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公开(公告)号：CN103198995A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310102064.8
申请日：2013-03-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/244
Abstract: 采用LuAG-Ce荧光屏实现的毛细管放电极紫外光刻光源等离子体状态检测系统，它属于极紫外光刻光源等离子体状态检测技术领域。本发明为了解决现有的极紫外光刻光源等离子体常规检测系统价格昂贵，结构复杂的问题。毛细管输出的极紫外辐射光经过LuAG-Ce荧光屏转换为可见光，该可见光入射到聚焦系统，经该聚焦系统透射的可见光成像于可见光CCD图像传感器上，该可见光CCD图像传感器通过信号线与计算机连接。本发明适用于毛细管放电极紫外光刻光源中等离子状态检测系统中。
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公开(公告)号：CN102496551A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110385541.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用毛细管放电极紫外光刻光源产生EUV辐射光的方法，属于极紫外光刻光源技术领域。它解决了毛细管在EUV光刻光源中，产生的放电碎屑过多易损坏后续的光学收集系统的问题。本发明产生EUV辐射光的方法为，分别通过输气管路同时向毛细管中输入Xe气和Ar气，所述Xe气的流量为0.2sccm～2sccm，Ar气的流量为0.2sccm～10sccm，然后在毛细管两端加载高压脉冲电源，实现13.5nm波长的辐射光输出。本发明适用于产生EUV辐射光。
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公开(公告)号：CN100498379C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710072569.9
申请日：2007-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 一种纳秒级分辨率的X射线二极管，它涉及一种X射线二极管，为了解决现有的X射线二极管的结构复杂的问题。本发明由阳极金属网、阴极金属和偏压测量电路组成，所述的阳极金属网与阴极金属相对平行设置，偏压测量电路连接阴极金属，所述的偏压测量电路由第一电阻、第二电阻和电容组成，所述的第一电阻的一端连接阴极金属和电容的一端，电容的另一端连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端接地，第一电阻的另一端作为偏压输入端和信号输出端。本发明简化了普通X射线二极管的结构，其可在较低真空度和偏压下工作。
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公开(公告)号：CN101211731A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710144906.0
申请日：2007-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 微波硫灯灯泡的制备方法，它涉及硫灯灯泡的制备方法。它解决了现有制备工艺不能保证灯泡内具有高真空度，而充入硫粉纯度及硫和Ar气的充入量不易控制，使制得的硫灯的发光亮度及效率、显色性和使用寿命都较低的问题。本发明的制备方法为：一、制备装置；二、加热抽真空，使装置内真空度维持在2～8×10－4Pa；三、将玻璃容器上方的凸出的玻璃尖砸裂；四、采用马弗炉将玻璃容器中的硫粉加温，使玻璃容器内的硫粉蒸发至石英灯泡内；五、待硫粉完全蒸发后冷却至室温，再将灯泡内抽真空并充入Ar气，即制得微波硫灯灯泡。本发明制得的灯泡其发光光谱接近于太阳光谱，显色指数达到82，由于灯泡内的高真空度和高纯度的硫显著地提高了灯泡的使用寿命。
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公开(公告)号：CN205691506U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620534576.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/67
Abstract: 采用光敏荧光屏实现对毛细管放电极紫外光源等离子体状态检测的装置，涉及毛细管放电极紫外光源等离子体状态的检测技术。目的是为了解决现有的检测方法对极紫外光源的功率要求较高、以及CCD相机成本高的问题。本实用新型的LuAG‑Ce荧光屏用于接收毛细管放电极紫外光源发出的极紫外光，并产生可见光，聚焦透镜将LuAG‑Ce荧光屏产生的可见光聚焦到可见光CCD图像传感器上，计算机对可见光CCD图像传感器得到的光斑图像进行处理，并依据公式反演推算出等离子体状态。该装置成本低、对光源功率要求也低，结构简单，适用于对毛细管放电极紫外光源等离子体状态的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205664955U
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201620533264.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 极紫外光源收集镜温度的空间分布测量系统，属于光学测量领域。为了解决常用的纳秒热反射试验装置的两束激光束很难同时聚焦在样品的表面以及信号的信噪比差的问题。所述激光束依次经过二向色镜、分束片和透镜直射在样品上；偏振出射光入射至快速响应探测器；重合激光束经过样品的反射后入射至快速响应探测器；第一激光束、第二激光束分别垂直入射到反光镜上；CCD的表面对第五激光束进行反射后与偏振出射光、第四激光束重合并照射到样品的表面；样品表面反射的激光束经过光阑入射至快速响应探测器。有益效果为很容易的将两束激光束聚焦到样品表面，将信号的信噪比提高一个数量级，适用于对极紫外光源收集镜温度的空间分布进行测量。
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公开(公告)号：CN205665368U
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201620572167.X
申请日：2016-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 毛细管放电Z箍缩极紫外光辐射收集系统的真空室，涉及毛细管放电EUV光源技术，为了解决常规的真空室不适用毛细管放电Z箍缩极紫外光辐射收集系统的问题。包括真空室I和真空室II两部分，真空室I的一端连接放电室，真空室I的另一端与真空室II相连通，放电室与真空室I连接处，设置有光源的毛细管，真空室I和真空室II连接处设置有收集镜支架，多层光学收集镜均固定在收集镜支架上，真空室II的内部还设置有探测系统，用于对EUV光源放电特性和辐射光的动态监测，毛细管与多层光学收集镜之间设置有杂质过滤装置，真空室II的末端用于连接照明系统。本实用新型的真空室不仅具有良好的真空度，而且收集效率高。
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公开(公告)号：CN205665184U
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201620581184.X
申请日：2016-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 等离子体状态时间特性探测设备，涉及毛细管放电Z箍缩获极紫外光的光源技术中等离子体状态时间特性探测技术，目的是为了解决毛细管放电Z箍缩获极紫外光的光源技术中，无法获得等离子体状态的时间演变过程的问题。所述探测设备包括M0/Si反射镜、滤光片和X射线二极管；滤光片的透射谱的中心波长为13.5nm；极紫外光入射至M0/Si反射镜，并被M0/Si反射镜反射，然后经滤光片透射后，入射至X射线二极管的探测面。上述探测设备能够实时获取极紫外光辐射时间特性的探测设备。经过这样一个简易的探测设备，即可将由毛细管输出的极紫外光的时间演变过程观测和记录到，适用于毛细管放电Z箍缩获极紫外光的光源。
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公开(公告)号：CN205734039U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620569388.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于收集镜精加工的加固装置,涉及收集镜精加工过程中的加固技术。为了解决车削收集镜时，收集镜颤抖严重，影响加工质量的问题。该加固装置包括N瓣筒瓣，N瓣筒瓣围成一个套筒，套筒一端的开口大于另一端的开口，套筒的内表面与收集镜的外表面相匹配，套筒套固在收集镜外壁，N为整数。采用本实用新型加工时收集镜不颤抖，收集镜表面粗糙度小于5nm。本实用新型适用于车削精加工中加固收集镜。
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公开(公告)号：CN205673292U
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201620569387.7
申请日：2016-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B08B5/02
Abstract: 毛细管放电Z箍缩极紫外光刻光源光路中杂质过滤装置，涉及杂质过滤技术，为了满足极紫外光刻光源光路中杂质过滤的需求。金属箔片冷阱包括多层金属箔片，每层金属箔片均为圆锥面，多层金属箔片与极紫外光刻光源同轴且依次嵌套，空心支撑管位于金属箔片冷阱的轴线上，支撑条的一端固定在空心支撑管的一端，空心支撑管的另一端固定在收集镜支架上，多根支撑条以空心支撑管为中心，呈放射状均匀分布，金属箔片的一端固定在支撑条的侧部，喷气装置位于毛细管与金属箔片冷阱之间，喷气装置的喷气方向与极紫外光刻光源的中心轴垂直。本实用新型能清除光路中的杂质，保证了光学收集镜不受污染，适用于过滤紫外光刻光源光路中的杂质。
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