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公开(公告)号：CN102473808A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002705.1
申请日：2011-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，发光二极管还具有在单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，各单晶ZnO棒的下部，具有从单晶ZnO透明电极膜向n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。
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公开(公告)号：CN102365796A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080009947.9
申请日：2010-11-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01S5/0658 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，其具备：氮化物半导体层(101)，其具有第一覆层(111)，活性层(113)以及第二覆层(116)；以及电流阻挡层(121)，其对活性层(113)选择性地注入电流。第二覆层(116)具有条纹状的山脊部(116a)。电流阻挡层(121)在山脊部(116a)的两侧区域分别形成，且由具有结晶构造的氧化锌构成。
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公开(公告)号：CN102301042A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006097.7
申请日：2010-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/16 , C30B7/12 , H01L21/368
CPC classification number: H01L21/02554 , C30B7/12 , C30B29/16 , H01L21/02376 , H01L21/02444 , H01L21/02513 , H01L21/02628
Abstract: 在廉价的石墨基板上设置无定形碳层，采用电解沉积法在上述无定形碳层上使c轴取向的氧化锌的单晶生长。ZnO和GaN为相同的纤锌矿型的晶体结构，晶格失配非常小，因此，形成有单晶ZnO的石墨基板不仅能够作为用于形成ZnO半导体层的同质外延生长用的基板使用，还能够作为使用了GaN半导体层的异质外延生长用的基板使用。
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公开(公告)号：CN101819748A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200910217142.2
申请日：1999-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09G3/288
CPC classification number: G09G3/2927 , G09G3/2092 , G09G3/291 , G09G3/293 , G09G3/2932 , G09G3/294 , G09G3/2942 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/066 , G09G2320/0238 , G09G2320/0247 , G09G2330/021 , G09G2360/126 , G09G2360/18
Abstract: 用至少两阶上升或下降阶梯波将建立、写入、保持和擦除脉冲变化地加到等离子体显示板上。这些阶梯波可通过将至少两个脉冲相叠加而实现。用这种波形作建立、写入和擦除脉冲可改进对比度，并用这种波形作保持脉冲可降低屏闪改善发光效率。这在驱动高分辨率等离子显示板以获得高画质和高亮度方面特别有用。
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公开(公告)号：CN101699645A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910178208.1
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0423 , H01M4/0426 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M2004/021 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池的制造方法，具备：制作具有片状正极集电体和担载于该正极集电体上的正极活性物质层的正极的工序；根据锂二次电池用负极的制造方法制作负极的工序，该负极具备片状负极集电体和担载于该负极集电体上的负极活性物质层；使隔膜介于所述正极活性物质层和负极活性物质层之间而将它们相互对置的工序；所述锂二次电池用负极的制造方法，包括如下工序：(a)准备表面粗糙度Rz为2μm以上20μm以下的片状集电体；(b)在氧或氮气氛下，使硅从与所述集电体的法线方向构成角Φ的方向入射到所述集电体上并使其沉积，形成含有所述硅和所述氧、或者所述硅和所述氮的活性物质层，其中，20°≤Φ≤85°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100390844C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480000519.4
申请日：2004-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/2948 , G09G3/293 , G09G3/2986
Abstract: 一种等离子体显示屏的驱动方法，该等离子体显示屏具有启动剂电极(PR1～PRn)。在所述子扫描场的写入期间，在扫描电极(SC1～SCn)进行扫描之前，使扫描电极(SC1～SCn)与启动剂电极(PR1～PRn)之间产生启动剂放电。从在所述子扫描场的写入期间给所述启动剂电极(PR1～PRn)外加旨在使其产生启动剂放电的电压起，到所述对应的扫描电极(SC1～SCn)进行扫描为止的时间间隔，在10μs以内。
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公开(公告)号：CN1991946A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610101625.2
申请日：1999-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 用至少两阶上升或下降阶梯波将建立、写入、保持和擦除脉冲变化地加到等离子体显示板上。这些阶梯波可通过将至少两个脉冲相叠加而实现。用这种波形作建立、写入和擦除脉冲可改进对比度，并用这种波形作保持脉冲可降低屏闪改善发光效率。这在驱动高分辨率等离子显示板以获得高画质和高亮度方面特别有用。
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公开(公告)号：CN1897088A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101621.4
申请日：1999-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 用至少两阶上升或下降阶梯波将建立、写入、保持和擦除脉冲变化地加到等离子体显示板上。这些阶梯波可通过将至少两个脉冲相叠加而实现。用这种波形作建立、写入和擦除脉冲可改进对比度，并用这种波形作保持脉冲可降低屏闪改善发光效率。这在驱动高分辨率等离子显示板以获得高画质和高亮度方面特别有用。
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公开(公告)号：CN1892762A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610101415.3
申请日：1999-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/2927 , G09G3/293 , G09G3/2948 , G09G3/296 , G09G5/399 , G09G2310/0267 , G09G2310/066 , G09G2360/126
Abstract: 当驱动气体放电板时，在扫描和寻址电极组之间施加电压以执行设置。所述电压波形具有四个区间。在第一区间中，电压在短时间内上升至第一电压，其中100V≤第一电压＜启动电压。然后，在第二区间中，电压上升至不小于启动电压的第二电压，并且电压上升的绝对斜率小于在第一区间中电压上升的绝对斜率。接着，在第三区间中，电压在短时间内从第二电压下降到比启动电压低的第三电压。随后，在第四区间中，电压以小于第三区间中电压下降的斜率的斜率进一步减小，在100μs至250μs内。整个电压波形所占的时间应该不大于360μs。这意味着可以适当地积累壁电荷，使得甚至当寻址周期中所加脉冲短时可以执行稳定寻址。这加长了放电保持周期因而提高了亮度。
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公开(公告)号：CN1291437C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03801358.4
申请日：2003-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明是能够使地址特性稳定的等离子体显示屏，由沿着与背面基板(1)的扫描电极(6)以及维持电极(7)正交的方向延伸的纵壁部分(10a)以及设置成使得与该纵壁部分(10a)交叉，形成单元空间(11)，而且在单元空间(11)之间形成间隙部分(13)的横壁部分(10b)构成间壁(10)，而且在间隙部分(13)内的空间中，形成用于在表面基板(1)与背面基板(2)之间发生放电的激发电极(14)，用扫描电极(6)和激发电极(14)形成可靠而稳定的激发放电，减小地址时的放电延迟，使地址特性稳定。
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