半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104016306A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410305073.1

    申请日:2014-06-30

    Inventor: 杨敏 裴林娟 张磊

    Abstract: 半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备方法,它涉及半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备方法。本发明是要解决现有方法以ZSM-5分子筛为载体负载半导体氧化物,导致分子筛孔道易堵,严重影响分子筛的吸附能力且在半导体氧化物/ZSM-5分子筛复合光催化剂体系中,半导体氧化物纳米颗粒中光生载流子分离效率不高的问题。制备方法:一、清洗;二、纳米管生长电解液的制备;三、阳极氧化制备纳米管;四、纳米管的清洗;五、ZSM-5分子筛生长前驱体溶液的制备;六、浸泡搅拌;七、半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备。本发明用于半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备。

    一种沉淀池消能装置
    64.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222266242U

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202421059202.9

    申请日:2024-05-15

    Abstract: 本实用新型涉及一种沉淀池消能装置包括沉淀池底部设置进水管,进水管顶部设置消能鼓,进水管底部设置进水口,沉淀池底部还设置有虹吸泥机,消能鼓包括底座、第一挡板、第二挡板、第三挡板和消能鼓外壁组成,底座为圆环形结构,底座与进水管的顶端固定连接,在底座的内圆环上固定设置第一挡板,外圆环上固定设置第三挡板,第一挡板与第三挡板之间固定设置第二挡板,第一挡板、第二挡板和第三挡板的高度相同,在第一挡板、第二挡板和第三挡板的顶部固定设置消能鼓外壁。本实用新型的有益效果:降低沉淀池进水的强烈射流冲击,提高沉淀池沉淀效率,同时避免短路和污泥分布不均的问题,使用了该装置的沉淀池的出口湍流动能降低了19.38%(从7.57e‑4j/kg降至6.103e‑4j/kg)。

    一种高级还原预处理-生化耦合技术处理难降解废水的系统

    公开(公告)号:CN215480376U

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202120588221.0

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本实用新型提供了一种高级还原预处理‑生化耦合技术处理难降解废水的系统,包括:采用来水水质分析装置对难降解工业(园区)废水中污染物结构特征及其对生物处理影响阈值研究;搭建高级还原反应器,探索最佳反应条件和共存污染物的影响,确定目标污染物降解机制;采用生物降解装置进行生物降解。与现有技术相比,本实用新型能够去除常规工艺无法处理的污染物质,尤其在污染物选择性脱氯、脱氟方面潜力巨大,既减轻了生物毒性,又可给后续生物处理提供碳源。在与生物技术耦合后,利用紫外高级还原技术进行预处理,从而提高废水的可生化性、降低毒性,使得生物处理去除效果和矿化效果更佳。

    一种真空紫外催化去除水中风险有机物的系统

    公开(公告)号:CN215479876U

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202120589460.8

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本实用新型提供了一种真空紫外催化去除水中风险有机物的系统,包括:提升装置;流量控制装置,所述流量控制装置的入口与所述提升装置的进水管相连通;加药混合装置,所述加药混合装置的入口与所述流量控制装置的出口相连通;真空紫外反应装置,所述真空紫外反应装置的入口与所述加药混合装置的出口相连通;分析装置。与现有技术相比,本实用新型凭借高级氧化技术通过产生高氧化性自由基·OH,使其相比传统水处理技术具有氧化效率高,所需反应时间短等巨大优势;高级氧化技术可以通过与真空紫外(VUV)结合,产生少量O3,从而促进强还原性·OH的生成,有利于风险有机物的降解,且可有效减少消毒副产物的生成。相关研发成果为含风险有机物饮用水和回用水等的治理提供重要的理论与技术支持,具有一定的社会效益、经济效益和生态效益。

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