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公开(公告)号：CN115933484A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211641789.X
申请日：2022-12-20
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了智能井盖监控装置，包括井盖、终端主机和终端从机，其中，井盖包括井座、盖体、锁定装置和伸缩装置，其中，井座上方放置盖体，盖体上设有排水孔，锁定装置和伸缩装置均设置在盖体中；终端主机设置在盖体下方内部处，所述终端从机设置在终端主机的下方，与终端主机连接；终端主机包括主MCU和均与主MCU连接的主通信模块、主传感器和NB‑IoT模块；终端从机包括从MCU和均与从MCU连接的从通信模块和从传感器；终端主机和终端从机共用一个供电模块。本发明井盖自身结构设计了锁定装置和伸缩装置便于安装，并且井盖配套的终端主机和终端从机可以实时监测井内数据，传至应用模块方便管理人员了解实时情况。
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公开(公告)号：CN115765636A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211456427.3
申请日：2022-11-21
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/02 , H03F1/52 , H03F3/195 , H03F3/213 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开一种双频大回退负载调制次序功率放大器及其设计方法，包括功率分配器、相位调整线、主功率放大电路、辅助功率放大电路、耦合合路器、电抗调制网络以及50欧姆输入输出阻抗线，其中功率分配器将输入信号分为两路分别与主功率放大电路和经过相位调整线进行相位补偿后与辅助功率放大电路连接。主功率放大电路和辅助功率放大电路的输出端分别接入耦合合路器的耦合端和直通端，耦合合路器的隔离端口与电抗调制网络连接，耦合合路器的输入端作为整个电路的输出端。本发明采用了一种成本更低，配置更简单的合路网络来进行负载调制，相比于同样作为负载调制类型的双频Doherty功率放大器降低了电路结构的复杂度。
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公开(公告)号：CN111800455B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202010404089.3
申请日：2020-05-13
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于局域网内不同主机数据源共享卷积神经网络的方法。包括以下步骤：步骤S1：使用Qt布局数据源推流拉流上位机界面；步骤S2：搭建多个局域网推流数据源的客户端与唯一拉流数据源的接收客户端，使用Nginx作为数据源局域网转发服务器；步骤S3：卷积神经网络训练深度学习模型；步骤S4：使用模型进行数据源人脸分类识别，实现对图片或者视频人脸识别与姓名标注。将深度学习与视频服务器局域网传输相结合大大提高了识别的效率，突破了模型单机模式移植性差的缺点，实现了不同主机共享深度学习模型，都可以在不用复制训练模型的条件下，不同主机都可以进行人脸标注与识别。
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公开(公告)号：CN115441842A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211149837.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/42 , H03F1/56 , H03F1/26 , H03F3/195 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种负反馈超宽带低噪声放大器电路及其设计方法，至少包括输入匹配网络、第一放大器、第二放大器、第三放大器、第一负反馈网络、第二负反馈网络、第三负反馈网络以及输出匹配网络，其中，所述输入匹配网络用于将50欧姆阻抗匹配到晶体管的最小噪声阻抗点，使功率放大器获得最小的噪声同时完成低噪声放大器的宽带匹配；其输入端连接信号源，输出端依次连接第一放大器、第二放大器、第三放大器；每级放大器分别连接第一负反馈网络、第二负反馈网络、第三负反馈网络。本发明所提出的结构在提高低噪声放大器噪声性能和增益平坦度的同时，实现了工作频带带宽横跨S波段、C波段、X波段。
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公开(公告)号：CN115001406A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210687536.X
申请日：2022-06-16
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双频大回退Doherty功率放大器及其设计方法，包括非对称功分器、载波功率放大模块、峰值功率放大模块和合路阻抗匹配网络，利用左右手复合线理论构建了双频移相器。双频移相器实现任意两个频段的任意相移，使得峰值功率放大模块的输出匹配网络在小信号输入状态时，其S参数能够尽可能的贴近开路点附近，能够进一步的提高非对称Doherty功率放大器的回退区间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114997086A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210759231.5
申请日：2022-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/331 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法，等效电路模型中有效电容的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与低频寄生电阻的第一端电连接，低频寄生电阻的第二端与高频寄生电感的第一端电连接，高频寄生电感的第二端与串联电感二的第一端电连接，高频寄生电阻与高频寄生电感并联；介质电容一的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与衬底寄生电容一的第一端电连接，衬底寄生电阻一与衬底寄生电容一并联。本发明的双T型等效电路模型可拟合更宽频率范围的MIM电容。
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公开(公告)号：CN114918425A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210700193.6
申请日：2022-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有宽带可调吸收的金纳米棒及其制备方法，首先利用种子生长法制备金纳米棒，然后将金纳米棒进行离心保存处理；使用计算机软件origin进行模拟，得到相应的宽带吸收的金纳米棒所需各金纳米棒的比例；最后根据模拟计算得到的相应比例添加金纳米棒溶液进行混合得到宽带吸收的金纳米棒。同时根据需求选取不同尺寸的金纳米棒可以调节宽带吸收的范围。本发明所合成的具有宽带可调吸收的金纳米棒在结构上制备方法简单，吸收范围易调控，同时合成的宽带金纳米棒仍保存了金纳米棒优良的物理化学性质。
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公开(公告)号：CN114760370A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210255746.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H04L69/164 , H04B10/25 , G06F5/06
Abstract: 本发明公开了基于UDP协议的上位机与FPGA高速数据传输架构及实现方法，架构中FPGA板卡包括40G IP核，数据包发送模块，数据包解析模块，读FIFO模块，写FIFO模块，发送端FIFO和接收端FIFO，其中，40G IP核通过40G光纤和40GPCIe光纤网卡与上位机进行数据收发，40G IP核的输出连接数据包解析模块，数据包解析模块的输出连接写FIFO模块，写FIFO模块的输出连接接收端FIFO；发送端FIFO的输出连接读FIFO模块，读FIFO模块的输出连接数据包发送模块，数据包发送模块的输出连接40G IP核。本发明能够占用较少的FPGA资源，满足上位机与FPGA之间高速数据传输和交互的要求。
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公开(公告)号：CN114553189A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210120876.4
申请日：2022-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H03H17/02
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的并行均衡方法，所述方法通过步长可动态调整的LMS算法以及采用并行、流水线滤波结构，实现对通信数据的高效均衡。首先通过迭代因子可动态调整的LMS算法计算出均衡滤波器的抽头系数。其次，通过多级流水线,多路并行数据处理的方式，提高FPGA数据处理的效率。该发明可以实现，每个时钟周期M路数据并行输入均衡滤波器的同时有M路数据并行输出。通过并行、流水线方式，使得高速ADC的采集的数据FPGA能够高效进行均衡处理。
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公开(公告)号：CN113990744A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111322446.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，其中主要步骤为S80，为得到栅槽，对碳化硅进行第一次刻蚀，一次刻蚀所用掩膜包含一种低刻蚀选择比和一种较高刻蚀选择比的两种掩膜，分别用于形成栅槽下半部分的斜面和垂直面结构；S90，为得到栅槽，对碳化硅进行第二次刻蚀，刻蚀掩膜为刻蚀选择比较高的掩膜，用于形成两侧都为垂直面的槽；S100，高温干氧氧化形成栅介质。本发明保证栅氧化层的可靠性，在器件反向阻断时，栅氧化层的电场强度能降低到很低，并且施加保护结构后也不影响器件的正向导通性能，保证导通电阻不会增加，电流输出能力不会降低。
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