-
公开(公告)号：CN109781087B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201811482396.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 中北大学
IPC: G01C19/5698
Abstract: 本申请的目的是提供一种基于驻波模式的SAW陀螺仪，本申请通过采用压电耦合系数高、SAW传播速度高且声光耦合系数较大的128°Y‑X切LiNbO3压电基片，通过在收发天线触发的双端口谐振器的谐振腔之间放置材料为金的金属点阵和声光读出模式SAW接收端来实现一种新型的驻波模式的陀螺仪。收发天线的设计能够有效减少SAW陀螺仪需要的电子电路模块，即减少外电路的使用；所述SAW接收端采用高精度声光耦合模式读出角速率的变化，从而提高了SAW陀螺仪的准确度与灵敏度。
-
公开(公告)号：CN114826016A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210570103.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请公开了一种摩擦磁电复合微能源采集器，包括：用于将风能转化为机械能的风能捕获装置以及与所述风能捕获装置组装的发电装置，所述发电装置包括：摩擦‑电磁发电单元、外壳以及密封盖，所述摩擦‑电磁发电单元安装在所述外壳内并由所述密封盖密封。本申请将摩擦和电磁发电单元集成在同一器件上，实现对不同频率风能的高效采集，相对于传统的能源采集器件，具有更高的能源采集效率，解决了电子设备的自供电问题，特别是在无人值守环境中的监测、物联网等领域的供电和传感。
-
公开(公告)号：CN114446661A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111477532.0
申请日：2021-12-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种基于化学机械抛光的多层陶瓷电容器及其制备方法，通过在基板上生长SiO2牺牲层与陶瓷薄膜层，分别对陶瓷薄膜层进行化学机械抛光并溅射电极，将两块陶瓷薄膜层键合，再腐蚀SiO2牺牲层释放陶瓷薄膜层，对释放后的陶瓷薄膜层两端溅射电极，多次重复后浸封陶瓷薄膜层两端的电极后高温煅烧，得到多层陶瓷电容器。本申请结合化学机械抛光与间接键合的方法实现了多层陶瓷电容器的制造，避免了在流延法工艺流程中的温度控制，可以在常温中实现陶瓷薄膜的制备，减少了高温、冷却和干燥过程对薄膜品质和性能产生的不利影响，获得了高品质，低应力，高致密度的压电陶瓷薄膜；无需高温烧结过程，具有更低的操作温度，保障了陶瓷薄膜的成品率。
-
公开(公告)号：CN109870287B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910172817.X
申请日：2019-03-07
Applicant: 中北大学
IPC: G01M7/08
Abstract: 本申请公开了发火电容高g载荷加载点位光电控制装置，包括待测电容电路，设置在固定基座上；砧垫质量块，固定安装有支撑杆，支撑杆上设有固定基座；对射型光电开关，通过夹持结构安装在砧垫质量块上；以及测试台，设置在砧垫质量块的下方。测试方法，包括：将砧垫质量块拉升至一定高度后释放；砧垫质量块在t1时间撞击测试台弹回，固定基座继续下落，此时将切断光束并给待测电容电路传回信号，待测电容开始放电；固定基座在t2时间时撞击砧垫质量块，并立刻获得一个高g载荷，此时实现了给待测电容加高g值冲击加速度。本申请可以精确地控制发火电容的高g载荷加载点位，实现发火电容高g载荷下的抗冲击性能测试。
-
公开(公告)号：CN112271249A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011145590.9
申请日：2020-10-23
Applicant: 中北大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/39
Abstract: 本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110247536A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910357571.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 中北大学
IPC: H02K35/02
Abstract: 本申请公开了一种防侧倾的六面体磁悬浮发电装置，包括：外壳，其具有顶盖和底盖；第一约束磁铁，其嵌套于所述顶盖中；第二约束磁铁，其嵌套于所述底盖中；悬浮振动磁铁，其设置在所述第一约束磁铁和所述第二约束磁铁之间的外壳内部；第一发电线圈，其设置在所述外壳内部并靠近所述顶盖设置；以及第二发电线圈，其设置在所述外壳内部并靠近所述底盖设置。本申请发电效率高，能量转换效率高，可防侧倾，适用于收集振动能量并将其转化为电能。
-
公开(公告)号：CN107316829B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201710544513.2
申请日：2017-07-06
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种基于TMAH的气相刻蚀方法，包括：（1）、在单晶硅基片上利用热氧生长一层SiO2掩膜层薄膜；（2）、利用紫外光刻实现在基片图形化工艺；（3）、利用光刻胶做掩膜，采用体积比HF：NH4F=1:4配制BOE溶液刻蚀SiO2，丙酮洗掉光刻胶形成以SiO2为掩膜的刻蚀窗口；（4）、利用密闭且冷凝循环的刻蚀装置在磁力搅拌加热器上实现刻蚀气体的阵列结构刻蚀。该方法可突破TMAH湿法刻蚀同时实现硅结构刻蚀表面粗糙度较小，凸角保护良好，结构阵列刻蚀均匀性良好，速率稳定的技术难题，可用于微传感器、微执行器等微纳器件图形结构的加工工艺。
-
公开(公告)号：CN109870287A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910172817.X
申请日：2019-03-07
Applicant: 中北大学
IPC: G01M7/08
Abstract: 本申请公开了发火电容高g载荷加载点位光电控制装置及测试方法，包括待测电容电路，设置在固定基座上；砧垫质量块，固定安装有支撑杆，支撑杆上设有固定基座；对射型光电开关，通过夹持结构安装在砧垫质量块上；以及测试台，设置在砧垫质量块的下方。测试方法，包括：将砧垫质量块拉升至一定高度后释放；砧垫质量块在t1时间撞击测试台弹回，固定基座继续下落，此时将切断光束并给待测电容电路传回信号，待测电容开始放电；固定基座在t2时间时撞击砧垫质量块，并立刻获得一个高g载荷，此时实现了给待测电容加高g值冲击加速度。本申请可以精确地控制发火电容的高g载荷加载点位，实现发火电容高g载荷下的抗冲击性能测试。
-
公开(公告)号：CN114665006B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210276198.0
申请日：2022-03-21
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/30 , C23C14/16 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , H10N30/85 , H10N30/093
Abstract: 本申请提供了一种d15模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过将底电极/二氧化硅层/硅基底与铌酸锂晶片进行键合，再依次进行减薄、化学机械抛光和清洗，得到铌酸锂单晶薄膜；在晶圆表面采用磁控溅射、离子束刻蚀剥离工艺制备对准标记及表面电极，接着采用离子束刻蚀法刻蚀铌酸锂单晶薄膜使其图形化，采用反应离子刻蚀法刻蚀二氧化硅层使其图形化，随后采用离子束刻蚀法刻蚀底电极使其图形化，最后采用深硅刻蚀工艺从硅基底正面制备悬臂梁与质量块并从其背部完成器件的释放。本申请能够将铁电单晶铌酸锂薄膜与硅片很好键合，并在此基础上采用标准的MEMS工艺制备传感器件，工艺可行性和重复率高，制得的器件具有宽频带及很高的输出电压。
-
公开(公告)号：CN118723920B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411186470.1
申请日：2024-08-28
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于电气元件组件的制造技术领域，具体为基于行列寻址的高密度柔性神经电极阵列制造方法，包括聚偏氟乙烯滤膜的预处理，过滤纳米线图案，聚二甲基硅氧烷层的预处理，将带有列引线导电层的PDMS绝缘层和带有行引线导电层的PDMS基底层键合，PDMS封装层激光打孔后，将PDMS封装层与PDMS绝缘层键合，使行引线导电层的电极点和列引线导电层的电极点暴露并完成封装。行引线导电层中同一行的电极点共用同一根引线，列引线导电层中同一列的电极点共用同一根引线，使N×N电极阵列的引线数量从N²减少到2N，降低了线路的复杂性和成本，通过该方法制备的柔性神经电极阵列能显著提升脑电信号的采集效率和异常信号的定位精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
135
records
(took 0.034 seconds)
