公开(公告)号：CN101140949A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710142429.4

申请日：2007-08-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  山本和重

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684

Abstract: 通过引入用于取代晶格点位置的组分原子的杂质原子S和将被插入到基质半导体的间隙位置的杂质原子I形成的一种配备有填充四面体半导体的半导体器件，其中在该基质半导体处组分原子被键合以形成四面体键结构。这种半导体器件被制造为呈现高迁移率级别和高电流驱动力并且使用如下的一种半导体物质作为沟道材料，该半导体物质中由于杂质原子S和杂质原子I之间发生的电荷转移使得杂质原子S具有与基质半导体的组分原子一致的电荷，并且该半导体物质中杂质原子I以一种呈现闭壳结构的电子排列的状态键合。

公开(公告)号：CN1976078A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610162993.8

申请日：2006-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本和重 ,  清水达雄 ,  羽根田茂

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/26 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3224 ,  H01S5/3412

Abstract: 一种发光器件包括：有源层，包括具有四面体结构的母体半导体的原子A、替换晶格位置中所述原子A的异质原子D和插入到与所述异质原子D最邻近的间隙位置中的异质原子Z，所述异质原子D的价电子数与所述原子A的价电子数相差+1或－1，并且通过与所述异质原子D的电荷补偿，所述异质原子Z具有满壳层结构的电子组态；以及n电极和p电极，适于向所述有源层提供电流。

公开(公告)号：CN1714604A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200380103599.1

申请日：2003-11-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝松下显示技术有限公司

Inventor： 山本和重 ,  中筋幹夫

IPC: H05B33/14

CPC classification number: H01L51/5221 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/24942

Abstract: 提供一种有机场致发光元件(30)，它包括阳极(31)、阴极(32)、以及有机层(33)，其中阴极(32)包括面对有机层(33)的保护导体层(32b)、置于保护导体层(32b)和有机层(33)之间的主导体层(32a)、以及置于保护导体层(32b)和主导体层(32a)之间且由绝缘体或半导体制成的阻挡层(32d)。