公开(公告)号：CN119815941A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411928621.6

申请日：2024-12-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  郝曲曲 ,  陈亮 ,  王文樑

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/42 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  B82Y30/00

Abstract: 本申请提出一种Cu2O/InGaN异质结可见光探测器及其制备方法和应用，所述光探测器包括衬底、缓冲层、InGaN功能层、Cu2O层和层和位于所述Cu2O层上的贵金属纳米颗粒，其中Cu2O与InGaN形成Ⅱ型异质结，在接触界面构建内建电场，使光生电子加快流向InGaN方向，推动载流子的有效分离与输运，增大光电流和响应度，提升响应速度；并且位于Cu2O层上的贵金属纳米颗粒进一步与InGaN共振耦合，增加光生载流子的数量，提高探测器的光电耦合效率，是一种结构简单，高灵敏和高速光响应的可见光探测器。并可采用现有的一些器件的制备方法进行制备，能够直接生产，制备方法简单、省时高效。

公开(公告)号：CN110690317B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201911056006.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  郑昱林 ,  王文樑 ,  唐鑫 ,  柴吉星 ,  孔德麒

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  C23C14/30 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器及其制备方法。所述自供电紫外探测器，自下至上依次包括衬底、GaN纳米柱阵列、所述GaN纳米柱阵列顶上支撑着的单层MoS2薄膜；所述单层MoS2薄膜上设有第一金属电极；所述GaN纳米柱阵列底端处设有第二金属电极。本发明提供了一种旋涂湿法转移的方法将单层MoS2薄膜转移至生长的GaN纳米柱阵列顶部形成异质结，并利用了MoS2‑GaN异质结的PV效应，制备了自供电紫外探测器，极大程度减小了器件的尺寸体积，对光电集成器件应用前景重大。

公开(公告)号：CN113972293B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202111132346.3

申请日：2021-09-26

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  孔德麒 ,  王文樑 ,  陈亮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测器的技术领域，公开了一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用。所述光电探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、InGaN层和MoSe2层，MoSe2层部分覆盖InGaN层；光电探测器还包括阻隔层和电极层；阻隔层设置在未被MoSe2层覆盖的InGaN层及部分MoSe2层上，电极层设置在阻隔层上并覆盖部分MoSe2层上裸露部分。本发明还公开了探测器的制备方法。本发明的探测器实现红光与蓝光同时探测；在探测芯片表面进行增敏微纳结构设计，提升了蓝光与红光波段的量子效率，增强蓝光与红光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。本发明的探测器用于蓝光和/或红光多频谱光电探测。

公开(公告)号：CN110224042B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201910535061.0

申请日：2019-06-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  郑昱林 ,  王文樑

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法。所述可弯曲式场效应光电晶体管，自下至上依次包括柔性衬底、二维Ga2S3纳米片，且所述二维Ga2S3纳米片层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本发明提供了一种在SiO2/Si衬底上直接用CVD法直接外延生长大面积Ga2S3材料，再通过机械剥离转移实现了柔性化可弯曲式场效应光电晶体管的制备，制备方法具有工艺简单、省时高效以及能耗低的特点，有利于规模化生产。本发明的场效应光电晶体管可应用于智能穿戴、弯曲显示、工业自动控制、可见光通信等领域，经济效益可观。

公开(公告)号：CN116053305B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310040186.2

申请日：2023-01-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  侯冬曼 ,  周润杰 ,  李国强 ,  林廷钧 ,  赖全光 ,  肖嘉莹

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有双层异质结构的混合阳极GaN整流芯片及制备方法，由下至上依次层叠设置衬底、GaN层、第一势垒层及第二势垒层，所述第一势垒层与GaN层形成异质结，所述第二势垒层与第一势垒层形成异质结，双层异质结形成双层二维电子气，实现电子气的展宽，所述第二势垒层的上表面设置阴极结构和肖特基混合阳极结构。本发明与传统的SBD整流芯片相比，具有低开启电压、高工作电流等优点。

公开(公告)号：CN117802530A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311675805.1

申请日：2023-12-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  吴浩扬 ,  王俊锟 ,  谢少华 ,  王文樑

IPC: C25B11/095 ,  C25B11/059 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明公开了一种基于InGaN/CoNi‑MOF异质结光电极及其制备方法与应用；该异质结构包括Si衬底、生长在Si衬底上的InGaN纳米柱、以及负载在InGaN纳米柱表面的CoNi‑MOF。本发明所制备的InGaN/CoNi‑MOF异质结光电极，MOF结构可以有效增加催化活性位点，提高InGaN纳米柱光生载流子的输运特性，从而显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时，本发明所提出的刻蚀转移法可以解决MOF在纳米柱上生长调控困难的问题，为MOF在其他衬底上的制备提供新的思路。本发明公开的基于InGaN/CoNi‑MOF异质结光电极材料具有较多的催化位点，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。

公开(公告)号：CN113972298B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202111151502.0

申请日：2021-09-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  陈胜 ,  王文樑 ,  柴吉星

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种自供电偏振可见光探测器及制备方法与应用，所述自供电偏振可见光探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、功能层、SiO2隔离层和金属电极层，其中：缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层；功能层包括InGaN层、石墨烯层和GeS2层，石墨烯层作为GeS2层和InGaN层之间的电子传输层；SiO2隔离层在InGaN层上；金属电极层分别在GeS2层和InGaN层上。本发明通过在InGaN层上转移石墨烯并磁控溅射沉积GeS2薄膜形成异质复合薄膜，可以有效提高可见光探测性能，在提高器件的光电流与响应度的同时，能有效限制器件的暗电流与噪声，实现偏振选择探测。

公开(公告)号：CN117712216A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311552429.7

申请日：2023-11-21

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  李林浩 ,  李国强

IPC: H01L31/108 ,  G01D5/26 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种Pd等离激元‑Nb2C混合胶体溶液的制备方法，包括以下步骤：将PdCl2与Nb2CTx混合，搅拌1.5‑2h；进行离心洗涤，取下层浊液，加入去离子水，重复多次，得到Pd等离激元‑Nb2C混合胶体溶液。本发明还公开了应用上述制备方法制备的AlGaN基紫外光电探测器的肖特基接触电极、包含上述肖特基接触电极的AlGaN基紫外光电探测器及制备方法。本发明在肖特基接触电极结构表面覆盖一层等离激元阵列，通过增强局域电场和光吸收，增大光电流；利用了Nb2CTx溶液的还原性，还原制备Pd等离激元结构，工艺简单，更具有经济性和普适性。

公开(公告)号：CN114899258B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202210363310.4

申请日：2022-04-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  段建华 ,  李国强

IPC: H01L31/036 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种非极性AlGaN基深紫外光电探测器外延结构及其制备方法，所述非极性AlGaN基深紫外光电探测器外延结构包括：在LaAlO3衬底上依次生长非极性AlN缓冲层、非极性Al0.15Ga0.85N缓冲层和非极性Al0.7Ga0.3N外延层，其中，LaAlO3衬底以(100)面为外延面，以AlN[11‑20]为外延生长方向。本发明采用LaAlO3为衬底，减少衬底与外延缓冲层之间的位错与应力，同时设计两层组分不同的AlGaN外延缓冲层的结构，降低了非极性AlGaN外延层材料的位错密度和表面粗糙度，进一步增大了探测器的光响应度与探测率，整体增强了非极性AlGaN基深紫外光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN117525121A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311306865.6

申请日：2023-10-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  周润杰 ,  王文樑

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种基于ITO欧姆接触的整流芯片及其制备方法；包括从下至上依次层叠设置的衬底、GaN层、AlGaN层、欧姆阴极结构/钝化层/肖特基阳极结构；所述欧姆阴极结构和肖特基阳极结构分别位于AlGaN层上表面两端；所述欧姆阴极结构为在AlGaN上表面依次沉积的ITO层和第一金属，该ITO层和第一金属之间进行电气连接，两者之间保持相同电位；所述肖特基阳极结构为在AlGaN上表面沉积的第二金属；所述钝化层沉积在AlGaN层上表面，并位于欧姆阴极结构和肖特基阳极结构之间。本发明采用ITO中间层结构能够改善AlGaN材料与金属电极之间的接触性能和稳定性，提高器件的性能和寿命。