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公开(公告)号:CN102467455B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201110338409.0
申请日:2011-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0616 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F2212/7205
Abstract: 本申请提供一种数据存储设备的数据管理方法,该数据存储设备具有不同于用户设备的数据管理单位的数据管理单位,该方法包括:从所述用户设备接收关于将被删除的文件的存储区域的信息,从所述被删除文件的存储区域当中选择与所述数据存储设备的数据管理单位匹配的存储区域,以及对所选择的与所述数据管理单位匹配的存储区域执行擦除操作。
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公开(公告)号:CN102285660B
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201110164676.0
申请日:2011-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B35/00 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管,该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。
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公开(公告)号:CN1655057A
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN200410102383.X
申请日:2004-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08F2/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L51/426 , H01L51/502 , Y02E10/549 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10T428/24802 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜,曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比,显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机-无机混合电致发光装置中。
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公开(公告)号:CN113004337B
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202011501235.0
申请日:2020-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物和包括其的有机发光器件,所述有机金属化合物由式1表示,其中,在式1中,Y1、Y2、Xa、Xb、环CY1、环CY2、R1、R2、A1‑A7、a1和a2如说明书中所定义。 #imgabs0#
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公开(公告)号:CN116669452A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310183168.X
申请日:2023-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/11 , H10K50/15 , H10K85/60 , H10K101/40
Abstract: 提供发光器件和包括所述发光器件的电子装置,所述发光器件包括:第一电极;第二电极;布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层;以及布置在所述第一电极和所述发射层之间的缓冲层,其中所述缓冲层与所述发射层直接接触,所述发射层包括由式1表示的第一化合物,并且所述缓冲层包括由式5表示的第二化合物。所述第一化合物和所述第二化合物分别与本说明书中描述的那些相同。
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公开(公告)号:CN109427987B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201811031520.3
申请日:2018-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机发光器件。所述有机发光器件包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,其中所述发射层包括主体和掺杂剂,其中所述发射层发射磷光,其中所述掺杂剂为有机金属化合物,和其中所述发射层满足在说明书中描述的某些参数。
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公开(公告)号:CN115466616A
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202210656227.6
申请日:2022-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供组合物、包括该组合物的层、包括该组合物的发光器件、和包括该发光器件的电子设备。所述组合物包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物,其中L11、L12、L13、L21、L22和L23各自为:i)经由两个氮原子键合至式1或2的Ir的双齿配体,ii)经由氮原子和碳原子键合至式1或2的Ir的双齿配体,或iii)经由两个碳原子键合至式1或2的Ir的双齿配体,L11、L12和L13彼此不同;n11、n12、n21和n22各自独立地为1或2;n13和n23各自独立地为0或1;n11、n12和n13之和为3;n21、n22和n23之和为3;且L11和L21彼此不同。式1Ir(L11)n11(L12)n12(L13)n13式2Ir(L21)n21(L22)n22(L23)n23。
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公开(公告)号:CN115084397A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210221645.2
申请日:2022-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/50
Abstract: 提供发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件可包括:第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层。所述发射层可包括i)第一发射层以及ii)在所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层,所述第一发射层可与所述第二发射层直接接触,所述第一发射层可包括第一掺杂剂、第一空穴传输化合物、和第一电子传输化合物,所述第二发射层可包括第二掺杂剂、第二空穴传输化合物、和第二电子传输化合物,所述第一掺杂剂可与所述第二掺杂剂相同,并且所述第一电子传输化合物可不同于所述第二电子传输化合物,所述第二电子传输化合物的电子迁移率可大于所述第一电子传输化合物的电子迁移率。
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