-
公开(公告)号：CN113890338A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111022170.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种双输入高可靠性电容电流一致型Buck‑Boost DC‑DC变换器，该变换器包含两个直流输入源，一个基本Buck‑Boost变换器，一个输入单元，m个正向扩展单元，n个反向电压扩展单元。正向、反向扩展单元由一个电感、两个电容及一个二极管所构成，通过调节正向、反向扩展单元的个数，即可实现对变换器输入输出增益及开关器件电压应力的调节。该变换器具有控制及驱动电路简单、输入输出电压调节范围宽、可靠性高的特点；在其中一个开关管损坏时，其余电路能正常工作。适合于输出输入电压与输出电压变化范围比较大、需要两个电源同时供电且可靠性要求高的应用场合。
-
公开(公告)号：CN113746324A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110978051.1
申请日：2021-08-23
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种高增益软开关Boost变换器，该变换器包括主电路、辅助电路；所述主电路包括Buck‑Boost变换器、至少一个外衣单元。所述Buck‑Boost变换器包含主电感L1、功率开关管S1、二极管D1、电容C1。所述辅助电路包括零电流电感Lr、辅助电感Ls、零电压电容Cr、二极管D2、D3、D4。本发明变换器实现了功率开关管的零电压关断和零电流导通，消除了功率开关管S1上的开关损耗，可以提高变换器的效率。
-
公开(公告)号：CN113691123A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110969228.1
申请日：2021-08-23
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种零电压关断零电流开通高增益Zeta变换器，该变换器包括主电路、辅助电路；所述主电路包括Zeta变换器、至少一个外衣单元、一个辅助单元。所述Zeta变换器包含电感L1、L2，功率开关管S1，二极管D1，电容C1、C2。所述辅助电路包括零电流电感Lr、辅助电感Ls、零电压电容Cr、二极管D2、D3、D4。本发明一种零电压关断零电流开通高增益Zeta变换器，通过辅助电路使得功率开关管实现了零电压关断和零电流开通，降低了电路中功率开关管上的开关损耗。
-
公开(公告)号：CN119514130A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411424731.9
申请日：2024-10-12
Applicant: 三峡大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 一种半导体功率器件焊料层形变能的数值计算方法，分析热载荷下焊料的应力‑应变特性，构建本构方程；计算半导体功率器件焊料层应力‑应变的数值；根据半导体功率器件焊料层应力‑应变计算形变能的数值；分析不同因素对形变能的影响。该方法以焊料层为研究对象，给出了应力‑应变建模流程，评估不同形式的方波损耗载荷对焊料层应力‑应变特性和形变能的影响。该计算方法具有易实施，数据可视化的特点。
-
公开(公告)号：CN119341537A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411335720.3
申请日：2024-09-24
Applicant: 三峡大学
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 一种功率半导体器件桥臂正负向串扰抑制电路，该电路包括推挽电路、RCD辅助电路、半导体器件。推挽电路连接RCD辅助电路，再通过RCD辅助电路连接半导体器件；本发明在下桥臂开关管受到正向串扰时，通过RCD辅助电路无源元件在源极产生正向电压等效减小正向串扰加在器件栅源极处的过电压，产生的源极正向电压会在负向串扰来临前恢复到0V，而不影响负向串扰；在负向串扰时，通过RCD辅助电路减小等效驱动电阻，降低由于米勒电流在栅极处产生的负向过电压。该电路具有可兼容性和经济性，操作简单易于实施。对于提高器件导通关断可靠性、保障系统稳定运行具有重要意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119134855A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411335721.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN功率器件桥臂正向串扰抑制电路，所述串扰抑制电路连接主电路中GaN功率器件的栅极、源极之间，包括：推挽电路、负压生成电路、恢复电路。所述负压生成电路用于产生所需负压，防止器件因为正向串扰而误导通；所述恢复电路用于在负串扰来临之前释放产生的负压，以防器件栅极反向击穿。本发明使用无源元件产生负压，可以有效抑制正向串扰，同时不会增加负向串扰，防止器件栅极反向击穿。具有设计简单、可靠性高、成本低等优势。
-
公开(公告)号：CN119125815A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202311460114.X
申请日：2023-11-03
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路及监测方法，在GaN器件开通时注入恒定的漏极电流，通过提取器件的漏源电压实现动态导通电阻的监测。该测量电路包含隔离电源单元、常规驱动单元、电流输出单元、触发单元、采样单元、调节单元、钳位电路单元共七个部分。当被测器件DUT处于高压阻断状态时，电流输出单元不输出电流，钳位电路单元输出为保护低压信号；当被测器件DUT导通时，电流输出单元将电流注入被测器件DUT，此时钳位电路单元反映被测器件DUT的导通电压，进而获得GaN器件的动态导通电阻。本发明具有结构简单、设计成本低、测量精度高等优势。
-
公开(公告)号：CN119125814A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202311460086.1
申请日：2023-11-03
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 基于门极峰值电流的多芯片IGBT模块芯片支路缺陷监测方法及电路，监测电路包括：驱动电路，用于控制IGBT模块的开通和关断；电流采样电路，用于获得IGBT模块在开通过程中的门极电流，并将获得的门极电流转换为同步变化的电压信号后输出给峰值监测电路；峰值监测电路，用于对门极峰值电流进行监测。本发明使得在不对IGBT模块进行拆卸的情况下，既能获取IGBT模块芯片支路状态；该监测方法易于测量，能够将作为暂态量的短脉冲门极峰值电流信息转化为作为稳态量的平稳的直流信号，同时降低采样频率，减少成本，有实时在线监测的潜能。
-
公开(公告)号：CN114720836B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210225470.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，监测电路包括微处理器、恒压源单元、GaN模块。微处理器，用于控制GaN模块开通与关断，还用于采集GaN模块的漏极电流，并根据K曲线计算器件结温；恒压源单元，用于向开通时的GaN模块提供恒定栅极电压。本发明一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，通过对结温、壳温和热特性衰退的监测，辨别监测GaN模块的散热性能的变化，从而评估GaN模块的可靠性。
-
公开(公告)号：CN118157470A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410216282.2
申请日：2024-02-27
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种双极性输出自均压电路，该电路包含输入电压源uin、场效应管S1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电感L1、电感L2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、负载电阻R1和负载电阻R2。本发明基于电容并联均压的思路，实现双极性输出电压的自均压效果，有效地解决了在不平衡负载下导致极间电压出现偏差的问题，提高了供电质量。且无需依赖于复杂的采样和控制方式，当变换器投入到工作时，拓扑结构本身会自动实现不平衡功率的重新分配。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.024 seconds)
