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公开(公告)号：CN109994634B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201711498154.8
申请日：2017-12-29
Applicant: 昆山国显光电有限公司 , 清华大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体公开了一种有机电致发光器件。该有机电致发光器件包括发光层，发光层中包括由供体分子和受体分子构成的激基复合物，以及用于增大供体分子和受体分子分子间间距的宽带隙材料，可降低所形成激基复合物的HOMO与LUMO轨道重叠程度，减小单线态‑三线态能级差，提升激基复合物主体的反向系间窜越速率(kRISC)，增强对客体分子的能量传递，提高器件效率；同时宽带隙材料的引入能够有效降低发光层中的三线态激子浓度，抑制三线态‑三线态湮灭(TTA)以及三线态‑极化子湮灭(TPA)，降低效率滚降，提高器件寿命。
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公开(公告)号：CN111909154A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010767645.3
申请日：2020-08-03
Applicant: 清华大学
IPC: C07D487/04 , C07D519/00 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种化合物及其应用、以及包含该化合物的有机电致发光器件，所述化合物具有如下式的结构：本发明的化合物作为OLED器件中的电子传输层材料时，表现出优异的器件性能和稳定性。本发明同时保护采用上述通式化合物的有机电致发光器件。
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公开(公告)号：CN109904332B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201711302958.6
申请日：2017-12-08
Applicant: 昆山国显光电有限公司 , 清华大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体公开了一种有机电致发光器件。该有机电致发光器件具有第一电极、第二电极以及有机功能层，有机功能层包括发光层，发光层至少包括主体材料和客体材料，主体材料包括由供体分子和受体分子构成的激基复合物，其中供体分子和/或受体分子含有用于增大供体分子和受体分子分子间间距的大位阻取代基团X，可降低所形成激基复合物主体的HOMO与LUMO轨道重叠程度，减小单线态‑三线态能级差△EST，提升激基复合物主体的反向系间窜越速率(kRISC)，增强对客体材料分子的能量传递，提高器件效率；同时大位阻基团的引入能够有效降低发光层中的三线态浓度，抑制三线态‑极化子湮灭(TPA)，提高器件寿命。
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公开(公告)号：CN110746425A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911001008.9
申请日：2019-10-21
Applicant: 清华大学
IPC: C07D471/22 , C07D519/00 , C07F9/6561 , C07F9/6568 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种新型有机化合物，具有如下式(1)或式(2)所示的结构：其中，X、Y、Z、W和X’、Y’、Z’、W’分别独立地选自N或P，R1至R8分别独立地选自氢、C2-C30脂肪链烃氧基、C2-C30脂肪链烃氨基、C4-C12环状脂肪链烃氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6-C30的单环芳基或稠环芳基、取代或未取代的C3-C30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种，Q代表桥联基团。本发明的化合物作为OLED器件中的电子注入层材料时，表现出优异的器件性能和稳定性。本发明同时保护采用上述通式化合物的有机电致发光器件。
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公开(公告)号：CN110407858A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910649982.X
申请日：2019-07-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种新型有机化合物及其应用及采用该化合物的有机电致发光器件，所述化合物具有如下式的结构： 其中Y1、Y2和Y3分别独立地选自H或B，且其中最多一个为H；X1、X2和X3分别独立地选自N或H，且其中最多一个为H；X4、X5和X6分别独立地选自H、单键、O、S或CR；R1～R18分别独立地选自氢、氘或者取代或未取代的下述基团中的一种：C1-C36的烷基、C6-C48的单环芳烃或稠环芳烃、C3-C48的单环杂芳烃或稠环杂芳烃，且R1～R18中的相邻的两个基团彼此可以键合形成C1-C10的环烷烃、C6-C30的芳烃或C5-C30的杂芳烃。本发明的化合物作为OLED器件中的发光层材料时，表现出优异的器件性能和稳定性。本发明同时保护采用上述通式化合物的有机电致发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994628A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711479570.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 昆山国显光电有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件，发光层中包括主体材料、辅助主体材料和荧光染料；主体材料是由电子供体材料和电子受体材料混合形成的激基复合物，所述辅助主体材料为热活化延迟荧光材料，所述激基复合物的单线态能级以及三线态能级均高于所述辅助主体材料的单线态能级以及三线态能级。上述的有机电致发光器件，由于以带隙窄的激基复合物作为主体材料，与染料和具有小ΔEST的辅助主体材料共掺杂，能够促进主体和辅助主体材料由三线态激子向单线态激子的反系间窜越，增强能量传递，降低了三线态激子淬灭，器件的效率滚降小、外量子效率高。
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公开(公告)号：CN106898700B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510952274.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 昆山国显光电有限公司 , 清华大学
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5052 , H01L2051/0063 , H01L2251/5384
Abstract: 本发明公开了一种磷光有机电致发光器件，包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层，所述发光层为由空穴传输材料层和电子传输材料层构成的双层结构，空穴传输材料层设置于空穴传输层和电子传输材料层之间，电子传输材料层设置于空穴传输材料层与电子传输层之间，空穴传输材料层与电子传输材料层接触的界面形成激基复合物；所述空穴传输材料层包括主体材料，其主体材料为具有空穴传输能力的材料；所述电子传输材料层包括主体材料和掺杂在主体材料中的磷光染料，其主体材料为具有电子传输能力的材料。本发明利用激基复合物减小磷光掺杂浓度，同时能够保持长寿高效。
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公开(公告)号：CN109836426A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711215831.0
申请日：2017-11-28
Applicant: 昆山国显光电有限公司 , 清华大学
IPC: C07D487/04 , C07D471/14 , C07D519/00 , C09K11/06 , C09B57/00 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一种1,3,5-三嗪衍生物，具有如通式I所示的结构。该1,3,5-三嗪衍生物通过在作为电子受体的三嗪基团和供电子基团之间引入了一个间隔单元，使有机电致发光材料同时具有小的ΔEST和高的辐射跃迁率。本发明还公开了一种有机电致发光器件，至少有一个功能层中含有上述的1,3,5-三嗪衍生物，1,3,5-三嗪衍生物作为染料时，由于同时具有小的ΔEST和高的辐射跃迁率，能够实现高的发光效率。1,3,5-三嗪衍生物作为主体材料时，能够提升主体材料三线态激子向单线态激子的反系间窜越，增强能量传递，降低了三线态激子淬灭，器件的效率滚降小、外量子效率高，有利于高亮度下器件的高效使用。
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公开(公告)号：CN109817836A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201711151474.6
申请日：2017-11-18
Applicant: 昆山国显光电有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体涉及了一种有机电致发光器件，尤其涉及一种高效的荧光器件。发光层包括热活化延迟荧光材料、第一主体材料和荧光染料。空穴传输层能够与第一主体材料形成界面型激基复合物并通过热活化延迟荧光材料作为敏化剂进一步敏化荧光染料。本发明制备的热活化延迟荧光敏化荧光(TSF)有机电致发光器件，外量子效率超过了传统荧光器件约5％的外量子效率，大幅度提升了荧光OLED器件的发光效率，同时具备低开启电压、低滚降的等优点。
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公开(公告)号：CN109411633A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811012865.4
申请日：2018-08-31
Applicant: 昆山国显光电有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置，有机电致发光器件包括发光层，所述发光层包括主体材料和染料，所述主体材料为三重态-三重态湮灭材料，所述染料包括热活化延迟荧光材料；三重态-三重态湮灭材料的单重态能级大于热活化延迟荧光材料的单重态能级；三重态-三重态湮灭材料的三重态能级小于热活化延迟荧光材料的三重态能级。本发明能够克服现阶段由于器件内高能激子所引起的器件寿命较短的缺陷。
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