含铱元素的荧光体及其制造方法

    公开(公告)号:CN101652450B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN200880011518.8

    申请日:2008-04-08

    CPC classification number: C09K11/87 C09K2211/185

    Abstract: 本发明提供在能量效率、色纯度、经济问题等方面没有问题、且能够有效发光的含铱第II-第VI族化合物荧光体及其制造方法。通过下述荧光体解决上述问题,所述荧光体,其特征在于,其是由含有铱的第II-第VI族化合物半导体组成的荧光体,铱从荧光体颗粒表面至内部均匀地分散。本发明还提供一种上述含铱荧光体的制造方法,其特征在于,其包括将包含第II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组合物进行烧成的工序,使用铱络合物作为铱化合物。

    铝氧化物荧光体及其制造方法

    公开(公告)号:CN102378800A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201080014835.2

    申请日:2010-03-31

    CPC classification number: C09K11/655

    Abstract: 本发明提供了Al-C-O系荧光体,其不使用重金属或稀有金属,由环境适应性高且经济性也优异的元素构成,且在不改变荧光体的基本构成组成的情况下,可改变发光光谱的峰值强度的波长。本发明提供了铝氧化物荧光体,其特征在于,该铝氧化物荧光体包含铝(Al)、碳(C)、氧(O),且分别含有30摩尔%<Al<60摩尔%,0摩尔%<C<10摩尔%,30摩尔%<O<70摩尔%。在制造包含铝(M)、碳(C)和氧(O)的Al-C-O系荧光体时,通过采用将包含含铝化合物与配位性含氧有机化合物的混合物加热煅烧的工序,解决了上述问题。

    制备4-烷基苯酚的方法
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1681758A

    公开(公告)日:2005-10-12

    申请号:CN03821667.1

    申请日:2003-08-27

    CPC classification number: C07C37/16 C07C39/06

    Abstract: 本发明公开一种制备4-烷基苯酚的方法,其包括如下步骤:在合成沸石存在下、在50~110℃的温度下使4-未取代的苯酚与烷基醇或烷基醚反应(第一步);在第一步中使用烷基醇的情况下,除去生成的反应混合物的液相中所含的生成的水,或在第一步使用烷基醚的情况下,除去生成的反应混合物的液相中所含的生成的醇(第二步);然后在90~150℃的温度下、在酸性催化剂存在下,在除去了生成的水或生成的醇的反应混合物中进行重排反应(第三步)。根据本发明,能够在工业上以良好的选择性和高产率有利地制备4-烷基苯酚。

    碳质材料
    58.
    发明公开
    碳质材料 审中-实审

    公开(公告)号:CN118715174A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202380022565.7

    申请日:2023-01-27

    Inventor: 岩崎秀治

    Abstract: 本发明涉及碳质材料,其中,通过XPS法而求出的硫元素含量SXPS相对于通过NDIR法而求出的硫元素含量SNDIR之比(SXPS/SNDIR)为0.20以上且0.78以下,通过BET法而求出的比表面积为40m2/g以下。

    非水电解质二次电池用碳质材料、非水电解质二次电池用负极和非水电解质二次电池

    公开(公告)号:CN116936798A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310924173.1

    申请日:2016-10-27

    Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用碳质材料、非水电解质二次电池用负极和非水电解质二次电池。本发明的目的在于,提供示出良好的充放电容量、同时示出低电阻、且具有对氧化劣化的良好耐性的非水电解质二次电池(例如锂离子二次电池)的负极中使用的碳质材料(非水电解质二次电池用碳质材料)。本发明涉及非水电解质二次电池用碳质材料,通过广角X射线衍射法使用Bragg式算出的(002)面的平均面间隔d002处于0.36~0.42nm的范围,通过氮气吸附BET3点法求出的比表面积处于8~30m2/g的范围,氮元素含量为0.5质量%以下、且氧元素含量为0.3质量%以下,通过激光散射法得到的平均粒径为1~4μm。

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