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公开(公告)号:CN103377695A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201310146077.5
申请日:2013-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/406
CPC classification number: G11C7/00 , G11C11/40611
Abstract: 一种存储系统包括存储控制器和至少一个存储器件。所述至少一个存储器件包括刷新请求电路,该刷新请求电路在基于存储单元的数据保持时间(诸如基于存储单元行的各个数据保持时间)的定时生成刷新请求信号。存储控制器响应于所接收的刷新请求信号来调度用于至少一个存储器件的操作命令。
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公开(公告)号:CN103377158A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201310136956.X
申请日:2013-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G11C11/40615 , G11C11/40611 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G11C2211/4061
Abstract: 存储装置可以包括:存储单元阵列,其包括多个行的易失性存储单元,所述多个行包括弱单元行和正常单元行;命令解码器,其被配置为从存储装置外部的源接收命令;地址表,其存储用于识别对应的弱单元行的多个弱单元行地址;刷新控制电路,其被配置为控制存储单元阵列的操作,以周期性地刷新易失性存储单元的多个行,其中,所述刷新控制电路被配置为被配置为响应于命令解码器接收用于写入到弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作,其中由在地址表中存储的弱单元行地址识别该弱单元行。
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公开(公告)号:CN102956268A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210309222.2
申请日:2012-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0033 , G11C7/062 , G11C7/067 , G11C7/08 , G11C7/14 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054
Abstract: 一种非易失性存储器件包括单元阵列和感测放大电路,单元阵列包括多个存储单元。感测放大电路被配置成在存储单元的数据读取操作期间接收存储单元的数据电压、以及第一基准电压和第二基准电压,基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差产生差分输出信号,并输出差分输出信号作为从存储单元读取的数据。
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公开(公告)号:CN102800353A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201210167901.0
申请日:2012-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/408
CPC classification number: G11C11/406 , G11C2211/4061
Abstract: 为了带有刷新调节地刷新存储器器件,以刷新周期产生刷新地址。当刷新地址是第二地址时,在具有第一地址的弱单元上、而非在具有第二地址的第一强单元上执行相应刷新。当刷新地址是第三地址时,在第一强单元和具有第三地址的第二强单元之一上执行相应刷新。只存储用于第一、第二和第三地址之一的地址信息,以使存储器容量可被减小。在替换的方面中,当刷新地址是至少一个预定地址中的任何一个时,取决于标志,在弱单元、第一强单元和第二强单元之一上执行相应刷新,以进行刷新调节。
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公开(公告)号:CN102456398A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110319574.1
申请日:2011-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C2013/0083 , G11C2213/71 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种阻性存储器件和初始化的方法。该阻性存储器件包括连接在位线与第一极板之间的第一组阻性存储单元和连接在位线与第二极板之间的第二组阻性存储单元。在与阻性存储单元的正常操作关联的正常路径之外,分别向第一和第二极板施加第一和第二初始化电压。
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公开(公告)号:CN102446540A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110317252.3
申请日:2011-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/12
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C11/4099
Abstract: 本发明提供一种用于数据读出的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置,包括存储器单元和第一基准存储器单元。存储器单元包括第一开关元件和用于存储数据的第一电容器。第一开关元件由第一字线来控制,并具有与第一电容器的第一端子相连接的第一端子和与第一位线相连接的第二端子。第一电容器具有用于接收第一板电压的第二端子。第一基准存储器单元包括第一基准开关元件和第一电容器。第一基准开关元件由第一基准字线来控制,并具有与第一基准电容器的第一端子相连接的第一端子和与第二位线相连接的第二端子。第一基准电容器具有接收与第一板电压不同的第一基准板电压的第二端子。
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公开(公告)号:CN1769990B
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200510116254.0
申请日:2005-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/1393 , G02F2001/134345
Abstract: 提供一种用于液晶显示装置(LCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列板。该TFT阵列板包括多个栅极线、至少一个与多个栅极线交叉的数据线和至少一个与至少一个栅极线和至少一个数据线相连的薄膜晶体管。该至少一个薄膜晶体管包括漏极。另外,该TFT阵列板进一步包括至少一个与薄膜晶体管的漏极相连的第一子像素电极和与至少一个第一子像素电极电容性耦合的第二子像素电极的像素电极。此外,该像素电极具有用于将该像素电极分成至少两个分割部分的分割元件,该至少两个分割部分具有不与漏极重叠的部分。该至少两部分关于距离多个栅极线等距的参考线对称设置。
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公开(公告)号:CN100559251C
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200510106761.6
申请日:2005-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/1393 , G02F2001/134345
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器,其包括根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列板,该薄膜晶体管阵列板包括:基板;形成在该基板上的栅极线;与该栅极线交叉的数据线;连接于该栅极线和数据线的薄膜晶体管;以及像素电极,该像素电极包括电连接于该薄膜晶体管的第一和第二子像素部分,以及与该第一和该第二子像素部分中的至少一个电容耦合的第三子像素部分。这样的TFT的布置允许在相同像素内的液晶分子的倾斜方向的分布,从而改善该液晶显示器的侧面视角。
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公开(公告)号:CN100437725C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200410103775.8
申请日:2004-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3614 , G09G2310/02 , G09G2310/0248 , G09G2310/061 , G09G2320/02 , G09G2320/0252
Abstract: 本发明提供了一种脉冲驱动LCD,其包括:传输选通导通电压的多组选通线;交替传输正常数据电压和脉冲数据电压的多个数据线;多个按矩阵排列的像素,包括连接到选通线和数据线的开关元件,并且开关元件响应于选通导通电压而导通以传送数据电压;连接到各组选通线的多个选通驱动电路,并依次将选通导通电压施加到选通线;将数据电压施加到数据线的数据驱动器;和控制选通驱动器和数据驱动器的信号控制器。给每个像素提供至少两次正常数据电压和至少一次脉冲数据电压,并且正常电压的施加被没有中断的连续执行。
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公开(公告)号:CN1979298A
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200610171214.0
申请日:2003-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器及其滤色片阵列板,它包括:具有多个红、绿、蓝和白色像素区的液晶显示板组件,以及位于液晶显示板组件侧边的背光单元。背光单元发射的光有颜色坐标(x,y),x的范围是约0.31-0.34,y的范围是约0.32-0.35。
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