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公开(公告)号：CN110729404B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201910644525.1
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/10 , H10K71/00 , H10K59/10
Abstract: 发光器件、其制造方法和包括其的显示设备，所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，所述发射层包括量子点；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层，所述电子辅助层包括纳米颗粒和小分子有机化合物。所述纳米颗粒包括包含锌的金属氧化物，且所述小分子有机化合物的电子迁移率小于所述纳米颗粒的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN112750966B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202011201636.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/125 , H10K59/10 , B82Y30/00
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示设备。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。
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公开(公告)号：CN110277501B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201910192538.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/165 , H10K50/16 , H10K71/00 , B82Y30/00
Abstract: 提供电致发光器件、其形成方法和包括其的显示装置。电致发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在第一电极和第二电极之间并包括发光颗粒的发射层；设置在第一电极和发射层之间的电子传输层；以及设置在第二电极和发射层之间的空穴传输层，其中电子传输层包括无机氧化物颗粒和金属有机化合物，所述金属有机化合物或所述金属有机化合物的热分解产物可溶于非极性溶剂中。
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公开(公告)号：CN110246987B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201910180460.X
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K71/00 , B82Y40/00 , C09K11/54 , C09K11/88
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上(例如，直接设置在所述芯上)并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉，其中所述量子点的尺寸大于或等于约10纳米(nm)且所述量子点包括至少四个突起。还公开了其制造方法和包括其的电子器件。
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公开(公告)号：CN110783468B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910520226.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/16 , H10K50/165 , H10K50/115 , H10K101/40
Abstract: 公开了量子点器件和显示设备，所述量子点器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括由化学式1表示的电子传输材料和能够降低所述电子辅助层的电子迁移率的电子控制材料。在化学式1中，M和x与详细的说明书中描述的相同。化学式1Zn1‑xMxO。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111826160B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010307314.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及不含镉的量子点、其制造方法、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。不含镉的量子点包括锌、碲、和硒、以及锂。所述不含镉的量子点的最大发光峰的半宽度小于或等于约50纳米，并且所述不含镉的量子点具有大于1％的量子效率。
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公开(公告)号：CN114605995B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210215693.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。
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公开(公告)号：CN110028969B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号：CN110172348B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910140377.X
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；包围所述芯的第一壳，所述第一壳包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成；包围所述第一壳的第二壳，所述第二壳包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙；和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。
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公开(公告)号：CN116367571A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211690920.1
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电致发光器件、其制造方法、包括其的显示设备、和层状结构体。电致发光器件包括：阳极；阴极；以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述发光层包括多个半导体纳米颗粒；以及设置在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层。所述电子传输层包括锌氧化物纳米颗粒和有机液晶化合物。
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