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公开(公告)号：CN101922045A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010202934.5
申请日：2010-06-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/872 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02008 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。
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公开(公告)号：CN101312164B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810130622.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN101432471A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015378.7
申请日：2007-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02623 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。
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公开(公告)号：CN101312165A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810130625.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN100411111C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510082192.6
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0-2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101194053A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020842.7
申请日：2006-08-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体，其中在GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。
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公开(公告)号：CN107112908B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580054952.4
申请日：2015-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明涉及一种变压器。所述变压器包括前级电路和后级电路。作为所述前级电路，被并联连接到电源的开关串联单元包括交替接通的奇数编号的开关和偶数编号的开关。各个开关的相互连接点和所述开关串联单元两端的点被视为是总共m个节点。电容器被设置在组合了奇数节点以将奇数节点引导到第一输出端口的第一电路径、以及组合了偶数节点以将偶数节点引导到第二输出端口的第二电路径这两者中的至少一个上。存在电容器以便对应于至少(m‑1)个节点。所述后级电路包括元件串联单元和必要的电感器，该元件串联单元由彼此串联连接以便执行相反极性的导电操作的一对半导体元件组成。
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公开(公告)号：CN104467446B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201410460772.3
申请日：2014-09-11
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H02M5/06
Abstract: 一种变压装置，设置在电源和负载之间，包括分别具有进行使相对于输入的输出的极性交替反转的开关动作的功能的前级电路以及后级电路，所述变压装置包括：串联体，设置在双方电路中的至少一方，将一对电抗元件在连接点中相互串联连接而成；以及开关装置，在将串联体的两端设为第一端口的情况下，使串联体的一端和连接点之间以及串联体的另一端和连接点之间通过开关动作而交替且反转极性而设为第二端口，执行从第一端口到第二端口的电力的传输或者反之。
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公开(公告)号：CN104584236A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201480002218.9
申请日：2014-03-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/054
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02008 , H01L31/0203 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/0543 , H02S40/22 , Y02E10/52
Abstract: 一种聚光光伏模块(1M)，设有：由金属构成的器皿形壳体(11)；和柔性印刷线路板(12)，其设置为与壳体(11)的内表面接触。柔性印刷线路板(12)具有绝缘层(124)、绝缘基板(121a)、图案(121b)、多个发电元件(122)和绝缘层(126)。绝缘层(124)与壳体(11)的底面(11a)接触。绝缘基板(121a)设置在绝缘层(124)上，并且具有挠性。图案(121b)由导体构成，并且设置在所述绝缘基板(121a)上。多个发电元件(122)安装在图案(121b)上。绝缘层(126)设置为覆盖图案(121b)的除安装有发电元件(122)的部分以外的整个表面。
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公开(公告)号：CN104467446A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410460772.3
申请日：2014-09-11
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H02M5/06
Abstract: 一种变压装置，设置在电源和负载之间，包括分别具有进行使相对于输入的输出的极性交替反转的开关动作的功能的前级电路以及后级电路，所述变压装置包括：串联体，设置在前级电路以及后级电路中的至少一方，将一对电抗元件在连接点中相互串联连接而成；以及开关装置，在将串联体的两端设为第一端口的情况下，使串联体的一端和连接点之间以及串联体的另一端和连接点之间通过开关动作而交替且反转极性而设为第二端口，执行从第一端口到第二端口的电力的传输以及从第二端口到第一端口的电力的传输中的任一个。
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