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公开(公告)号：CN102967510A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210397912.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/26
Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。
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公开(公告)号：CN102163606B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN102515089A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110433579.7
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。
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公开(公告)号：CN102175932A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110028955.4
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体环境的电荷测试方法和测试系统。该测试系统包括一个采用MEMS与CMOS集成制作的芯片和测试电路，所述芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，通过测试电路测量应变电阻的变化。进行电荷测试时先对积累电荷初步测试，然后泄放电荷再次测量，从而排除干扰项仅保留电荷的影响，计算出电荷积累量。本发明采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163606A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN101478634B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810240593.3
申请日：2008-12-25
Abstract: 本发明公开了一种非制冷阵列式红外图像传感器，属于红外图像传感器制备技术领域。该传感器包括一筒状真空封装的红外图像传感器结构，其包括传感器芯片、管帽和管座，传感器芯片粘接在管座上，管帽和管座通过真空封装结合成一体，所述传感器芯片的压焊丝通过管座的引线被引出，所述管座采用金属材料，在管座下方固定连接一半导体制冷片，该半导体制冷片嵌入到电极引出印刷电路板上，所述电极引出印刷电路板与管座固定连接，在连接处设有绝缘膜片，管座上的引线连接在电极引出印刷电路板上。本发明使用半导体制冷片作为冷源，可保证红外图像传感器吸收的红外能量迅速散去；提高了非制冷阵列式红外图像传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101357825A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN100448771C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510117340.3
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种预测微结构力学特性的方法，其包括以下步骤：(1)制作出一系列版图尺寸不同的检测结构；(2)根据实验得到的这些检测结构的力学特性；(3)由检测结构的版图尺寸和力学特性，反算出修正参数；(4)根据所设计的MEMS结构的版图尺寸，选用相应的版图尺寸的结构所对应的材料修正参数，预测MEMS结构的力学特性。当需要预测采用ICP刻蚀释放的体硅梁的刚度时，可以采用折梁支承的平行板电容器作为检测结构，通过测量其侧向吸合电压得到不同版图宽度和不同间距的体硅梁的修正弯曲刚度或修正弹性模量，用于预测不同版图尺寸的体硅梁的刚度。验证实验表明，对于宽梁、窄梁和中等宽度的体硅梁，本发明提出的新方法都可以准确预测其刚度。
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