一种通过磁场控制碳纳米材料生长形貌的方法

    公开(公告)号:CN102557004A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110440769.1

    申请日:2011-12-23

    Abstract: 本发明涉及一种通过磁场控制碳纳米材料生长形貌的方法,以溅射在硅片上的磁性金属材料为催化剂,用高频感应线圈来加热中空石墨管,同时提供交变磁场,将溅射有催化剂的硅片放置在中空石墨管中,加热5-30分钟,即得到形貌受磁场控制的碳纳米材料。本发明利用交变磁场制备出类之字形纳米材料。与现有技术相比,本发明通过改变的磁场大小和方向,可以得到不同形貌的碳纳米材料。

    一种低压空气中电弧放电法生长多壁碳纳米管的方法

    公开(公告)号:CN102502576A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110326246.4

    申请日:2011-10-24

    Abstract: 本发明涉及到一种在空气气氛下采用电弧放电技术生长多壁碳纳米管的方法,属于纳米材料制备工艺技术领域。本发明的方法是在空气的气压范围是6~12KPa条件下,在石墨棒阳极和阴极之间进行电弧放电,并随着电弧放电过程阳极石墨棒不断消耗,在阴极石墨棒端头不断沉积生长多壁碳纳米管。本发明生长的多壁碳纳米管具有结晶性高、纯度高、抗氧化性高等优点。同时较以往的电弧方法生长的碳纳米管具有管结构完整、性能好、成本低等优点。

    一种形貌可控的二氧化锡纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102491407A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110358326.8

    申请日:2011-11-11

    Abstract: 本发明涉及一种形貌可控的二氧化锡纳米材料的制备方法,通过调节电弧室内的气氛环境来控制二氧化锡的生长形貌,包括以下步骤:首先将高纯单质锡粉填入自制的石墨坩埚并充分压实,作为电弧放电的阳极;然后放入电弧室并固定,预抽取电弧室内的空气,并调节好电弧室内的气氛环境;开启电源,通过电机控制阴阳极之间的距离,两个电极发生电弧放电。通过控制电弧室内空气与缓冲气体间的比例可以制备出不同形貌的二氧化锡纳米材料。与现有技术相比,本发明具有工艺简单,周期短,形貌可控性好等优点。

    一种磁场选择性制备单壁碳纳米管的方法

    公开(公告)号:CN102351171A

    公开(公告)日:2012-02-15

    申请号:CN201110274208.9

    申请日:2011-09-15

    Abstract: 本发明涉及一种磁场选择性制备单壁碳纳米管的方法,将催化剂、硫粉、高纯石墨粉按比例充分混合后制得阳极石墨棒,将制得的阳极石墨棒放在冲有缓冲气体的电弧室内与阴极正对,通过调整放电电压和放电电流,使电弧室的阴、阳两极发生电弧放电,同时调整磁铁高度使之始终与阴阳电极间隙平齐,调节磁场强度即可制得直径选择性的单壁碳纳米管。与现有技术相比,本发明采用磁场辅助的直流电弧法制备单壁碳纳米管,工艺简单、所得产物中SWNT具有高度有序性,SWNT直径在空间的分布上具有选择性,产率高。

    铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101740667B

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200910311903.0

    申请日:2009-12-21

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种太阳能电池技术领域的铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜的制备方法,包括:制备铜锌锡硒纳米粒子;将铜锌锡硒纳米粒子溶于溶解剂中,经超声分散处理得到铜锌锡硒纳米粒子浆液;将铜锌锡硒纳米粒子浆液涂覆于基底上,对基底进行热处理,制得铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜。本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点,具有绿色无污染,设备要求简单,适合工业化大规模生产的优点。

    氧化镁纳米结构的制备方法

    公开(公告)号:CN101898774A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010252422.X

    申请日:2010-08-13

    Abstract: 一种纳米材料制备技术领域的氧化镁纳米结构的制备方法。制备方法为:以单质镁放入石墨坩埚中作为阳极,在充有缓冲气体和空气的电弧室内与阴极发生电弧放电,通过改变空气含量即可制得不同形貌的氧化镁纳米结构。发明采用电弧放电法通过控制氧气含量来控制所制备氧化镁纳米结构的形貌,具有实验周期短、纯度高,形貌可控等优点,在不同制备条件下获得的产物形貌较为单一以及产率大等优点。为纳米氧化镁更深层次的应用打下了基础。

    一种致密石墨烯-碳纳米管复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN119637859A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411968054.7

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开一种致密石墨烯‑碳纳米管复合薄膜及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:S1、氧化石墨烯水溶液和碳纳米管溶液混合,分散均匀制备成氧化石墨烯‑碳纳米管混合溶液;S2、将氧化石墨烯‑碳纳米管混合溶液抽滤进行固液分离;将覆有氧化石墨烯‑碳纳米管复合薄膜的滤膜干燥,从滤膜上剥离获得氧化石墨烯‑碳纳米管复合薄膜;S3、将氧化石墨烯‑碳纳米管复合薄膜进行热还原处理,获得所述石墨烯‑碳纳米管复合薄膜。该复合薄膜中的碳纳米管网络结构均匀分散在石墨烯相邻的片层之间,起导热桥接作用,具有提升石墨烯纵向导热率的潜力。

    垂直碳纳米管阵列/类金刚石薄膜复合黏附材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116925692A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202210379532.5

    申请日:2022-04-12

    Abstract: 本发明提供了一种垂直碳纳米管阵列/类金刚石薄膜复合黏附材料制备方法,所述制备方法包括:将转移介质均匀覆盖于目标柔性基底上并加热形成半固化状态;将硅基底上垂直碳纳米管阵列翻转并施加压力使其黏附在半固化转移介质表面,并通过加热固化使转移介质与垂直碳纳米管阵列充分结合;将垂直碳纳米管阵列从硅基底上剥离,得到顶端转移的垂直碳纳米管阵列;利用射频等离子体沉积技术在垂直碳纳米管阵列表面沉积类金刚石薄膜,获得垂直碳纳米管阵列/类金刚石薄膜复合黏附材料。本发明利用类金刚石的优异力学性能和来提高垂直碳纳米管阵列的黏附特性,通过可增大垂直碳纳米管阵列顶端与待黏附表面的接触面积,具有方法简单,易于操作等优点。

    全碳透明光电器件及其制备方法
    69.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116709793A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310755226.1

    申请日:2023-06-25

    Inventor: 苏言杰 刘菁

    Abstract: 本发明提供了一种全碳透明光电器件及其制备方法,包括透明导电衬底、GO薄膜介质层、半导体性SWCNT薄膜以及金属性SWCNT源漏电极;所述GO薄膜介质层设置在透明导电衬底上;所述半导体性SWCNT薄膜设置在GO薄膜介质层背离透明导电衬底的一面;所述金属性SWCNT源漏电极设置在半导体性SWCNT薄膜背离GO薄膜介质层的一面。本发明采用透明导电衬底,在可见光波段透光率高于80%,具有优越的透明性;其余功能结构均由碳纳米材料构成,创新性地采用GO薄膜代替传统金属氧化物作为介质层,碳纳米材料具有普遍性、无毒性、柔韧性和生物相容性,能够降低制备成本、扩大器件在仿生电子领域的应用场景。

    一种单壁碳纳米管甲烷传感器的敏感结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN116399908A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310167334.7

    申请日:2023-02-24

    Inventor: 魏浩 苏言杰

    Abstract: 本发明涉及一种单壁碳纳米管甲烷传感器的敏感结构及其制备方法,器件的敏感结构由单壁碳纳米管网络、气密阻挡层和贵金属催化剂等组成。其制备过程包括:S1,所述的单壁碳纳米管网络通过在基底上旋涂含有单壁碳纳米管的溶液来制备;S2,将气密阻挡层叠在单壁碳纳米管网络表面阻隔外界气体分子干扰,提高长期稳定性,S3,在气密阻挡层表面负载贵金属催化剂,发挥贵金属催化作用以及敏化作用,为甲烷分子提供更多的吸附和反应活性位点。本发明的甲烷传感器的敏感结构可有效阻挡其他分子吸附,提高甲烷分子检测灵敏度以及长期稳定性,在二氧化碳还原系统中的甲烷浓度检测领域具有良好的应用前景。

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