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公开(公告)号：CN109360880A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811234462.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
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公开(公告)号：CN108933187A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810947645.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明还提出了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片制备方法。本发明能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN108461597A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810107474.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/40
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管电极装置，该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；其中N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触；其中P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。本发明有利于提高器件的电光转换效率，方法简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN108389894A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810270885.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本发明在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN108305920A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1-x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1-y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107675141A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: C23C16/34
CPC classification number: C23C16/303
Abstract: 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN104815805B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510120826.6
申请日：2015-03-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的自动筛选系统和筛选方法，特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中所产生的正向漏电不良的LED芯片。该自动筛选系统包括自动载物台、荧光显微镜、光学检测机和芯片拾取装置，自动载物台可在计算机的控制下沿XYZ轴运动，具有承载LED芯片、自动切换检测对象和自动聚焦的功能，光学检测机用以采集、显示和分析LED芯片的荧光图像，正常LED芯片和正向漏电流不良LED芯片会出现不同的荧光强度和颜色差异，据此光学检测机可判断LED芯片是否合格并输出相关信息，芯片拾取装置用以完成LED芯片的筛除工作。该筛选系统和筛选方法可自动检测并筛除正向漏电不合格的LED芯片，且该筛选系统及筛选方法无需接触LED芯片，不会给芯片造成二次损伤。
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公开(公告)号：CN106910804A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106784208A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611036779.8
申请日：2016-11-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个材料生长衬底；层叠于所述衬底上的GaN基半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN基半导体层、一层P型AlInGaN基半导体层和夹于N、P层之间的多量子阱发光有源层；特征是：在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。本发明提高了电子注入主要发光阱的势垒，同时也提高了空穴溢出主要发光阱的势垒；可提高主要发光阱中的电子空穴匹配度，减少电子泄露，改善效率骤降效应，从而提高LED的量子效率。
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公开(公告)号：CN104347762B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410483425.2
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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