-
公开(公告)号：CN206412375U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201720067353.2
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115
Abstract: 本专利公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
-
公开(公告)号：CN206283093U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621276323.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统，该系统包括1064nm脉冲激光器、光学参量振荡器、种子太赫兹激光器、光束延迟线、光学元器件(半波片、偏振分光棱镜、太赫兹合束镜)、硒化镓晶体和太赫兹透镜。该专利基于种子光注入放大原理，首先利用两束高功率近红外泵浦光源(1064nm激光器和光学参量振荡器)在硒化镓晶体中实现常规太赫兹波差频辐射，然后在此光路中注入种子太赫兹实现高功率、极窄线宽的太赫兹辐射。本专利具有结构简单，工作可靠，便于操作，相干性好，室温工作，并且能够增强辐射功率、极窄线宽、宽带、可调谐等优点。
-
公开(公告)号：CN206283088U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621276324.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本专利公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
-
公开(公告)号：CN206142814U
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201621119724.9
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
-
公开(公告)号：CN203057074U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201220543137.8
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利提出一种自热消除低噪声前置放大器电路，可用于热敏红外探测器件信号检测电路或特性参数测试电路。该电路使用一组热敏电阻同探测器件组成桥式电路，两个热敏电阻通过精密电位器相连接，电位器滑动端接至运放同向输入端。运放反相端接红外探测器件探测元与盲元的公共端，桥式电路与后端的低噪声运放连接，低噪声运放使用T型网络作为反馈回路。本专利具有以下优点：使用热敏探测器的桥式电路实现自热消除，同时精密电位器的引入可以消除探测元与盲元不匹配引起的电压偏移；运放使用T型网络代替反馈电阻组成反馈回路，减小了电路噪声；电路结构简化，便于电路系统的小型化和较大规模多元器件的集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN217086866U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202122739128.8
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种分形蝶形太赫兹天线。所述的天线通过类似鱼骨结构一样的天线臂对所捕获的电磁波进行有效的辐射，已达到更好的耦合光波能量。在天线的尖端部位，采用了锥形汇聚沟道，使天线的反射能量得到二次耦合的机会。本专利结构中，采用了引流‑分流‑再汇聚的结构特点。当电磁波初步到达天线表面的时候，第一次通过梯形的天线尾引如第一波能量；当电磁能量进入天线内部的时候，在通过两侧的鱼骨通道分流，增加电流的流通路径；最终通过尖端汇聚到敏感源上。这一专利对于提升太赫兹探测器的探测率和目标识别准确率上有着重要意义，可以提升探测器在太赫兹领域的更高工作频段。
-
公开(公告)号：CN209927303U
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201920711978.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本专利公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁材料层到反铁磁材料层的注入，通过自旋-轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该专利利用自旋-轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN203774351U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028341.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本实用新型设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
-
公开(公告)号：CN203772418U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028407.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上，自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于：第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜，作为减反层和器件保护层，膜厚为1000nm–1200nm；第二金属层是膜厚为8nm–12nm的镍铬合金层，作为红外波段的吸收层；第三绝缘层是膜厚为50nm–100nm的二氧化硅薄膜，作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单，易与现有的微电子工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8–14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。
-
公开(公告)号：CN215377428U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202121001701.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115 , H01L31/0272 , G01J1/42
Abstract: 本专利公开了一种碲基室温太赫兹探测器件，器件具有金属‑半导体‑金属结构，半导体选用碲纳米片材料，选用钛和金做金属电极。Te太赫兹探测器在室温下斩波频率1kHz，172GHz的工作频率下响应时间仅为9.7μs，响应率高达600kV/W，在1V偏置和1kHz调制频率下的NEP低于0.1pW/Hz0.5。探测器经过被两次加热至200℃20分钟再冷却后，响应基本保持不变。Te太赫兹探测器具有以下优点：1、结构简单；2、可室温工作；3、器件灵敏度高；4、响应速度快；5、稳定性好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.036 seconds)
