-
公开(公告)号:CN108675786B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201810669000.9
申请日:2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法,材料组成为:Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法,结合热处理技术,生长无铅压电微‑纳米线,长度在3‑8μm,直径为100‑500nm,工艺简单,成本低廉,适合大规模工业生产。
-
公开(公告)号:CN107043253B
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN201710331201.3
申请日:2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷,其特征在于,组成通式:(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO;其中x表示摩尔分数,0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成,该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV,优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2,绿色环保。
-
公开(公告)号:CN107829074B
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN201711048989.3
申请日:2017-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶合金反光镜及其制备方法,所述反光镜包括基板、涂覆在基板上的Zr‑Ti‑Cu‑Ni‑Al‑Ag‑Re非晶涂层以及基板与非晶涂层之间的过渡层。所述非晶合金反光镜的制备方法主要包括:(1)以Ti、Ni、Cr或Al为靶材,在基板上制备过渡层;(2)以所述涂层材料为靶材,在过渡层上溅射非晶合金反光涂层。本发明公开的反光涂层材料不仅具有高的反射率,而且硬度高、耐磨、耐腐蚀、抗氧化、抗硫化,用其制造反光镜,表面无需保护层,制造成本也低于纯银及银合金反光镜,适合于各种场合尤其适合在沙漠、高寒等恶劣环境下使用。
-
公开(公告)号:CN107032786B
公开(公告)日:2020-07-17
申请号:CN201710330694.9
申请日:2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷,其特征在于,组成通式为:(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示,其中x、y、z表示摩尔分数,0
-
公开(公告)号:CN107032785B
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201710330701.5
申请日:2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷,组成通式为:(1‑x)Ba0.9Ca0.1TiO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6;其中x表示摩尔分数,0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法,结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成,该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV,高的稳定性,优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2,绿色环保。
-
公开(公告)号:CN110483038A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910863077.4
申请日:2019-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域,特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷,其元素组成为(1-x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3)-xCs2Nb4O11,x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成,尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下,实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3组分结合,获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明,本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3,储能效率可达45%,具有优良的储能性能。
-
公开(公告)号:CN107068884B
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201710218783.4
申请日:2017-04-05
Applicant: 桂林电子科技大学 , 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层,所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS,其中x=2~3。所述制备方法包括:将MoOx粉末溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.1%~0.2%的MoOx水溶液,将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1~3):(1~4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液,在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力,增加发光层中的空穴数量,从而改善空穴‑电子的平衡性,提高紫外OLED器件的发光效率,同时器件的制备工艺简单,稳定性好,实用性广。
-
公开(公告)号:CN109449313A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811241689.1
申请日:2018-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶胶-凝胶法制备有机发光二极管中空穴注入层的方法及构建的有机发光二极管,属于基本电气元件技术领域,该方法主要包括VOx前驱液的制备和空穴注入层的制备两个工艺环节,该方法中所使用的设备简单,合成工艺简单,易操作,且重复性好,由该方法获得的VOx前驱液具有水溶性、宽浓度耐受性、稳定性及优异的薄膜形态等优点,能够用于构建高性能的可见光或紫外有机发光二极管。
-
公开(公告)号:CN109004096A
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201810840601.1
申请日:2018-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种结构简单且高效率的蓝色荧光有机发光二极管,属于基本电气元件技术领域,该二极管包括依次层叠设置的衬底、阳极层、阳极界面层、空穴传输兼发光层、电子传输层、阴极界面层和阴极层。其中,空穴传输兼发光层由掺杂有1-4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基苯的2-甲基-9,10-二(2-萘基)蒽制成。蓝色荧光有机发光二极管不但具有简单的结构,还具有较高的效率,克服了现有技术中多层结构有利于最终效率提高的技术偏见,可以被广泛应用于高效率有机发光显示和照明等领域。
-
公开(公告)号:CN108675786A
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:CN201810669000.9
申请日:2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/62605 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3229 , C04B2235/3298 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/94 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法,材料组成为:Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法,结合热处理技术,生长无铅压电微‑纳米线,长度在3‑8μm,直径为100‑500nm,工艺简单,成本低廉,适合大规模工业生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-