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公开(公告)号：CN112438042A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201980044463.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够朝向多个平面辐射方向的电子设备，包括：壳体，其包括第一板和背向所述第一板的第二板；以及位于所述壳体中的天线结构。所述天线结构包括：第一印刷电路板(PCB)，其包括面向第一方向的第一表面；第二PCB，其包括面向与所述第一方向不同的第二方向的第二表面；柔性PCB(FPCB)，其在所述第一PCB的第一外围与所述第二PCB的第二外围之间延伸；第一导电图案，其形成在所述第一PCB中或所述第一表面上；第二导电图案，其形成在所述第二PCB中或所述第二表面上；以及无线通信电路，其安装在所述第一PCB和/或所述第二PCB上。
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公开(公告)号：CN101814508B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201010126199.4
申请日：2010-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/11565 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供一种具有选择晶体管的集成电路存储器器件。在该半导体存储器器件中，下选择栅控制第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区限定在半导体衬底处，所述第二沟道区限定在半导体衬底上设置的有源图案的下部处。第一沟道区的第一阈值电压与第二沟道区的第二阈值电压不同。
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公开(公告)号：CN102122661A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010591699.5
申请日：2010-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C16/0483 , H01L21/28282 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在水平方向上延伸的半导体材料的基板。多个层间电介质层在基板上。提供多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻的上层间电介质层之间。半导体材料的垂直沟道在基板上并沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和多个栅图案。垂直沟道具有外侧壁，外侧壁具有多个沟道凹陷，每个沟道凹陷对应于多个栅图案中的栅图案。垂直沟道具有内侧壁，内侧壁在垂直方向线形延伸。信息存储层存在于每个栅图案与垂直沟道之间在凹陷中，使栅图案与垂直沟道绝缘。
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公开(公告)号：CN1967864B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200610145721.7
申请日：2006-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明公开了一种显示装置，其包括：薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；第一电极，与薄膜晶体管电连接；发光层，形成在第一电极上；第二电极，形成在发光层上；辅助电极，形成为类似于网的形状，以至少部分地露出第一电极，该辅助电极与第二电极电连接并接收来自第二电极的共用电压；以及第二绝缘基板，放置在辅助电极上。根据本发明的显示装置及其制造方法的典型实施例可以有效地将共用电压施加于整个显示器，并具有改进的对比度。
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公开(公告)号：CN101859778A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010163558.3
申请日：2010-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11565 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的非易失性存储器件。该非易失性存储器件可以包括：单元阵列，具有三维地布置在半导体基板上的线状的多个导电图案，单元阵列彼此分离；半导体图案，从半导体基板延伸以与导电图案的侧壁交叉；公共源极区，沿导电图案延伸的方向设置在半导体图案下部分之下的半导体基板中；第一杂质区，设置在半导体基板中，使得第一杂质区沿与导电图案交叉的方向延伸以电连接公共源极区；以及第一接触孔，暴露第一杂质区的在分离的单元阵列之间的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100565885C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580047811.6
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1-xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。
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公开(公告)号：CN100421057C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200480008551.7
申请日：2004-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种光探测LCD装置，包括光笔(100)。该光笔包括主体(110)、驱动脉冲生成模块(135)和光产生模块(140)。该主体具有笔的形状，并且该主体的一端包括开口(112)，光通过该开口出射。该驱动脉冲生成模块设置在主体中，并产生分别具有第一和第二频率的第一和第二驱动能量脉冲。该光产生模块响应该第一和第二驱动能量脉冲分别产生第一和第二光。该第一和第二光分别以第三和第四频率闪烁。能耗被减小，感应光的亮度被增强。该光笔产生具有至少两种不同频率的光，并且该显示装置有效地识别该光笔产生的光。因此，该显示装置可以无故障运行。
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公开(公告)号：CN101257024A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710164878.9
申请日：2007-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种NAND型闪存器件，其包括：堆叠的多个半导体层；设置在多个半导体层中的每一个的预定区中的器件隔离图案，该器件隔离图案定义有源区；该有源区中的源极和漏极杂质区；电连接所述源极杂质区的源极线插塞结构；及电连接所述漏极杂质区的位线插塞结构，其中所述源极杂质区电连接到所述半导体层。
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公开(公告)号：CN101133494A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200580047811.6
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1－xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。
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公开(公告)号：CN1967864A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610145721.7
申请日：2006-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明公开了一种显示装置，其包括：薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；第一电极，与薄膜晶体管电连接；发光层，形成在第一电极上；第二电极，形成在发光层上；辅助电极，形成为类似于网的形状，以至少部分地露出第一电极，该辅助电极与第二电极电连接并接收来自第二电极的共用电压；以及第二绝缘基板，放置在辅助电极上。根据本发明的显示装置及其制造方法的典型实施例可以有效地将共用电压施加于整个显示器，并具有改进的对比度。
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