公开(公告)号：CN112838138B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202011632158.2

申请日：2020-12-31

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H10N30/00

Abstract: 本发明公开了一种柔性触敏元件及制备方法，本发明在两金属电极之间填充由掺杂GaInAsSb和PDMS形成的复合材料；本发明触摸情况下，复合材料电阻发生变化，实现对触摸行为的感知，可用于柔性电子皮肤领域。掺杂GaInAsSb是窄禁带半导体材料，可实现人体发射红外光的探测。PDMS为带孔隙能够透气透湿的柔性有机硅材料。掺杂GaInAsSb粉末分散于PDMS中形成的复合材料，具有柔性的特点。在人体外压情况下，掺杂GaInAsSb粉末的接触程度发生变化引起复合材料阻值的变换，同时外压处人体辐射的红外光激发掺杂GaInAsSb产生光电导效应，引起复合材料的电阻的改变，由此，复合材料完成对触摸的感知。

公开(公告)号：CN112941466B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110122717.3

申请日：2021-01-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  彭雪 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，现有技术中贵金属元素掺杂后，可以改变h‑BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯，h‑BN单分子层薄膜的制备非常困难；本发明采用氨硼烷和金作为h‑BN前驱物和掺杂剂，通过气相法在基底上制备出金掺杂h‑BN薄膜，厚度从单分子层厚度到20nm。制备的h‑BN其光学、电学性能可通过金掺杂量进行调节。

公开(公告)号：CN113285005B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110593629.1

申请日：2021-05-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 彭雪 ,  吕燕飞 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/70 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明公开了一种近红外发光器件的制备方法，本发明将近红外荧光材料涂覆到能发射短波长光的电致发光二极管(LED)表面，制备了近红外发射器件；所述的近红外荧光材料为核壳结构的磷化亚铜‑氧化亚铜复合材料。在短波长光LED的激发下，能够发射近红外光。本发明制备的器件发射波长为750nm附近的近红外光；器件结构简单，制备方法简便。

公开(公告)号：CN113136641B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202110275151.8

申请日：2021-03-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  彭雪 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC: D01F9/14 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。

公开(公告)号：CN113247943B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202110593633.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 彭雪 ,  吕燕飞 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC: C01G3/02 ,  C01B25/08

Abstract: 本发明公开了一种磷化亚铜‑氧化亚铜复合材料的制备方法，本发明首先合成纳米磷化亚铜，然后在其外部包裹一层氧化亚铜，形成核壳结构(Cu3P@Cu2O)复合材料；本发明氧化亚铜在纳米磷化亚铜表面生长，形成核壳结构，这种结构提高材料的光致发光性能。另外，本方法制备简单，成本低。

公开(公告)号：CN110699077B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201910859649.1

申请日：2019-09-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵士超 ,  徐竹华 ,  吕燕飞

IPC: C09K11/66

Abstract: 本发明公开了一种含铯、铅、碘的发光材料的制备方法，本发明将铅的第一主族卤素化合物与铯的第一主族卤素化合物混合后，加入硫代硫酸钠，配合成溶液，将溶液加热后得到含铯、铅、碘的发光材料。本发明在空气中，水溶液环境下合成了性能稳定的含铯、铅、碘的发光材料，这有助于推动该类材料的研究和应用。

公开(公告)号：CN109346611B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201811124266.1

申请日：2018-09-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  徐竹华 ,  赵士超

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明公开了一种光探测器原型器件的制备方法，本发明在铜薄膜基底上生长石墨烯，通过热氧化在铜基底与石墨烯两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属电极完成器件的制备。本发明具有厚度薄、光响应快、柔性好的优点。

公开(公告)号：CN114284384A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111617503.X

申请日：2021-12-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 彭雪 ,  郭欣 ,  蔡庆锋 ,  陈蔓汝 ,  吕燕飞 ,  席俊华 ,  赵士超

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电探测器的制备方法，本发明首先在铜箔片表面生长磷化亚铜，然后，在磷化亚铜表面沉积铝掺杂n型氧化锌薄膜；最后在氧化锌表面沉积铝电极获得器件。本发明在铜箔表面沉积磷化亚铜和氧化锌构成的光电器件，制作方法简单，器件性能重复性高，制备器件所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光探测性能较好。

公开(公告)号：CN114150291A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111490272.0

申请日：2021-12-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 彭雪 ,  吕燕飞 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片(SiO2/Si)为基底，采用采用化学气相沉积法(CVD)在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜。本发明薄膜制备的重复性好、晶体结晶质量高。制备的磷化亚铜二维薄膜厚度为2‑10nm。

公开(公告)号：CN112850669A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110122727.7

申请日：2021-01-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕燕飞 ,  彭雪 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC: C01B25/08 ,  B82Y30/00 ,  B01J27/185 ,  B01J35/02

Abstract: 本发明公开了一种钯铜磷化物异质二聚体材料的制备方法，本发明采用红磷、氯化钯作为磷化钯、磷化亚铜异质二聚体的前驱物，在硅基底上通过气固反应，制备磷化钯‑磷化亚铜异质二聚体材料。制备的材料可用于光催化领域。本发明将双金属高温下磷化在硅基片表面制备成双金属磷化物纳米晶体，该材料存在磷化钯和磷化亚铜的晶界，能够增强磷化物的光催化性能。