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公开(公告)号：CN112448652A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011262756.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于驱动控制技术领域，提供了一种两级式交错并联电驱控制器，用于连接电机，其包括储能单元，用于输出输入电压；直流变换单元与储能单元连接，用于根据输入电压和第一脉冲宽度调制信号输出母线电压；逆变单元与直流变换单元和电机连接，用于根据母线直流电压和第二脉冲宽度调制信号输出三相电流以驱动电机；反馈单元与直流变换单元、逆变单元以及电机连接，用于检测母线直流电压并输出电压检测信号，用于检测逆变单元的相电流并输出电流检测信号，用于检测电机的转速并输出角速度信号；控制单元与直流变换单元、逆变单元以及反馈单元连接，用于根据电压检测信号、电流检测信号以及角速度信号输出第一脉冲宽度调制信号和第二脉冲宽度调制信号。
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公开(公告)号：CN111822315A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010807014.X
申请日：2020-08-12
Applicant: 湖南大学
IPC: B06B1/04
Abstract: 本发明提供一种基于气体弹簧的电磁式水声换能器及控制方法，水声换能器包括围成水密空间的筒体、辐射件、密封件；水密空间内容纳有衔铁、导磁底座；导磁底座、衔铁上分别绕设有第一驱动线圈、第二驱动线圈；第一驱动线圈、第二驱动线圈由独立的交流电源供电，使得导磁底座一端、衔铁一端可产生相同或相反的磁极，两组件受电磁斥力或电磁吸力而振动；导磁底座和衔铁之间充有气体当作气体弹簧，用以平衡静水压并提供振动所需刚度。前段振动周期中，控制驱动电流产生电磁斥力推动衔铁从初始平衡位置运动，后段振动周期，主要依靠电磁吸力将衔铁拉回平衡位置。本发明电磁推力更大，振动幅度更大，实现小体积轻重量产生大功率超低频声波输出。
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公开(公告)号：CN111822314A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010806207.3
申请日：2020-08-12
Applicant: 湖南大学
IPC: B06B1/04
Abstract: 本发明提供一种基于气体弹簧的电磁吸力式水声换能器及控制方法，水声换能器包括筒体、与筒体内壁面滑动连接的辐射件、密封件，筒体、密封件、辐射件围成水密空间；水密空间内容纳有衔铁、导磁底座；导磁底座上绕设有驱动线圈；导磁底座和衔铁之间设置有气体弹簧。前段振动周期中，驱动电流产生电磁吸力拉动衔铁从初始平衡位置运动；后段振动周期中，主要依靠气体弹簧的作用将衔铁推回平衡位置。本发明中，在电磁吸力和气体弹簧的共同作用下，衔铁带动辐射件在初始平衡位置进行振动，其电磁推力大，振动幅度大，电—声能量转换效率高，可设计成大功率超低频高效率的换能器，实现小体积轻重量产生大功率超低频输出。
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公开(公告)号：CN111541979A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010264367.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 湖南大学
IPC: H04R15/00
Abstract: 本发明提供一种磁致伸缩弯张电声换能器，包括换能器壳体、磁致伸缩体、驱动线圈，换能器壳体包括第一锥形筒体、第二锥形筒体，第一锥形筒体半径较大一端、第二锥形筒体半径较大一端通过刚性连接部相互固定连接，从而围成换能器壳体的内腔，磁致伸缩体一端、另一端分别对应抵接于第一锥形筒体内端面、第二锥形筒体内端面；第一锥形筒体、第二锥形筒体的连接位置还设置密封部，密封部围绕换能器壳体的内腔设置；还包括用于对磁致伸缩体施加预应力的预应力模块，预应力模块施加的预应力方向在换能器长度方向上。
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公开(公告)号：CN118900021B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411391367.0
申请日：2024-10-08
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法，所述电路包括直流电源、杂散电感、SiC MOSFET管QM、耦合线圈以及SiC MOSFET并联模块；SiC MOSFET并联模块包括多条支路，每条支路包括依次串联的第一耦合电感、第二耦合电感和SiC MOSFET管Qi，第1条支路的第一耦合电感与最后一条支路的第二耦合电感负耦合，第i条支路的第一耦合电感与第i‑1条支路的第二耦合电感负耦合，第i条支路的第二耦合电感与第i+1条支路的第一耦合电感负耦合。本发明解决了并联的SiC MOSFET管电流不均的问题和开关振荡问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118657105B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411103958.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/39 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法及系统，以单元胞电热耦合模型原理为基础，通过将IGBT芯片进行详细分区，基于IGBT结构在电热耦合下的特殊性对IGBT芯片逐层进行分区，通过将多种分区复合并应用于电热耦合模型得到大规模IGBT芯片电热耦合模型，通过多元胞电热耦合模型实现了在外部电压电流连续变化情况下对IGBT芯片实现电热耦合仿真，相较于有限元方法，本发明可以更快得到大面积芯片表面温度随时间变化的详细分布以及芯片内部电流随时间的变化的详细情况，准确仿真芯片电热耦合特性。
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公开(公告)号：CN118900021A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411391367.0
申请日：2024-10-08
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法，所述电路包括直流电源、杂散电感、SiC MOSFET管QM、耦合线圈以及SiC MOSFET并联模块；SiC MOSFET并联模块包括多条支路，每条支路包括依次串联的第一耦合电感、第二耦合电感和SiC MOSFET管Qi，第1条支路的第一耦合电感与最后一条支路的第二耦合电感负耦合，第i条支路的第一耦合电感与第i‑1条支路的第二耦合电感负耦合，第i条支路的第二耦合电感与第i+1条支路的第一耦合电感负耦合。本发明解决了并联的SiC MOSFET管电流不均的问题和开关振荡问题。
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公开(公告)号：CN113871515B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111145683.6
申请日：2021-09-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。
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公开(公告)号：CN116861833B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311100643.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/006
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质，所述构建方法包括根据SiC MOSFET的静态特性和温度特性构建SiC MOSFET的沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结构参数构建导通电阻模型；根据漏源电压、栅源电压以及温度，构建SiC MOSFET的非线性寄生电容模型；根据所述沟道电流模型、导通电阻模型以及非线性寄生电容模型构建SiC MOSFET物理模型；识别出所述SiC MOSFET物理模型的参数。本发明构建的模型具有更高的准确性和普适性，为包含SiC MOSFET器件的电力电子系统仿真方法提供依据。
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公开(公告)号：CN117195665A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311471667.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 一种功率半导体器件键合线的寿命预测模型构建方法，包括：设计功率循环老化实验，获得器件不同功率循环周期数下键合界面的裂纹长度及温度波动；建立不同裂纹长度键合界面的器件3D模型，并在不同裂纹长度键合界面的器件3D模型下，进行有限元仿真，获取键合界面的不同温度波动∆T，以及各温度波动∆T下键合界面对应的应变强度因子DK；根据裂纹长度l及相应的∆T、相应的DK，拟合出DK关于∆T及l的函数关系式；根据DK关于∆T及l的函数关系式，及步骤1中不同功率循环周期数下键合界面的裂纹长度及温度波动，获得键合界面的功率循环周期数关于温度波动及裂纹长度的函数关系式。本发明预测精度高，通用性较好。
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