公开(公告)号：CN106946559B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710148832.1

申请日：2017-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 郭荣迪 ,  余忠 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  王伟

IPC: C04B35/28 ,  C04B35/622 ,  H01F1/37 ,  H01F41/00

Abstract: 尖晶石复合铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域，本发明的铁氧体材料组分包括：Li系主料，配方采用67.0～74.0mol％Fe2O3、16.0～24.0mol％ZnO、2.0～17.0mol％Li2CO3；Ni系主料，配方采用47.0～48.5mol％Fe2O3、18.0～19.5mol％ZnO、25.0～26.5mol％NiO，5.5～10.0mol％CuO；按质量比，Li系主料:Ni系主料＝1:99～99:1；还包括添加剂，按重量百分比，以氧化物计算：0.10～1.00wt％Bi2O3、0.01～0.10wt％V2O5、0.60～0.70wt％BST、0.001～0.05wt％CaO。本发明具有低损耗、高居里温度和低矫顽力的特点。

公开(公告)号：CN109887698A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910202743.X

申请日：2019-03-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 郭荣迪 ,  王生明 ,  余忠 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  邬传健 ,  兰中文

IPC: H01F1/24 ,  H01F1/147 ,  H01F41/02

Abstract: 一种复合磁粉芯及其制备方法，涉及金属软磁粉芯的制备方法。所述复合磁粉芯包括FeSiCr磁粉和纳米NiZn铁氧体包覆剂，其中，FeSiCr磁粉为Fe80～90Si0.1～10Cr5～10，粒径5μm～20μm；NiZn铁氧体为NixZn1-xFe2O4，粒径100nm～1μm，0.2≤x≤0.4；NiZn铁氧体包覆剂为FeSiCr磁粉质量的3wt％～5wt％。本发明采用NiZn铁氧体为原料，经粉碎球磨制备纳米NiZn铁氧体作为包覆剂，并在丙酮溶液中完成绝缘包覆过程，使NiZn铁氧体粉末均匀包覆在FeSiCr磁粉表面，从而制备出一种高电阻率、高磁感应强度、高有效磁导率、低功率损耗的复合磁粉芯。

公开(公告)号：CN109867518A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201910238316.7

申请日：2019-03-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  丁一 ,  余忠 ,  孙科 ,  郭荣迪 ,  焦斌 ,  邬传健 ,  兰中文

IPC: C04B35/40 ,  H01F41/00 ,  H01F1/01

Abstract: 一种高温度稳定性的石榴石铁氧体及其制备方法，属于微波磁性材料制备技术领域。所述石榴石铁氧体的结构式为Y2.7-xCa0.3-zGdxAlyFe4.68-y-zZr0.3Mn0.02VzO12，其中，0.2≤x≤0.8，0.6≤y≤1.4，0.05≤z≤0.20。本发明提供的一种高温度稳定性的石榴石铁氧体，同时引入Gd3+、Al3+和V5+取代，以及掺杂Bi2O3添加剂，得到的石榴石铁氧体材料在-55℃～+85℃温度范围内α4πMs＝3.60～4.75‰/℃，常温下4πMs为300～500Gs，居里温度Tc为110～165℃，且在使材料的温度稳定性大幅提高的同时，保证了材料的低铁磁共振线宽。

公开(公告)号：CN108598643A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810344892.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  陈永星 ,  余忠 ,  孙科 ,  郭荣迪 ,  兰中文

IPC: H01P1/387

Abstract: X波段铁氧体微带环行器阵列，其特征在于，由N×M个铁氧体微带环行器单元组成，每个铁氧体微带环行器单元包括层叠设置的最上层板(1)、中上层板(2)、中下层板(3)、最下层板(4)；铁氧体微带环行器(5)设置于中下层板(3)的通孔内；永磁体(8)设置于中上层板(2)的通孔内，并与铁氧体微带环行器的铁氧体接触；铁氧体微带环行器(5)和永磁体(8)处于最上层板(1)和最下层板(4)之间。

公开(公告)号：CN108558383A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810297827.1

申请日：2018-04-04

Applicant: 电子科技大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 孙科 ,  李楷威 ,  余忠 ,  郭荣迪 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  陈川 ,  刘昕 ,  孙亮

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/37

CPC classification number: C04B35/2633 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  H01F1/37

Abstract: NiZn铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料包括主成分和掺杂剂，主成分包括主料和辅料，按摩尔百分比，以氧化物计算，主料包括：47.1～49.6mol％Fe2O3、31.0～35.0mol％ZnO，余量为NiO，以主料的重量为计算基准，辅料包括0.03～0.05wt％的CaO和0.05～0.08wt％的BaTiO3；以主成分的重量为计算基准，掺杂剂包括：0.05～0.40wt％Bi2O3、0.05～0.40wt％Nb2O5、0.01～0.20wt％CaCO3和0.01～0.20wt％BaTiO3，所述CaCO3和BaTiO3的粒径皆为80nm～120nm。本发明的铁氧体材料兼具高阻抗、高磁导率、可应用频率范围宽且具有较高居里温度的特点。

公开(公告)号：CN104036930B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201410233800.8

申请日：2014-05-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  赖敏敏 ,  孙科 ,  兰中文 ,  蒋晓娜 ,  郭荣迪 ,  邬传健

IPC: H01F29/00 ,  H01F27/28 ,  H01F27/24

Abstract: 磁集成贴装磁屏蔽功率电感器，涉及电子元器件技术。本发明包括绕组、内核磁心、外壳磁心和有效匝数调节装置，所述绕组环绕内核磁心，绕组和内核磁心设置于外壳磁心的内部；有效匝数调节装置的滑动端与绕组接触，调节控制部分设置于外壳磁心的外部；绕组与设置于外壳磁心外部的连接端形成电连接。本发明的有益效果是：第一，多功能化，可用作电感和变压器且都可调；第二，电感器电感值、压变实现数值显示；第三，外壳磁心、外壳磁心盖及内核磁心形成基本封闭的磁路空间，因此漏磁场小；第四，采用表面贴装设计，便于安装。

公开(公告)号：CN103255384B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310179098.7

申请日：2013-05-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  余忠 ,  朱光伟 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  许志勇 ,  李乐中

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，属于微波铁氧体薄膜材料技术领域。本发明包括下述步骤：步骤1：基板清洗；步骤2：溅射制备AlN薄层；步骤3：溅射制备BaM薄膜；步骤4：对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度达到250℃?500℃，在镀有AlN薄层的基板上继续溅射一层所需厚度的BaM薄膜。步骤5：退火。经过本发明工艺步骤制备出的BaM薄膜，晶粒c轴垂直膜面高度取向，薄膜磁晶各向异性场可达15000Oe，实现了BaM薄膜在半导体基板上的高度取向生长，而且所使用的射频磁控溅射技术能够很好的与现有的CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN103214233B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310092273.9

申请日：2013-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  黄晓东 ,  郭荣迪 ,  邬传键 ,  许志勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高Tc、宽温超高Bs MnZn铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂组成，其特征在于，主料包括：58.0-62.0mol%Fe2O3，10.0-15.0mol%ZnO，4.0-6.0mol%NiO，余量为MnO；按重量百分比，并以预烧后的主料为参考基准，以氧化物计算，掺杂剂包括：0.001-0.30wt%MoO3、0.01-0.40wt%Bi2O3、0.001-0.05wt%SnO2、0.001-0.05wt%Nb2O5、0.001-0.20wt%Ta2O5。本发明具有高居里温度（Tc≥320℃）、宽温高Bs（25℃，Bs≥600mT；100℃，Bs≥490mT）及较低损耗（100℃、100kHz200mT，PL≤800kW/m3）等特性。

公开(公告)号：CN103474200A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310433093.2

申请日：2013-09-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  孙科 ,  赖敏敏 ,  李垚 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H01F17/04 ,  H01F27/24 ,  H01F27/30 ,  H01F1/34 ,  H01F41/02 ,  H01F41/00

Abstract: 小型表面贴装磁屏蔽功率电感及制备方法，属于电感器技术领域，本发明的小型表面贴装磁屏蔽功率电感包括外壳磁芯、内核磁芯和线圈，线圈围绕内核磁芯设置，外壳磁芯的内部设置有限位机构，内核磁芯和线圈通过限位机构设置于外壳磁芯中。本发明的有益效果是：第一，电感体积小，安装高度低；第二，采用金属磁粉芯作为内核磁芯，因其强的抗饱和磁化能力，电感能承载大的电流；第三，采用大小不同的内核磁芯和匝数不一的线圈实现了电感值的系列化；第四，采用表面贴装设计，易于安装。

公开(公告)号：CN102390984B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110215629.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  郭荣迪 ,  许志勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明组分包括主料和掺杂剂，其特征在于：以氧化物计算，主料为：48.5～49.9mol％Fe2O3，31.0～34.0mol％ZnO，4.0～8.0mol％CuO，余量为NiO；以氧化物计算，并以主料为参考基准，按重量百分比，掺杂剂为：0.001～0.30wt％MoO3、0.001～0.20wt％V2O5、0.01～0.40wt％Bi2O3、0.001～0.05wt％Nb2O5、0.001～0.08wt％TiO2。本发明具有的高磁导率可获得低的漏感系数，有利于拓宽器件的工作频带；高居里温度可拓宽器件的工作温度范围，有利于器件在不同的环境下工作；高电阻率可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，提高系统和器件的可靠性。