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公开(公告)号：CN114488760B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210076624.6
申请日：2022-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于双多路门控环形振荡器的再量化时间数字转换器，属于数模混合电路领域。所述时间数字转换器包括脉冲产生电路、第一门控环形振荡器、第二门控环形振荡器、再量化电路和数据修正电路，其中，再量化电路由译码器、第一多路复用器、第二多路复用器、第三多路复用器、比较器、共模检测电路组成，数据修正电路由一阶差分电路、延时电路、加法器组成。本发明通过将两个存在失配的基于多路门控环形振荡器的时间数字转换器输出进行相加，然后对两者量化误差之和再次量化后进行消除，从而使其等价于一个最小可分辨时间为原来一半的时间数字转换器。
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公开(公告)号：CN111081780B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201911322249.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有效提升响应度的太赫兹探测器，包括源电极、异质结区、栅电极、栅氧化层、漏电极、漏区、衬底和源区；衬底内部两侧分别设有漏区和源区，漏区上方设有与其形成欧姆接触的漏电极，源区上方设有与其形成欧姆接触的源电极，栅氧化层形成在衬底上表面且位于漏电极和源电极之间，栅电极形成在栅氧化层上表面，异质结区与源区右边界、栅氧化层下边界邻接，其中异质结区的电子迁移率高于衬底，异质结区的长度大于等离子体波衰减距离且小于等于栅极长度，异质结区的厚度小于衬底厚度。本发明在提高沟道迁移率的同时，降低栅电极与沟道之间的交流泄漏电流，避免衬底交流电流对局部沟道等离子体波的形成产生干扰，从而提升探测器响应度。
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公开(公告)号：CN114169383A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111014308.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有限元模型结构的应变‑位移重构方法，具体涉及基于有限元结构采用NeuroDynaStruct神经网络进行应变‑位移关系的构建，属于有限元位移重构领域。该法基于NeuroDynaStruct神经网络架构对有限元模型进行应变‑位移的重构，包括：基于基础的测量数据，采用有限元方法，通过建立的NeuroDynaStruct神经有限元算法对测量应变、测量位移进行拟合，构建训练集，采用径向基网络算法进行训练，训练过程中主成分分析(PCA)方法进行降维处理，减少运算量，得到修正应变‑修正位移关系。本发明用于对实时非线性有限元仿真模型变形进行重构，将有限元模型以及神经网络结合在一起，提供了一种新的基于有限元模型以及测试数据来获得应变‑位移关系的方法，可以在简化神经网络架构的同时提高结构重构的精度。
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公开(公告)号：CN113437967A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110747568.X
申请日：2021-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数模混合电路领域，涉及一种锁相环频率综合器结构，具体提供一种基于时间误差放大器的低噪声毫米波锁相环频率综合器，用以克服传统电荷泵锁相环结构中电荷泵恶化锁相环带内噪声的问题。本发明在传统电荷泵锁相环频率综合器结构的基础上，通过在鉴频鉴相器(PFD)与电荷泵(CP)之间插入一级时间误差放大器(TA)，时间误差放大器将鉴频鉴相器输出的相位误差信号线性放大K倍产生信号输入至电荷泵，有效将电荷泵贡献到锁相环频率综合器输出端的噪声降低K倍，即克服传统电荷泵锁相环结构中电荷泵恶化锁相环带内噪声的问题；同时，本发明在反馈回路中保留分频器，以此与DSM技术相兼容，完成小数分频功能。
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公开(公告)号：CN109755306B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910023720.2
申请日：2019-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管，用以提升无结型隧穿场效应晶体管开态电流；本发明隧穿场效应晶体管通过源区金属与漏区金属的功函数与沟道区半导体电子亲和势的差值，在未掺杂或轻掺杂的沟道中通过电学掺杂形成P型掺杂特性源区与N型掺杂特性漏区；改变了传统无结型双栅隧穿晶体管上下对称的双栅结构，使顶层金属栅与底层金属栅具备长度差、即非对称双栅结构，在无结型双栅隧穿场效应晶体管的中引入载流子线隧穿，并以线隧穿为主；同时，可通过增加顶层金属栅的延伸长度，缩短底层金属栅长度来增加顶层金属栅与底层金属栅长度差值，增大晶体管的线隧穿面积，提升载流子隧穿几率，有效提升了器件的开态电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112671348A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011414359.5
申请日：2020-12-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体提供一种功率增益提升的交叉电容型共源共栅放大器，用以克服在高频工作下、尤其是毫米波/太赫兹波段传统共源共栅放大器增益不足的问题。本发明在差分共源共栅电路的差分共源管部分引入一对交叉电容，交叉电容等效为跨接在共源极放大器栅极和漏极之间的负电容，该负电容能够有效的补偿共源级放大器寄生电容Cgd，从而降低从Vx到Vin的负反馈信号，提高功率增益；同时，交叉电容能使得放大器更加单向化，让Gma逐渐增大到U，当继续增大交叉电容时，Gma会继续增加直到放大器稳定性因子Kf＝1。综上所述，本发明通过在差分共源共栅电路的差分共源管部分引入一对交叉电容，能够有效的提高放大器的增益，尤其是最高可用增益Gma。
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公开(公告)号：CN111176361B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010020222.5
申请日：2020-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种基于衬底偏置调控的亚阈值带隙基准电压源，用以解决现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源温度范围窄、尤其是低温时严重受限的问题。本发明包括：亚阈值电流源、PTAT产生电路、CTAT产生电路、反馈电路与电源抑制比增强模块，其中，构成PTAT产生电路的PMOS管的衬底连接于其漏极，大大降低了其产生的衬底电流，使得低温下的基尔霍夫电流定律仍能得到PTAT电压解，从而大幅度扩展了基准电压源的工作温度范围；同时，采用由二极管D1构成的CTAT产生电路，保证低温下CTAT电压不失真，进一步保证了本发明基准电压源的低温适应性；并采用由电容Cc构成的电源抑制比增强模块有效提升电压源的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN110868160A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911181195.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种互补型功率合成的功率放大器结构，用以解决现有采用电容补偿技术的功率放大器功耗大、效率低的问题。本发明结构有效利用N型功率放大器和P型功率放大器的互补特性，通过P型功率放大器进行电容补偿，有效保证功率放大器结构线性度；同时，采用变压器将P型功率放大器的输出信号和N型功率放大器的输出信号进行功率合成，保证P型功率放大器的能量没有被浪费掉，使得整个功率放大器的输出功率得到提升，效率也得到提高；另外，提出失配调节网络，解决N型功率放大器与P型功率放大器输出匹配阻抗不同的问题；综上，本发明结构能够在保证功率放大器线性度的同时，提高输出功率及效率。
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公开(公告)号：CN108389896A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810058240.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/739
Abstract: 一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的双栅隧穿场效应晶体管中，第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆盖的沟道区上表面和部分漏区上表面，第二漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第二沟道区氧化层覆盖的沟道区下表面和部分漏区下表面，且第一漏区氧化层的厚度大于第一沟道区氧化层，第二漏区氧化层的厚度大于第二沟道区氧化层。该双栅隧穿场效应晶体管在不影响器件的开态电流的前提下，有效地抑制了器件的双极性电流，保证器件具有较好的开关特性，可应用于大规模集成电路中。
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公开(公告)号：CN120090567A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510187010.9
申请日：2025-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明提供一种基于变压器抽头电感优化共模阻抗的高效率三倍频器，属于射频集成电路领域，包括输入匹配网络、三倍频单元、级间匹配网络、缓冲放大单眼和输出匹配网络。其中级间匹配网络在初级线圈中心抽头处串联8字形电感，能实现在不明显影响差模阻抗的前提下调整优化共模阻抗，提高三倍频器效率，并且抑制三倍频单元对共模阻抗的敏感度。此外，由于中心抽头所串联的电感采用8字形对称绕圈的形式，加入该抽头电感不需要额外的面积。
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