光子晶体、生物探测、表面增强拉曼散射、表面等离子增强发光等方面。
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公开(公告)号：CN102157636B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110030656.4
申请日：2011-01-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基薄膜电致发光的方法，包括如下步骤：在P型硅片正面上沉积一层银薄膜，然后进行热退火，在P型硅片正面上形成银岛膜；在银岛膜上沉积富硅氮化硅薄膜，然后在富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜表面沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，在P型硅片背面沉积一层Al作为背面电极，制得硅基薄膜发光器件。本发明方法制备的硅基薄膜器件的电致发光强度显著强于普通硅薄膜器件的电致发光强度；器件能工作在更高的输入功率下，不易被击穿。
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公开(公告)号：CN102543711A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001361.9
申请日：2012-01-04
Applicant: 浙江大学 , 镇江大成新能源有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，包括以下步骤：采用清洗液清洗硅片；将洗净的硅片放入NH4F腐蚀溶液中，在在波长为365～400nm的紫外光照射条件下，进行腐蚀反应，室温下腐蚀1～60min后，用去离子水冲洗硅片，干燥备用。本发明方法采用NH4F为腐蚀溶液，毒性小，对环境的污染程度和对人体的伤害程度都较小；采用紫外光照催化多孔硅结构生成，易于实现，成本较低；本发明方法反应条件温和，工艺参数容易控制，更容易实现工业量产，与工业生产兼容性好，适用范围广。
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公开(公告)号：CN102212790A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110130059.9
申请日：2011-05-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种贵金属亚微米球壳阵列的制备方法，首先在石英等基底自组装不同直径的亚微米聚苯乙烯微球阵列，再利用直流磁控溅射在聚苯乙烯微球阵列上沉积贵金属层，最后通过在真空腔内热处理去除聚苯乙烯微球模板。本发明方法的生长过程简单可控，制备的球壳阵列尺寸均一，排列整齐，通过调节贵金属层的厚度，可得到表面等离激元共振峰位不同的球壳阵列，可用于生物传感、光子晶体、表面增强拉曼光谱和发光光谱等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101270468B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810061491.5
申请日：2008-05-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的增强氧化锌薄膜发光的方法，采用的是在氧化锌薄膜上磁控溅射生长银纳米粒子。其制备是：将已生长有氧化锌薄膜的石英基底放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，利用直流磁控溅射在氧化锌薄膜上沉积银纳米粒子。采用本发明可以增强氧化锌薄膜的发光效率，方法简单，整个发光体系结构简易，而且发光增强可通过溅射时间来控制，并且可同时实现带间发光增强和缺陷发光淬灭，可以被用作增强氧化锌等发光材料的发光强度。
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公开(公告)号：CN1837965A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610049580.9
申请日：2006-02-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的在氧化锌薄膜上绘制亚微米级紫外发光图案的方法，其步骤如下：将醋酸锌、柠檬酸钠和醇胺溶解于去离子水溶液中，调节pH值到10－11，然后将干净的衬底浸入到该溶液中去，于60℃～90℃温度下超声振荡，在衬底上沉积得到氧化锌薄膜；清洗氧化锌薄膜，去除表面反应残余物，在低于400℃的空气气氛中烘干；将氧化锌薄膜置于扫描电镜中，用聚焦电子束在氧化锌薄膜上根据所需图案进行照射。该方法简单廉价，操作方便，易于大规模制备。所得发光图案精度高，能在空气中长期保持不变。本发明可应用于高分辨率的场发射显示和高密度信息存储等领域。另外，由于发光图案不能直观地从形貌上识别，该方法可用来记录秘密文字信息。
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公开(公告)号：CN1581515A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410018588.X
申请日：2004-05-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开的制备硫化镉－二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法，包括采用化学水浴沉积法制备单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构和再以单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构自组装制备三维光子晶体。由于硫化镉是一种高折射率材料，在可见光区吸收较少，在二氧化硅球表面包覆硫化镉，可以提高折射率反差，将该复合结构自组装制备三维光子晶体，可以增强光子晶体的带隙特性，还可以通过改变核壳结构的核的半径和壳的厚度来调节光子带隙所处的位置。采用本发明方法可以得到具有强衰减宽带隙的光子禁带的三维光子晶体，其光子带隙性能显著增强。
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公开(公告)号：CN1560928A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016497.2
申请日：2004-02-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法是以石英玻璃或硅单晶为衬底，浸入含有单分散的球径相同的二氧化硅小球溶液中，用提拉沉积法在衬底上沉积得蛋白石薄膜，将蛋白石薄膜热处理后，再次浸入到含有与前次球径不同的二氧化硅小球溶液中，沉积另一层蛋白石薄膜并进行热处理，再放入化学汽相沉积装置或化学溶液中，在二氧化硅小球空隙中填入具有高介电率的IV族或IIVI族复合半导体材料。或者在得到第一层蛋白石薄膜后就填充具有高介电率的材料，然后再在其上用提拉法沉积第二层蛋白石结构的二氧化硅薄膜层，之后再次进行填充。最后，将薄膜放入稀释的氢氟酸中溶解掉二氧化硅球。本发明工艺简单，而且带隙可调，制得的光子晶体异质结薄膜，可在光电子器件和全光集成中得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1320813A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00107135.1
申请日：2000-04-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N3/40
Abstract: 本发明公开的硅材料机械强度的测量方法是以测量硅材料的位错滑移长度来确定其机械强度的,依次包括如下步骤:首先将从硅材料上割取的试样硅片进行抛光,除去表面损伤层;然后用硬度计压头在硅片表面制造压痕,压痕四周引入位错;再在保护气中对硅片进行热处理,使位错发生滑移;接着冷却硅片,用化学腐蚀液腐蚀,显示位错的滑移;最后测量位错滑移长度。应用该方法简便易行,便于从微观角度确定杂质对硅材料机械强度的影响。
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