公开(公告)号：CN101234745A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710003229.0

申请日：2007-02-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  吴烨娴 ,  赵刚

IPC: B81C3/00

Abstract: 本发明提供了一种可广泛应用的MEMS器件的气密性封装方法，该方法是一种基于中间层的键合技术，配合涂敷金属等气密性材料来实现气密性封装。所用的中间层材料是光刻胶等具有黏附性的有机物质，在低温低压的情况下就能实现较大的键合强度，并且产生的内应力极小。同时，这种键合方式对上下表面要求也不高，即使表面不是十分平整，也可以成功键合，涂覆上气密性材料后漏气率小于1×10－8cm3/s，完全符合实际应用的要求。

公开(公告)号：CN1803577A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510130663.6

申请日：2005-12-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  杨梅 ,  舒琼

IPC: B81C3/00 ,  G01P15/00 ,  G01C19/00

Abstract: 本发明提供一种基于MEMS的高精度三维微组装方法及其组装件，该方法包括：在衬底上设置一与待装配芯片相匹配的微夹具，并分别在衬底和待装配芯片相应位置上设置对准件和对准配件以及焊料凸点；在微夹具内注入液体，将待装配芯片倒扣在微夹具中，利用对准件和对准配件以及焊料熔融回流将待装配芯片定位在衬底上。本发明使用MEMS工艺加工微夹具，利用表面张力，通过多级对准，可实现三维方向的高精度装配。

公开(公告)号：CN1793833A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510126258.7

申请日：2005-12-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  王莎莎

IPC: G01N13/00

Abstract: 本发明提供一种高灵敏度薄膜应力测试方法，该方法将测试范围集中在衬底的局部，减小该局部基底的厚度，并设计固定的支撑结构；通过测量薄膜淀积前后局部基底的弯曲曲率，得到淀积在基底上的薄膜应力。本发明利用局部基底弯曲来检测薄膜的残余应力，其结构加工工艺和检测方法简单实用，不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点，而且消除了传统基底弯曲法的系统误差，可以用于检测薄膜的局部应力，同时检测精度和灵敏度也得到了极大的提高，可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的残余应力。