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公开(公告)号：CN103094350B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310049146.0
申请日：2013-02-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103094350A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310049146.0
申请日：2013-02-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113872604B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111128198.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种可降低分数杂散和高频量化噪声的Σ‑Δ调制器，属于集成电路设计领域。Σ‑Δ调制器一端连接除4除法器，另一端连接陷波滤波器，除4除法器用于接收外部数据信号，陷波滤波器输出调制后的数据信号，Σ‑Δ调制器包括19位CLA、第一24位CLA、第二24位CLA、1比特寄存器以及噪声消除电路，19位CLA分别与除4除法器和第一24位CLA连接，第一24位CLA与第二24位CLA连接；噪声消除电路的输入端通过1位寄存器分别与19位CLA、第一24位CLA、第二24位CLA连接，噪声消除电路与陷波滤波器连接。本发明通过两种MASH结构组合并加入陷波滤波器结构，得到更加平滑的量化噪声功率谱；同时降低高频处的量化噪声分量以及减小锁相环路中的非线性因素对相位噪声的影响。
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公开(公告)号：CN118093479A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410257502.6
申请日：2024-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种兼容NRZ/PAM4/PAM8信号的阈值电压跟踪电路及其控制方法，属于集成电路设计技术领域；该电路包括信号采样器、1：N解串器、格雷码解码器、有效位检测电路、比较器、选择器、计数器、DAC以及扫描中值逻辑电路；信号采样器连接外部NRZ/PAM4/PAM8数据信号IN、DAC和1：N解串器输入端；1：N解串器连接格雷码解码器，格雷码解码器连接有效位检测电路；有效位检测电路输连接比较器，比较器连接选择器，选择器连接计数器，计数器连接扫描中值逻辑电路。本发明通过格雷码解码器对NRZ/PAM4/PAM8信号解码后有效位统计特征设计了“粗调+细调”的阈值电压跟踪环路，实现电路码元的极强兼容性，降低了功耗、面积和对于前端电路的负载电容，减少了接收机系统的带宽成本。
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公开(公告)号：CN109149788B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201811085877.X
申请日：2018-09-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种射频能量收集系统及控制方法，其中射频能量收集系统包括射频天线、控制电路、匹配升压网络、RF‑DC整流器、自启动电路、迟滞电压比较器、VDD端能量存储单元、VL端能量存储单元、开关SL、电压检测电路、VST端备用能量存储单元、第一能量转换电路、第二能量转换电路、LDO稳压电路和基准电流源及参考电压产生电路。本发明改进了已有电路的结构，并对各电路模块进行性能优化和结构创新，提高了整个收集系统的灵敏度，同时能管理存储的能量。此外，本发明具有低功耗，完全自动化，电压波纹低等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109379051A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811079224.0
申请日：2018-09-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双模式高增益、低噪声的宽带低噪声放大器，包括一对共栅级输入NMOS管、一对有源电流源NMOS管、三对交叉耦合电容、一对共漏级NMOS管、一对实现正反馈通路的PMOS管、一对模式切换PMOS管，一对负载电阻以及一对峰化电感。本发明低噪声放大器基于共栅级结构，通过正负反馈技术来增大跨导和输出阻抗从而实现较高增益和较低噪声系数，以有源电流源代替传统的电感形式，节省了芯片面积。通过并联峰化技术拓展带宽，采用可切换负载阻抗的电路结构实现模式的切换来分别获得高增益和高线性度。本发明具有双模式，宽带，较好的增益和噪声性能等优点。
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公开(公告)号：CN109149788A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811085877.X
申请日：2018-09-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种射频能量收集系统及控制方法，其中射频能量收集系统包括射频天线、控制电路、匹配升压网络、RF‑DC整流器、自启动电路、迟滞电压比较器、VDD端能量存储单元、VL端能量存储单元、开关SL、电压检测电路、VST端备用能量存储单元、第一能量转换电路、第二能量转换电路、LDO稳压电路和基准电流源及参考电压产生电路。本发明改进了已有电路的结构，并对各电路模块进行性能优化和结构创新，提高了整个收集系统的灵敏度，同时能管理存储的能量。此外，本发明具有低功耗，完全自动化，电压波纹低等特点。
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公开(公告)号：CN108768302A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810477699.9
申请日：2018-05-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种除三注入锁定分频器，其特征是，包括一个电感电容谐振腔、两个注入晶体管、一个除二分频电路、两个峰化电感和一对交叉耦合晶体管构成的负阻电路；所述的负阻电路与串联在注入晶体管两端的电感相连；所述除二分频电路和两个所述注入晶体管的公共源端相连接。本发明所达到的有益效果：1)峰化电感电路可减小注入晶体管的死区电压，降低注入晶体管的寄生电容，增加有效跨导，提高了二次谐波的注入效率和能量，以增大注入晶体管的工作范围；2)二次谐波经过除二分频后与通过注入晶体管混频后获得的信号一起经过滤波器后输出，进一步提高了电路的锁定范围。
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公开(公告)号：CN103746671B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410035279.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03H17/02
Abstract: 本发明公开了一种高增益、高补偿范围的均衡滤波器。该均衡滤波器由两级级联差分放大器和一级反馈差分放大器组成。本发明对传统有源负反馈均衡滤波器结构进行改进，使负反馈的反馈量可调，以提高高频增益的可变范围，从而增大均衡器的补偿能力。为实现反馈量可调，在普通的反馈差分放大器中引入源极负反馈技术，也就是在反馈差分对源极增加并联可变电阻和可变电容。通过控制可变电阻和可变电容的大小就能分别改变低频和高频反馈量，进而控制低频、高频增益及其可调范围。此外，本发明还可以通过多级级联实现更高的电路性能。本发明具有带宽大，增益补偿能力强，增益补偿范围大等优点。
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公开(公告)号：CN103746661B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410035310.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明公开了一种双模式低噪声放大器，属于射频集成电路设计领域。该放大器包含低噪声放大器LNA核心电路和双模式开关可控的复制型偏置电路，且开关可控的复制型偏置电路为核心电路提供所需的所有偏置；通过控制开关可控的复制型偏置电路的开关S来使LNA核心电路工作于不同的两种状态，即高增益模式和高线性度模式；其中，当开关S的不动端c连接开关S的动端a时，LNA工作于高线性度模式；当开关S的不动端c连接开关S的触点动端b时，LNA工作于高增益模式。该电路中的偏置电路完全复制放大电路且偏置电路采用电流镜结构，使得整个电路的电流均由基准电流源控制，从而抑制了PVT变化的影响。
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