公开(公告)号：CN101459080B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200710179353.2

申请日：2007-12-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李诚瞻 ,  魏珂 ,  郑英奎 ,  刘果果 ,  和致经 ,  刘新宇 ,  刘键

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。

公开(公告)号：CN100594591C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200710175969.2

申请日：2007-10-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李诚瞻 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  刘键 ,  刘果果 ,  郑英奎 ,  王冬冬 ,  黄俊 ,  和致经

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题，提高了GaN基HEMT的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN100505304C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610127867.9

申请日：2006-09-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  刘果果 ,  郑英奎 ,  李诚瞻 ,  刘键

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有AlN或Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。

公开(公告)号：CN101232045A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710062987.X

申请日：2007-01-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘果果 ,  刘新宇 ,  郑英奎 ,  魏珂

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体材料中微波功率器件技术领域，公开了一种制作铝镓氮/氮化镓高电子迁移率场效应晶体管(AlGaN/GaN HEMT)多层场板器件的方法，该方法基于常规的AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺，在形成栅金属接触后，先制作栅连接场板，再制作源连接场板，形成AlGaN/GaNHEMT多层场板器件。本发明同时公开了一种AlGaN/GaN HEMT多层场板器件。利用本发明，大大提高了AlGaN/GaN HEMT器件的击穿特性，并有效地抑制了AlGaN/GaN HEMT器件的电流崩塌现象。