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公开(公告)号：CN115972567A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211702603.7
申请日：2022-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B29C64/124 , B29C64/20 , B29C64/314 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/10 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B33Y70/10
Abstract: 一种基于双引发粘结剂的DLP打印方法，具体涉及一种基于光‑热引发聚合物的DLP3D打印方法，为解决目前DLP3D打印固化不完全，二次固化导致固化成形时间过长，且DLP打印过程中脱模困难的问题。制作光热双引发打印聚合物；打印装置的底板上呈矩形安装有加热棒；将打印装置安装在DLP3D打印机上，打印件安装在底板与打印料槽之间，定位打印机；获得打印模型的切片集，读取每层切片中打印图案位置，记录对应的加热棒编号；确定每张切片的最佳恒定温度；将光热双引发打印聚合物倒入打印料槽中，根据某层的打印图案、加热棒编号、恒定温度打印，等待光固化设定时间，完成单层打印；直至所有切片打印完成。
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公开(公告)号：CN115816822A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211583882.X
申请日：2022-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B29C64/124 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02
Abstract: 一种基于光强控制的DLP3D打印方法及系统，为了解决DLP打印模型因为打印件内部内应力过大而导致打印件固化翘曲的问题，在打印料槽的底端安装液晶板，设定液晶板与离型膜存在距离，得到打印装置并运行，确定DLP打印光强与液晶板控制电压的对应关系、切片灰度信息与液晶板控制电压的对应关系、最佳固化时间；获得3D打印模型的切片集，利用python程序读取第n层切片中打印图案中心点的位置；修改切片中打印图案的灰度值，根据切片灰度信息与电压的对应关系，获得包含多灰度的打印图案；并对液晶板定位使液晶板中的液晶像素点与打印图案中心点的位置信息对应；根据光强与电压的对应关系，获得局部液晶像素点所需的光强，根据最佳固化时间，完成切片打印。
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公开(公告)号：CN114029372A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111335478.6
申请日：2021-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电热管的成型加工机构，包括设置在机台上的下料装置和成型装置，输送桥上贯穿有输送槽，输送槽下方设置有受电机驱动用以驱动电热管输送的驱动轮，在输送桥的前端侧面开设有若干通孔，输送桥的顶部设有缺口，一侧设置有顶出机构，该顶出机构包括气缸、受气缸控制的横杆、安装在横杆上的顶针，电热管经过输送槽时，气缸推动横杆再联动顶针穿过通孔将输送槽内叠在一起的上方的电热管从缺口位置顶出；成型装置对接输送槽内的电热管并进行弯管加工，采用以上技术方案的成型加工机构，在加工的过程中顶出机构会将多余或重叠的电热管顶出，确保每次输送进折弯机头模组内的电热管仅为一根，提高成品率，自动化程度高，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN106904580B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710137965.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用水热法合成1T相‑无序度协同调控的二维纳米片的方法，本发明涉及一种二维纳米片的制备方法，它要解决现有MX2纳米片通常为半导体性质的2H相结构，且较难实现对结晶无序度调控的问题。合成方法：一、按摩尔比为1：2：(2～10)将含过渡金属元素的前驱体化合物、硫属元素的单质或含硫属元素前驱体化合物以及还原剂分散于去离子水中；二、控制加热温度进行水热反应，清洗产物得到二维MX2纳米材料；三、烘干处理。本发明通过水热法实现了一步1T相‑无序度协同调控的二维纳米片，通过调节还原剂的量实现对1T相含量的调控，通过调节水热反应的温度实现纳米片晶格无序度的调节。且得到的二维纳米片具有良好的催化制氢效率。
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公开(公告)号：CN106802202B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710154041.X
申请日：2017-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/25
Abstract: 一种测量各向异性材料平面应力的方法，涉及一种材料平面应力的测量方法。是要解决现有应力检测方法测量精度不高的问题。方法：一、准备待测材料；二、设计4组单向拉伸标定实验，得到4组声时差‑应力曲线；三、对声时差‑应力曲线进行线性拟合，得到四组声应力系数组合表达式及数值；四、联立四组表达式，即得声时差信号与平面主应力的关系式；五、利用测量装置对待测材料在平面应力状态下测量，分别检测三个不同方向的声时差值，代入式联立，即求得平面主应力大小σ1、σ2和方向θ。该方法基于临界折射纵波原理，操作简单、效率高，适用于各向异性材料，可广泛应用于航空航天、武器制造、车辆等领域中复合材料层合板中平面应力的检测和分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109001238A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810995785.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/2005
Abstract: 一种用X射线衍射法测定蓝宝石单晶材料应力的方法，涉及一种测定蓝宝石单晶材料应力的方法。是要解决现有蓝宝石单晶材料的残余应力测量方法的测量精度和准确差的问题。方法：一、选取蓝宝石晶棒材料切割成蓝宝石单晶基片，并将蓝宝石单晶基片进行抛光处理；二、测定方位角和ψ；三、建立关系坐标系并且进行单晶定向，给出样品坐标系S、实验室参考坐标系L和晶体坐标系X；三个坐标系的原点重合；四、得到单晶六方晶系材料的应力应变关系；五、求得蓝宝石单晶材料应力，进而求得σ11、σ12、σ22。本方法具有较高的测量精度和可靠性，可以推广为六方晶系试样单晶应力的测定方法。本发明用于测定六方体晶体材料应力。
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公开(公告)号：CN106542522A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710029303.X
申请日：2017-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184
CPC classification number: C01B2204/20 , C01B2204/22 , C01P2004/03 , C01P2004/30
Abstract: 模板法制备三维石墨烯的方法，它涉及一种模板法制备三维石墨烯的方法。本发明是要解决制备三维多孔氮掺杂石墨烯的成本高、操作复杂的技术问题。本方法：一、制备分散液；二、将稀硝酸、稀硫酸或磷酸加入步骤一所得分散液中，得到沉淀；三、将抽滤所得产物用乙醇重新分散到不同形状的模具中，干燥，得到前驱体；四、将前驱体在氩气或氮气的条件下升温并保温，再升温保温，即得三维石墨烯。本发明利用廉价的三聚氰胺或双氰胺为原料，制备出的三维石墨烯约为10元/g，远低于目前市售石墨烯的价格(目前石墨烯的市场售价约为100-1000元/g)，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN102618930B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN102586879A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210074358.X
申请日：2012-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于AlN晶体生长的图形化衬底，涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中，AlN籽晶成本高，SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a2的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a1，图形单元的高度为c1，其中，a1＝n1a，c1＝n1c，a2＝n2a1，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n1≤15×107，1＜n2≤3。图形化衬底的制备工艺简单。生长出的AlN晶体具有直径尺寸大，缺陷密度低的优点。
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公开(公告)号：CN101948314A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010284702.9
申请日：2010-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiCnm超高温陶瓷复合材料的制备方法，它涉及一种超高温陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备ZrB2-SiCnm超高温陶瓷复合材料的工艺复杂、设备昂贵且制备周期长，得到的产品晶粒粗大的问题。制备方法：一、将纳米SiC粉末与微米ZrB2粉末放入行星式球磨机混合均匀，然后把ZrB2-SiCnm预混合粉装入无缝钢管内；二、将圆锥形木块的底面粘到无缝钢管顶端端面上，装炸药；三、实施爆破；四、将爆炸压实后得到的无缝钢管在真空条件下热处理，冷却后去掉无缝钢管，得到直径为10～14mm、长度为96～160mm的ZrB2-SiCnm超高温陶瓷复合材料。此方法制备工艺操作简单、容易合成、设备成本低廉，得到的产品致密度高且纳米晶粒几乎不长大，适合工业化生产。
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