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    一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用
    52.
    发明公开
    一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN113429205A

    公开(公告)日：2021-09-24

    申请号：CN202110806711.8

    申请日：2021-07-16

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/74

    Abstract: 本发明提供了一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明下转换光致发光陶瓷材料，化学式为0.94K0.5Na0.5NbO3‑0.06Sr(Bi0.5Nb0.5)O3,x％Ce，x＝0.1～0.4。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；在此基础上掺杂稀土Ce，使陶瓷材料同时具有良好的透光性和下转换发光性能。本发明通过控制上述陶瓷材料中各种成分的含量，使所述陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，是一种多功能光电陶瓷材料。

    一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法
    53.
    发明授权
    一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106747440B

    公开(公告)日：2020-07-03

    申请号：CN201611201094.4

    申请日：2016-12-22

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 刘国保 ,  王华 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  杨玲 ,  袁昌来

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

    Abstract: 本发明公开了一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式用(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(Me0.5Nb0.5)O3所表示，其中A为Ca、Sr、Ba中的一种或两种，Me为Al、In、Yb或两种，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.6。所述制备方法采用固相法制备粉体，不添加任何粘结剂，低压成型。产品同时具有高的可见光透光率和优良的电储能性能，以及介电损耗低、制备成本低、无铅环保、实用性好。

    一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
    54.
    发明公开
    一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN111153698A

    公开(公告)日：2020-05-15

    申请号：CN202010046966.4

    申请日：2020-01-16

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 王华 ,  胡岗斌 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  汪江婷 ,  曾卫东 ,  王名昌

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

    Abstract: 本发明提供了一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明铁电陶瓷材料所述透明铁电陶瓷材料具有式I所示的化学组成：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Ta0.5)O3式I，其中，x＝0.01～0.06。本发明提供的透明铁电陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；同时通过调控第二组元的固溶比例，使透明铁电陶瓷材料的结构致密，有效提升了透明铁电陶瓷材料的透光性。本发明提供的透明铁电陶瓷材料具有优异的透光性能和铁电性能。

    一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
    55.
    发明公开
    一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 失效 许可

    公开(公告)号：CN110041074A

    公开(公告)日：2019-07-23

    申请号：CN201910478416.7

    申请日：2019-06-03

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 许积文 ,  孙亚兵 ,  王华 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Nb0.5)O3-yM，M为Er或Ho，x＝0.05～0.35，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有上转换光致发光性能。本发明提供的陶瓷材料同时具备较好的上转换发光性能和铁电性能，而且透光性较好，是一种多功能陶瓷材料。

    一种氧化镧空穴注入层有机发光器件及制备方法
    57.
    发明公开
    一种氧化镧空穴注入层有机发光器件及制备方法 有权 许可 转让

    公开(公告)号：CN107611277A

    公开(公告)日：2018-01-19

    申请号：CN201710946831.1

    申请日：2017-10-12

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 张小文 ,  张岩 ,  李皖蜀 ,  许积文 ,  郑清红 ,  王华

    IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

    Abstract: 本发明公开了一种基于水溶液处理的氧化镧空穴注入层有机发光器件，所述器件的空穴注入层由水溶液处理的La2O3制备而成。另外，还公开了该器件的制备方法，所述方法至少包括如下步骤：（1）以硝酸镧六水合物和氨水为原料，采用共沉淀法制备La2O3纳米粉体颗粒；（2）将La2O3纳米粉体颗粒溶解在去离子水中，形成浓度为0.2wt％的La2O3悬浮液，然后对La2O3悬浮液过滤得到La2O3过滤液；（3）在ITO阳极玻璃基片上通过旋涂工艺旋涂La2O3过滤液形成La2O3薄膜，所述La2O3过滤液中的La浓度为0.01 mg/mL—0.03 mg/mL。本发明所述器件能有效的调节载流子的平衡，提高发光效率，同时器件的空穴注入层具有与MoOx空穴注入层几乎相当的空穴注入能力。

    一种非极性阻变存储器及其制备方法
    59.
    发明授权
    一种非极性阻变存储器及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103236498B

    公开(公告)日：2015-10-28

    申请号：CN201310145858.2

    申请日：2013-04-25

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

    IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

    Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。

    一种双层发光层结构的白光OLED器件
    60.
    发明公开
    一种双层发光层结构的白光OLED器件 无效

    公开(公告)号：CN104505463A

    公开(公告)日：2015-04-08

    申请号：CN201410781346.X

    申请日：2014-12-17

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 张小文 ,  莫炳杰 ,  许积文 ,  陈国华 ,  王华

    IPC: H01L51/50

    CPC classification number: H01L51/504

    Abstract: 本发明公开了一种双层发光层结构的白光OLED器件，所述器件包括一层空穴传输兼蓝光发光层和一层电子传输兼黄绿光发光层，另外还包括衬底、阳极、空穴注入层、电子注入层和反射金属阴极。本发明与传统结构的双发光层混合实现白光发射的OLED器件相比，不需要再采用额外的空穴传输层和电子传输层，从而简化器件结构和制备工艺，并能达到传统结构的双发光层白光OLED器件的效果。

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