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公开(公告)号：CN1333387C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1329887C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510059498.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在衬底上形成包含基本上选自Cu、Ni、Rh和Pt中的金属晶粒的晶粒直径控制结晶层。然后，在上述晶粒直径控制层的表面上形成选自氧和碳中的至少一种元素的淀积原子层。在淀积原子的晶粒直径控制结晶层上淀积磁记录层。从而，得到其中磁性晶粒具有较小的晶粒直径和较小的晶粒直径分布的磁记录媒体，且该磁记录媒体在高记录密度的条件下表现出改进的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1822111A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510134190.7
申请日：2005-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在衬底(1)和磁记录层(6)之间形成至少三个底层，即，包含选自Ag、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Hf、Re、Ru、Ti、Ta、Zr、Mg和Al的至少一种元素作为主要成分的第一底层(3)、包含Mg或Al和Si的第二底层(4)和包含选自Pt、Pd、Ru、Rh、Co和Ti的至少一种元素作为主要成分的第三底层(5)。
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公开(公告)号：CN1674106A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059498.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在衬底上形成包含基本上选自Cu、Ni、Rh和Pt中的金属晶粒的晶粒直径控制结晶层。然后，在上述晶粒直径控制层的表面上形成选自氧和碳中的至少一种元素的淀积原子层。在淀积原子的晶粒直径控制结晶层上淀积磁记录层。从而，得到其中磁性晶粒具有较小的晶粒直径和较小的晶粒直径分布的磁记录媒体，且该磁记录媒体在高记录密度的条件下表现出改进的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1674104A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059472.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , H01F10/007 , Y10T428/25
Abstract: 获得适于达到低噪声高磁记录密度的垂直磁记录介质。该介质具有小平均磁颗粒直径，小磁颗粒直径分布，高垂直结晶磁颗粒取向和高规则性磁颗粒排列。垂直磁记录介质包括衬底上的软磁层，颗粒底层和垂直磁记录层。在金属底层上形成颗粒底层。颗粒层中的金属颗粒被非磁性颗粒间材料分隔，并且部分穿入到金属底层中。在颗粒层上形成垂直磁记录层。于是垂直磁记录介质表现出高信噪比和极好的高密度记录特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1674101A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN114512149B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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公开(公告)号：CN118588118A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058923.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。所述第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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公开(公告)号：CN118588117A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058164.5
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层。在记录动作中施加于第1磁极与第2磁极之间的元件电压比第2正峰电压高。
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公开(公告)号：CN118588116A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058096.2
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件。磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。第5磁性层包含Fe、Co及Ni中的至少一种、和从由Cr、V、Mn、Ti、N及Sc构成的组中选择出的至少一种第1元素。第5非磁性层包含从由Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W构成的组中选择出的至少一种。第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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