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公开(公告)号:CN108206640A
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201711461280.6
申请日:2017-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法,同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容;制造方法包括以下步骤:S1,使用软焊料工艺对MOS管进行粘片;S2,使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片,粘片后进行高温氮气烘烤固化;S3,使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接,使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接;S4,使用低应力、耐高温塑封料进行塑封,然后烘烤固化;S5,烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装,完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
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公开(公告)号:CN104907262B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201410656712.9
申请日:2014-11-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor: 李春来
Abstract: 本发明公开了一种轴向电子元器件混料自动检测及分料装置,包括基体、光电开关、电控阀、控制器和收料筒,基体的上表面中部设有用于通过轴向电子元器件的凹槽形通道;凹槽形通道的中段的底部设有竖直向上的吹料孔,吹料孔通过吹料风道外接由电控阀控制开、关的高压气源,收料筒安装于基体的上方;凹槽形通道中位于吹料孔的入料侧的一段的一个侧壁上设有多个用于向另一个侧壁方向吹气的定位吹气孔,定位吹气孔通过定位风道外接高压气源;光电开关安装于基体内并位于吹料孔旁边的位置,光电开关和电控阀分别与控制器对应连接。本发明所述自动检测及分料装置能实现轴向电子元器件混料的自动检测和分料,检测准确、效率高。
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公开(公告)号:CN106129107A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610522196.X
申请日:2016-07-01
Applicant: 电子科技大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体结构、半导体组件及功率半导体器件,半导体结构包括:P型半导体材料层;N型半导体材料层,与所述P型半导体材料层相邻接,与所述P型半导体材料层共同形成PN结;多层绝缘材料层,位于所述PN结的外侧,且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布,相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。本发明的半导体结构显著优化了器件耐压时的电场分布,大幅提高了器件的击穿电压;避免了结边缘电场集中效应而导致的器件耐压下降,防止了器件提前击穿;本发明避免使用场环和金属场板结构,从而减小了芯片面积,降低了器件的成本,提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN106098565A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610516692.4
申请日:2016-07-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/37124 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/83801 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L21/4842 , H01L21/4825 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3677 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49579
Abstract: 本发明公开了一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法,包括(1)划片、(2)软焊料上芯、(3)第二管脚与芯片的连接键合、(4)塑封等步骤,在步骤(3)中,采用焊接劈刀在芯片上压出长条形带有菱形花纹的焊接点,将铝带的一端与芯片焊接;再用焊接劈刀在第二管脚上压出长条形带有菱形花纹的焊接点,将铝带的另一端与芯片焊接;铝带除焊接点外,其余部位均向上拱起,铝带向上拱起的高度不超过420um;在步骤(4)中,塑封后,铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um‑200um。采用双面散热两排内嵌式引脚扁平封装方法,能够迅速将热量传导到器件表面,达到迅速散热从而保护产品的目的。
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公开(公告)号:CN105241540A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510645186.0
申请日:2015-10-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS振幅测量方法,该方法包括步骤:S1,获取一幅MEMS器件的运动模糊图像;S2,在模糊图像中选取感兴趣区;S3,对感兴趣区的模糊图像进行图像处理,具体是通过小波分解,对高频信号进行增强,低频信号进行减弱;S4,将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值;S5,获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线;S6,对S5获得的特征曲线计算其分形维数;S7,根据分形维数与振幅的拟合曲线,利用拟合公式计算出器件的振幅值。本发明可以获得亚像素级的MEMS器件振幅测量精度。
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公开(公告)号:CN104916737A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201410745589.8
申请日:2014-12-09
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种新型光伏旁路模块的封装工艺,包括以下步骤:使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片,使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊;使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片,粘片后进行高温氮气烘烤固化;使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接;使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封,然后烘烤固化;烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装,完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化,有效降低了MOSFET的导通电阻,提高了抗浪涌电流冲击能力,降低了压焊金丝的成本,提高了光伏旁路模块的导热性能,使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。
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公开(公告)号:CN102767764B
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201210266023.8
申请日:2012-07-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21W131/101 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种用于隧道照明的LED灯及其安装方法,该灯具包括灯架、内置电源、LED发光件和灯罩,内置电源和LED发光件安装在灯架内,灯罩罩在灯架上,其特征在于:所述LED发光件为一块安装有LED灯珠阵列的折形发光板。安装时利用膨胀螺栓将轨道横向固定在隧道两边的墙壁上,将LED灯的弹簧卡子卡接在轨道内,通过滑行弹簧卡子调节相邻两个LED灯的距离来改变隧道内部的照明强度。其显著效果是:结构简单,安装和维护方便,通过设计两个方向投射的灯光,解决了隧道内炫光问题,同时改变了灯具的安装高度,降低光照强度,节约能耗。
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公开(公告)号:CN103059638B
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201310005987.1
申请日:2013-01-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: C09D9/04
Abstract: 本发明公开了一种新型油墨字迹去字剂,包括以下原料:氢氧化钾、氢氧化钠、异丙醇、乙二醇醚、辛基酚聚氧乙烯醚和聚山梨醇酯。本发明还公开了一种新型油墨字迹去字剂的配制方法,包括以下步骤:备好原料;将异丙醇和乙二醇醚混合均匀;加热至50~60℃;加入氢氧化钾和氢氧化钠;至溶液变为红棕色为止;加入辛基酚聚氧乙烯醚和聚山梨醇酯,搅拌均匀,分装后即得去字剂成品。本发明还公开了一种新型油墨字迹去字剂的使用方法,使用时,去字剂温度控制在80~100℃,将需去字迹所在载体浸入去字剂内20~30秒,然后取出,用清水洗净去字剂即可。本发明的新型油墨字迹去字剂性能稳定,配制简单,去字干净,不伤基材,且成本低、无污染。
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公开(公告)号:CN102496664B
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201110392123.0
申请日:2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种延长砷化镓LED寿命的合金方法,包括以下二次合金:第一次合金在蒸发台内的真空环境中进行,在对砷化镓进行蒸发金属处理后,利用蒸发台的衬底加热,进行第一次恒温合金;第二次合金在蒸发台外进行,在对砷化镓进行光刻处理后,进行第二次恒温合金。本发明通过二次合金,一方面增加了金属层与砷化镓本体的粘结力,另一方面使金属层与砷化镓本体的表面导电性能更加优良,不易产生任何影响导电性能的薄膜,从而消除了传统砷化镓LED的粘结性能和导电性能随时间增长而降低的缺陷,延长了砷化镓LED的寿命,间接地节约了使用成本,减少了电子垃圾产生量,有利于环保。
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