保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111093986B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201880059994.0

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片,其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用复合片中,该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b),该支撑片中的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X),该树脂成分(X)的HSP的极性项δP为7.5MPa1/2以下,规定HSP空间,并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时,该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

    保护膜形成用片及其制造方法
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114075417A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110735474.0

    申请日:2021-06-30

    Inventor: 小桥力也

    Abstract: 本发明提供一种即使在冲孔加工时的切口宽度较窄的情况下也能够充分抑制废料去除的不良的保护膜形成用片及其制造方法。该保护膜形成用片为长条片,并具有保护膜形成膜和设置在所述保护膜形成膜的一个面上的第一剥离膜,该保护膜形成用片的特征在于,于23℃用2kgf的载荷将两片保护膜形成膜贴附2分钟后的附着力为19N/25mm以下。

    保护膜形成用片及其制造方法
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114075416A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110734974.2

    申请日:2021-06-30

    Inventor: 小桥力也

    Abstract: 本发明提供一种能够充分抑制废料去除的停止的保护膜形成用片及该保护膜形成用片的制造方法。本发明的保护膜形成用片为长条片,并具有:用于形成保护膜的保护膜形成膜、设置在所述保护膜形成膜的一个面上的第一剥离膜、及设置在所述保护膜形成膜的另一个面上的第二剥离膜,该保护膜形成用片的特征在于,将从所述保护膜形成膜上剥离所述第一剥离膜时的剥离力设为F1、并将从所述保护膜形成膜上剥离所述第二剥离膜时的剥离力设为F2时,满足F1>F2的关系,将所述保护膜形成膜对不锈钢板的粘着力设为F3时,满足F2/F3≥0.10的关系,F2为30mN/100mm以上。

    树脂膜形成用复合片、以及带树脂膜的芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN107210205B

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN201680008033.8

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明提供一种树脂膜形成用复合片,其具有在支撑片上直接叠层有能够形成树脂膜的树脂膜形成用膜的结构,且满足下述要件(I)及(II)。要件(I):将待与硅晶片贴合一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(α)贴合在硅晶片上之后,在23℃的环境中、拉伸速度300mm/分及拉伸角度180°的剥离条件(x)下测定的、将该树脂膜形成用膜从该硅晶片剥离所需要的剥离力(α1)为0.05~10.0N/25mm;要件(II):在所述剥离条件(x)下测定的、将所述支撑片从与所述支撑片直接叠层一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(β)剥离所需要的剥离力(β1)是剥离力(α1)以上的值。

    支撑片及保护膜形成用复合片

    公开(公告)号:CN108966671A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201780016815.0

    申请日:2017-03-13

    Inventor: 小桥力也

    CPC classification number: B32B3/30 B32B27/00 C09J7/20 C09J201/00

    Abstract: 本发明的支撑片具备基材、以及层叠于上述基材上的粘合剂层,其中,上述基材的具备上述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度(Ra)为0.4μm以下,上述基材的与具备上述粘合剂层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度(Ra)大于具备所述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度,并且为0.053~0.48μm。本发明的保护膜形成用复合片具备上述支撑片、且在上述支撑片中的上述粘合剂层上进一步具备保护膜形成用膜而成。

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