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公开(公告)号：CN103840136A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310594381.6
申请日：2013-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 吉川博树
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/13 , C01B33/32 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/364 , C01B33/32 , H01M4/136 , H01M4/5825 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蓄电器件用负极材料及其制造方法，所述蓄电器件用负极材料使用初次充放电效率及大气中的稳定性优异的Si系材料。此外，还提供包含这种负极材料的蓄电器件用电极及蓄电器件以及它们的制造方法。本发明提供一种蓄电器件用负极材料的制造方法，于存在溶剂的情况下，将可吸藏、放出锂离子的Si系材料和锂金属混炼混合，并在该混炼混合后实施热处理来形成硅酸锂，从而制造预掺杂锂的负极材料。
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公开(公告)号：CN101852984B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010158168.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
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公开(公告)号：CN102998894A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210329820.6
申请日：2012-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。
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公开(公告)号：CN102375326A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110310117.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
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公开(公告)号：CN100593755C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610076905.2
申请日：2006-04-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且，在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物，上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比)，为低金属组成，化学稳定性优异，显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成，因此，容易控制相位偏移多层膜的光学特性，能得到所希望的光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636868B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201680032039.9
申请日：2016-04-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其具有负极活性物质颗粒，且所述负极活性物质颗粒具有包含锂化合物的硅化合物SiOx，其中，0.5≤x≤1.6，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，在硅化合物的至少一部分上形成有碳被膜，所述负极活性物质颗粒在硅化合物或是碳被膜的至少一部分表面、或在这双方的至少一部分表面，包含由具有硼‑氟键的化合物和具有磷‑氟键的化合物中的至少一种所构成的被膜，并且，相对于所述负极活性物质颗粒的总量，所述负极活性物质颗粒包含10质量ppm～10000质量ppm的范围内的硼元素或磷元素。由此，本发明提供一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其能够使电池容量增加，且能够使循环特性、电池初始效率提高。
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公开(公告)号：CN105024058B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510195155.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法、以及非水电解质二次电池用负极活性物质层、非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池，所述非水电解质二次电池用负极材料可以增加电池容量，提高循环特性及电池初始效率。为了解决上述问题，提供一种非水电解质二次电池用负极材料，其含有负极活性物质粒子，其特征在于，前述负极活性物质粒子，含有至少一部分被碳被膜覆盖的硅化合物(SiOX:0.5≤x≤1.6)，并且利用飞行时间二次离子质谱仪在其最表层中检测出CyHz系化合物的片段，ζ电位为负。
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公开(公告)号：CN104979524B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510155655.0
申请日：2015-04-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/133 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/136 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/622 , H01M10/052 , H01M2004/021
Abstract: 本发明的目的在于提供一种负极电极及具有此负极电极的非水电解质二次电池，所述负极电极可以增加电池容量，提高循环特性及初始充放电特性。为了解决上述问题，本发明提供了一种非水电解质二次电池负极，其含有由二种以上的负极活性物质和粘合剂所组成的负极活性物质层，其特征在于，作为负极活性物质，含有硅系活性物质与碳系活性物质，所述硅系活性物质是由表层的至少一部分被碳酸锂覆盖的SiOx(满足0.5≤X≤1.6)所组成；作为粘合剂，含有羧甲基纤维素或其金属盐、聚丙烯酸或其金属盐、及苯乙烯丁二烯橡胶或聚偏二氟乙烯。
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公开(公告)号：CN105981203B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580007537.3
申请日：2015-01-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/0404 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M4/622 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料，其具有负极活性物质颗粒，所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于，前述负极活性物质颗粒具有由SiOx表示的硅化合物，其中，0.5≤x≤1.6；并且，前述硅化合物的内部含有锂化合物，前述非水电解质二次电池用负极材料包含IA族和IIA族金属离子、可以被取代的铵离子中的至少一种以上。由此，本发明提供一种非水电解质二次电池用负极材料，所述负极材料能够增加电池容量，并改善循环特性和电池初始效率。
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公开(公告)号：CN106030871B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580006487.7
申请日：2015-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0566
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料，其包含由导电性碳膜包覆硅系活性物质粒子的表面而成的导电性粉末，所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于，所述导电性碳膜的由拉曼光谱测量出的d频带的峰半值宽为100cm‑1以上。由此，能够提供一种非水电解质二次电池用负极材料、非水电解质二次电池用负极材料的制造方法、及非水电解质二次电池，所述负极材料维持通过使用硅系活性物质而得的高充放电容量，并且循环性优异。
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