一种原子层热电堆热流传感器的封装结构及封装工艺

    公开(公告)号:CN110828648A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911278989.1

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种原子层热电堆热流传感器的封装结构及封装工艺,其封装结构包括:基座;封装套,其与基座之间为紧密配合;敏感元件,其固定于基座上,且其外表面与封装套上端面齐平;引线孔Ⅰ,其位于基座中,且设置在基座上端;敏感元件的结构包括:钛酸锶晶片,其上开设有引线孔Ⅱ,引线孔Ⅱ位于引线孔Ⅰ正上方;热电效应薄膜,其沉积在钛酸锶晶片上;导电金膜,其沉积在钛酸锶晶片上,且位于热电效应薄膜两端;导线槽,其开设在基座中;银导线,其固定在导线槽中,且银导线穿过引线孔Ⅰ和引线孔Ⅱ,本发明提供的热流传感器封装结构及封装工艺避免了大深径比的细小孔加工难度,实现了导线的有效固定。

    一种基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法

    公开(公告)号:CN108467007B

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201810348331.2

    申请日:2018-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法。MEMS摩阻传感器分解为浮动元件、硅微结构、电极基板、接口电路和封装管壳5个部分,硅微结构和电极基板采用MEMS加工工艺制作,浮动元件采用和装管壳采用精密机械加工技术制作,接口电路采用陶瓷基精密微带电路技术制作。MEMS摩阻传感器采用专门的微组装设备和微组装工艺,微组装设备由精密视觉定位系统、三自由度微操作对准平台、真空吸头和图像辨识系统构成;利用视觉精密定位和微操作对准技术完成MEMS摩阻传感器的组装。本发明的基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法,提高了MEMS摩阻传感器加工、组装精度,进而提高了其在高超声速风洞内表面摩擦阻力测量的精准度。

    一种风洞自由振荡试验的低阻尼俯仰动态支撑装置

    公开(公告)号:CN213688871U

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202120030665.2

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本实用新型公开了一种风洞自由振荡试验的低阻尼俯仰动态支撑装置,所述试验模型分为试验模型前段和试验模型后段,所述试验模型前段固定于试验模型后段的一端,所述俯仰动态调整机构连接于试验模型后段内,所述自动锁紧机构连接于俯仰动态调整机构的一端,所述自动锁紧机构远离俯仰动态调整机构的一端与通气尾支杆组件的另一端相连接,所述角位移测量组件内嵌于俯仰动态调整机构。本实用新型中,与现有张线、条带、机械轴承和常规气浮轴承等类型的动态支撑装置比较,本俯仰动态支撑装置结构紧凑、体积小,能够内置于试验模型质心附近允许的较小安装空间内,与风洞流场互不产生干扰,符合高超声速风洞试验的基本要求。

    一种基于视觉定位技术的MEMS摩阻传感器自动封装设备

    公开(公告)号:CN214218166U

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202120029372.2

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于视觉定位技术的MEMS摩阻传感器自动封装设备,所述X轴底座固定在机架底板顶部,所述X轴导轨和X轴滑块固定在X轴底座上,所述X轴滑块的顶部与Y轴底座的底部固定连接;所述视觉定位模块包括上相机安装板、上视觉相机、上光源、下相机安装板、下视觉相机和下光源,所述上相机安装板与U轴滑块固定连接,所述上视觉相机和上光源固定安装在上相机安装板的外侧,所述下相机安装板固定安装在机架底板上;MEMS摩阻传感器自动封装设备能够有效提高MEMS摩阻传感器组装、封装的一致性和精度,进而提升高超声速风洞模型表面摩阻测量试验的精准度。

    一种FPGA焊点电阻检测电路
    67.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207528819U

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201721636103.2

    申请日:2017-11-30

    Abstract: 本实用新型公开了一种FPGA焊点电阻检测电路,由内部检测电路和外部检测电路组成,可以对FPGA引脚的焊点电阻进行检测,同时该引脚可以用于输出信号Sig的传输,并在重建的输出信号Sig_R处重建。基于时分复用,由测试逻辑输出控制信号控制多路选择器输出,检测过程由输出检测信号、反馈信号通过放电、充电外部电路(主要是C1)并基于充电时间计算焊点电阻R0,不进行检测时由电阻R2、电容C2在Sig_R处保持Sig信号,并提供驱动负载Rin需要的能量。基于该电路的FPGA焊点电阻检测,可以将待测引脚用于功能设计,且具有较低的检测功耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种新型原子层热电堆热流传感器

    公开(公告)号:CN211717656U

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202020839104.2

    申请日:2020-05-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种新型原子层热电堆热流传感器,包括:基座,其表面设置有电绝缘氧化层,且基座上端面开设有安装凹槽,基座内开设有引线槽;方形敏感元件,其固定在安装凹槽中;封装套,其紧密套设在基座外部;方形敏感元件的结构包括:方形钛酸锶晶片;热电效应薄膜,其设置在方形钛酸锶晶片上;两个导电金膜,其设置在方形钛酸锶晶片上,且导电金膜与热电效应薄膜两端为电连接;银导线,其固定在引线槽内;锥形导线孔,其开设在基座中,银导线穿过锥形导线孔,并与导电金膜电连接。本实用新型避免了将方形晶片加工成圆形晶片以及在加工后的圆形晶片上开小通孔的加工难度,减少了传感器制备的工序和难度,降低了传感器制备费用。

    一种原子层热电堆热流传感器的封装结构

    公开(公告)号:CN210628346U

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201922230062.2

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本实用新型公开了一种原子层热电堆热流传感器的封装结构及封装工艺,其封装结构包括:基座;封装套,其与基座之间为紧密配合;敏感元件,其固定于基座上,且其外表面与封装套上端面齐平;引线孔Ⅰ,其位于基座中,且设置在基座上端;敏感元件的结构包括:钛酸锶晶片,其上开设有引线孔Ⅱ,引线孔Ⅱ位于引线孔Ⅰ正上方;热电效应薄膜,其沉积在钛酸锶晶片上;导电金膜,其沉积在钛酸锶晶片上,且位于热电效应薄膜两端;导线槽,其开设在基座中;银导线,其固定在导线槽中,且银导线穿过引线孔Ⅰ和引线孔Ⅱ,本实用新型提供的热流传感器封装结构及封装工艺避免了大深径比的细小孔加工难度,实现了导线的有效固定。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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